極管和三極管ppt課件(2)-閱讀頁
2025-05-16 00:01本頁面
【正文】 會損壞 功率高于此值時，二極管會因結(jié)溫升高 而損壞。 發(fā)射區(qū)濃度大， 發(fā)射電子。 2? PNP型 P P N C B E C E B 集電極 基極 發(fā)射結(jié) 集電結(jié) 發(fā)射區(qū) 集電區(qū) 基區(qū) 發(fā)射極 PNP型晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖 PNP型 晶體管的圖形符號 按半導(dǎo)體材料的不同分 為鍺管和硅管，硅晶體 管多為 NPN型，鍺晶體 管多為 PNP型。 管芯結(jié)構(gòu)剖面圖 N型硅 二氧化硅保護膜 B E C N+ P型硅 （ a） 平面型 N型鍺 E C B 銦 球 銦 球 P P+ （ b）合金型 EC RC IC UCE C E B UBE 共發(fā)射極接法放大電路 三極管的電流控制作用 三極管具有電流控 制作用的外部條件 : （ 1）發(fā)射結(jié)正向偏置； （ 2）集電結(jié)反向偏置。所以： IC IB 同樣有 : ? IC ? IB 所以說三極管具有電流控制作用 ,也稱之為電流放大作用。 共發(fā)射極接法放大電路 （ 1）發(fā)射結(jié)正向偏置； （ 2）集電結(jié)反向偏置。 條件 特 征 RB EB EC RC IC UCE C E B IB UBE IE 1. 三極管的輸入特性 IB UBE O UCE ? 1V IB = f ( UBE ) UC E = 常數(shù) （二）三極管的特性曲線 死區(qū)電壓 溫度增加時，由于熱激發(fā)形成的 載流子增多，在同樣的 UBE下， 基極電流增加。 25?C 75?C RB EB EC RC IC UCE C E B IB UBE IE 2. 三極管的輸出特性 RB EB EC RC IC UCE C E B IB UBE UCE /V IB =40181。A o IC IB增加 IB減小 IB = 20181。A 20181。A 截止區(qū) 飽和區(qū) 60 181。A （三） 三極管的主要參數(shù) ?直流電流放大系數(shù) IB ? = IC ?交流電流放大系數(shù) ? = ? IC ? IB ICEO ICM 射反向擊穿電壓 U (BR)CEO PCM 極 限 參 數(shù) 使用時 不 允許 超過 EC RC C E B ICE0 由少數(shù)載流子形成，其值受溫度影響 很大，因此越小越好。 溫度增加時其值減小。A 60181。A 6 mA 在輸出特性上求 ? , ? ? = IC IB = 40181。A) = 40 設(shè) UCE =6V IC / mA UCE /V 0 IB = 0 181。A 40 181。A 80
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