【摘要】填空題1.在常溫下,硅二極管的門檻電壓約為,導(dǎo)通后在較大電流下的正向壓降約為;鍺二極管的門檻電壓約為,。2、二極管的正向電阻小;反向電阻大。3、二極管的最主要特性是單向?qū)щ娦?。PN結(jié)外加正向電壓時,擴(kuò)散電流大于漂移電流,耗盡層變窄。4、二極管最主要的電特性是單向?qū)щ娦?,穩(wěn)壓二極管在使用時,穩(wěn)壓二極管與負(fù)載并聯(lián),
2025-04-10 01:56
【摘要】電力電子技術(shù)模擬試卷四(考試時間 150分鐘)一、填空題(每小題1分,共14分)1.1.???三相半波可控整流電路中的三個晶閘管的觸發(fā)脈沖相位按相序依次互差__________。2.2.???功率集成電路PIC分為二大類,一類是高壓集成電路,另一類是________________。3.3.?
2025-04-09 06:07
【摘要】模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)復(fù)習(xí)試題填空題1.在常溫下,硅二極管的門檻電壓約為,導(dǎo)通后在較大電流下的正向壓降約為;鍺二極管的門檻電壓約為,導(dǎo)通后在較大電流下的正向壓降約為。2、二極管的正向電阻小;反向電阻大。3、二極管的最主要特性是單向?qū)щ娦浴#校谓Y(jié)外加正向電壓時,擴(kuò)散
2024-11-18 08:43
【摘要】《模擬電子技術(shù)》模擬試題一一、填空題:(每空1分共40分)1、PN結(jié)正偏時(),反偏時(),所以PN結(jié)具有()導(dǎo)電性。2、漂移電流是()電流,它由()載流子形成,其大小與()有關(guān),而與外加電壓()。3、所謂理想二極管,就是當(dāng)其正偏時,結(jié)電阻為(),等效成一
2025-01-22 21:40
【摘要】中國地質(zhì)大學(xué)(北京)繼續(xù)教育學(xué)院2014年03課程考試《模擬電子技術(shù)》模擬題(補(bǔ))一.填空題1.完全純凈的、結(jié)構(gòu)完整的半導(dǎo)體晶體稱為本征半導(dǎo)體。2.在本征半導(dǎo)體中摻入少量的五價元素,可以形成N型半導(dǎo)體,常用摻雜的五價元素有磷、砷和鎢。3.半導(dǎo)體二極管的導(dǎo)電特性是單向?qū)щ娦?,即所謂的
2025-04-09 04:55
【摘要】模擬電子技術(shù)模擬電子技術(shù)講解提綱?半導(dǎo)體技術(shù)?晶體管放大電路?集成運(yùn)放?反饋?穩(wěn)壓電源模擬電子技術(shù)第第1章章半導(dǎo)體器件 半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識 半導(dǎo)體二極管 二極管電路的分析方法 特殊二極管 小 結(jié) 雙極型半導(dǎo)體三極管模擬電子技
2025-01-15 04:13
【摘要】模擬試題一一、選擇填空(每空1分,共20分)1.純凈的半導(dǎo)體叫()。摻入3價雜質(zhì)元素形成的半導(dǎo)體叫(),它主要靠導(dǎo)電()。A.空穴 B.本征半導(dǎo)體 C.P型半導(dǎo)體 D.自由電子2.PN結(jié)正偏時,多子的()運(yùn)動較強(qiáng),PN結(jié)變薄,結(jié)電阻較()。A.?dāng)U散 B.漂移 C.小 D.大3.三極管有()和()兩種載流子參與導(dǎo)電,故稱作()極型晶體管;而場效應(yīng)管稱作()極型晶體管。
2025-04-10 00:51
