【摘要】第3章直流斬波電路1.簡述圖3-1a所示的降壓斬波電路工作原理。答:降壓斬波器的原理是:在一個控制周期中,讓V導(dǎo)通一段時間ton,由電源E向L、R、M供電,在此期間,uo=E。然后使V關(guān)斷一段時間toff,此時電感L通過二極管VD向R和M供電,uo=0。一個周期內(nèi)的平均電壓Uo=。輸出電壓小于電源電壓,起到降壓的作用。2.在圖3-1a所示的降壓斬波電路中,已知E=
2025-07-03 13:41
【摘要】第1章電力電子器件1.使晶閘管導(dǎo)通的條件是什么?答:使晶閘管導(dǎo)通的條件是:晶閘管承受正向陽極電壓,并在門極施加觸發(fā)電流(脈沖)?;颍簎AK0且uGK0。2.維持晶閘管導(dǎo)通的條件是什么?怎樣才能使晶閘管由導(dǎo)通變?yōu)殛P(guān)斷?答:維持晶閘管導(dǎo)通的條件是使晶閘管的電流大于能保持晶閘管導(dǎo)通的最小電流,即維持電流。要使晶閘管由導(dǎo)通變?yōu)殛P(guān)斷,可利用外加電壓和
【摘要】電力電子技術(shù)答案2-1與信息電子電路中的二極管相比,電力二極管具有怎樣的結(jié)構(gòu)特點才使得其具有耐受高壓和大電流的能力?答:,使得硅片中通過電流的有效面積增大,顯著提高了二極管的通流能力。P區(qū)和N區(qū)之間多了一層低摻雜N區(qū),也稱漂移區(qū)。低摻雜N區(qū)由于摻雜濃度低而接近于無摻雜的純半導(dǎo)體材料即本征半導(dǎo)體,由于摻雜濃度低,低摻雜N區(qū)就可以承受很高的電壓
2024-11-24 04:06
【摘要】電力電子技術(shù)電力電子技術(shù)PowerElectronics1什么是電力電子技術(shù)什么是電力電子技術(shù)2電力電子技術(shù)的發(fā)展史電力電子技術(shù)的發(fā)展史3電力電子技術(shù)的應(yīng)用電力電子技術(shù)的應(yīng)用4教材內(nèi)容簡介和使用說明教材內(nèi)容簡介和使用說明緒論2電力電子與信息電子電力電子與信息電子兩大分支兩大分支與其他學(xué)科的關(guān)系與其他學(xué)科的關(guān)系
2025-03-11 12:44
【摘要】目錄第1章電力電子器件···························
2024-11-18 07:31
【摘要】第2章電力電子器件3.圖1-43中陰影部分為晶閘管處于通態(tài)區(qū)間的電流波形,各波形的電流最大值均為Im,試計算各波形的電流平均值Id1、Id2、Id3與電流有效值I1、I2、I3。圖1-43晶閘管導(dǎo)電波形解:a)Id1==()ImI1==Imb)Id2==()ImI2==c)
2025-07-03 13:36
【摘要】模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)第1章常用半導(dǎo)體器件。(l)在本征半導(dǎo)體中加入(A)元素可形成N型半導(dǎo)體,加入(C)元素可形成P型半導(dǎo)體。B.四價C.三價(2)當(dāng)溫度升高時,二極管的反向飽和電流將(A)。
2025-07-09 01:03
【摘要】電力電子技術(shù)第五版答案僅供參考學(xué)習(xí)2-1與信息電子電路中的二極管相比,電力二極管具有怎樣的結(jié)構(gòu)特點才使得其具有耐受高壓和大電流的能力?答:,使得硅片中通過電流的有效面積增大,顯著提高了二極管的通流能力。P區(qū)和N區(qū)之間多了一層低摻雜N區(qū),也稱漂移區(qū)。低摻雜N區(qū)由于摻雜濃度低而接近于無摻雜的純半導(dǎo)體材料即本征半導(dǎo)體,由于摻雜濃度低,低摻雜
2024-11-18 07:30
【摘要】(第一章)第一章二進制到十六進制、十進制(1)(10010111)2=(97)16=(151)10(3)()2=()16=()10十進制到二進制、十六進制(1)(17)10=(10001)2=(11)16100216(2)(1101101)2=(6D)16=(109)10(4)()2=()16=()10(2)(1
2024-11-12 15:00
【摘要】1-1試述電力系統(tǒng)的組成及各部分的作用?各級電壓的電力線路將發(fā)電廠、變配電所和電力用戶聯(lián)系起來的一個發(fā)電、輸電、變電、配電及用電的整體即為電力系統(tǒng)。電力系統(tǒng)由以下幾部分組成:(1)發(fā)電將一次能源轉(zhuǎn)換成電能的過程即為“發(fā)電”。根據(jù)一次能源的不同,有火力發(fā)電、水力發(fā)電和核能發(fā)電,還有風(fēng)力、地?zé)?、潮汐和太陽能等發(fā)電方式。(2)變電與配電變電所的功能是接受電能、轉(zhuǎn)換電壓和分配電能
2025-06-22 12:30
【摘要】........目錄第1章電力電子器件 1第2章整流電路 4第3章直流斬波電路 20第4章交流電力控制電路和交交變頻電路 26第5章逆變電路 31第6章PWM控制技術(shù) 35第7章
2025-07-06 23:43
【摘要】第一章半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識自測題一、(1)√(2)×(3)√(4)×(5)√(6)×二、(1)A(2)C(3)C(4)B(5)AC三、UO1≈UO2=0UO3≈-UO4≈2VUO5≈UO6≈-2V四、
2024-11-14 11:36
【摘要】模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)第四版清華大學(xué)電子學(xué)教研組編童詩白華成英主編自測題與習(xí)題解答山東大學(xué)物理與微電子學(xué)院目錄第1章常用半導(dǎo)體器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3第2章基本放大電路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14第3章多級放大電路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31第4章集成運算放大電路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41第5章放
【摘要】模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)第1章常用半導(dǎo)體器件1選擇合適答案填入空內(nèi)。(l)在本征半導(dǎo)體中加入(A)元素可形成N型半導(dǎo)體,加入(C)元素可形成P型半導(dǎo)體。B.四價C.三價(2)當(dāng)溫度升高時,二極管的反向飽和電流將(A)。
2024-08-29 21:43
【摘要】模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)第1章常用半導(dǎo)體器件。(l)在本征半導(dǎo)體中加入(A)元素可形成N型半導(dǎo)體,加入(C)元素可形成P型半導(dǎo)體。(2)當(dāng)溫度升高時,二極管的反向飽和電流將(A)。(3)工作在放大區(qū)的某三極管,如果當(dāng)IB從12uA增大到22uA時,IC從
2024-08-28 18:47