【摘要】1模擬試題一一、選擇填空(每空1分,共20分)1.純凈的半導(dǎo)體叫()。摻入3價雜質(zhì)元素形成的半導(dǎo)體叫(),它主要靠導(dǎo)電()。A.空穴B.本征半導(dǎo)體C.P型半導(dǎo)體D.自由電子2.PN結(jié)正偏時,多子的()運(yùn)動較強(qiáng),PN結(jié)變薄,結(jié)電阻較()。A.?dāng)U散B.漂移C.小D.大3.三極管有()和()兩
2024-11-10 19:42
【摘要】《數(shù)字電子技術(shù)》模擬試題一、填空題(每題2分,共20分)1、十六進(jìn)制數(shù)97,對應(yīng)的十進(jìn)制數(shù)為151。2、“至少有一個輸入為0時,輸出為0”描述的是與運(yùn)算的規(guī)則。3、4變量邏輯函數(shù)有16個最小項。4、基本邏輯運(yùn)算有:與、或和非運(yùn)算。5、兩二進(jìn)制數(shù)相加時,不考慮低位的進(jìn)位信號是半加器。6、TTL器件輸入腳懸空相當(dāng)于輸入
2025-07-07 14:53
【摘要】1、工作在放大區(qū)的某三極管,如果當(dāng)IB從12μA增大到22μA時,IC從1mA變?yōu)?mA,那么它的β約為。【】A.83B.91C.1002、已知圖所示電路中VCC=12V,RC=3kΩ,靜態(tài)管壓降UCEQ=6V;并在輸出端加負(fù)載電阻RL,其阻值為3kΩ。選擇一個合適的答案填入空內(nèi)。(1)該電路的
2025-07-13 20:13
【摘要】《模擬電子期末練習(xí)題》填空題:1、PN結(jié)正偏時(導(dǎo)通),反偏時(截止),所以PN結(jié)具有(單向)導(dǎo)電性。2、漂移電流是(反向)電流,它由(少數(shù))載流子形成,其大小與(溫度)有關(guān),而與外加電壓(無關(guān))。3、所謂理想二極管,就是當(dāng)其正偏時,結(jié)電阻為(零),等效成一條直線;當(dāng)其反偏時,結(jié)電阻為(無窮大),等效成斷開;4、三極管是(電流)控制元件,場效應(yīng)管是(電壓)控制元件
2025-07-09 23:32
【摘要】泰山學(xué)院物理與電子科學(xué)系2005級電子信息科學(xué)與技術(shù)本科專業(yè)《數(shù)字電子技術(shù)》模擬試題10(試卷共8頁,答題時間120分鐘)題號一二三四五六總分統(tǒng)分人復(fù)核人得分得分閱卷人一、填空題(本大題共15分,每空1分)1、邏輯表達(dá)式中,異或的符號是
2025-04-09 02:54
【摘要】泰山學(xué)院物理與電子工程學(xué)院《數(shù)字電子技術(shù)》試卷16(試卷共8頁,答題時間120分鐘)題號一二三四五總分統(tǒng)分人復(fù)核人得分得分閱卷人一、選擇題(每小題2分,共20分。請將答案填在下面的表格內(nèi))題號12345678910答案
【摘要】《電工電子技術(shù)》模擬試題一、填空題(每題2分,共20分)1、電路的組成部分包括(1)、(2)和(3)。2、(4)型半導(dǎo)體中,自由電子是多數(shù)載流子,空穴是少數(shù)載流子。3、為提高多級放大電路的帶負(fù)載能力,常選用(5)電路作為輸出級。4、三極管的輸出特性
2024-11-25 05:29
【摘要】模擬電子技術(shù)試卷(01-02學(xué)年第2學(xué)期)班級:學(xué)號:姓名:成績:一、填空題(4分)1、要使晶體三極管能正常工作在放大狀態(tài),應(yīng)使發(fā)射結(jié)處于,集電結(jié)處于。2、在分析含有負(fù)反饋的集成運(yùn)放電路時,常用的兩個基本且重要
2025-01-22 21:39