電子元件與材料稿件修改規(guī)范-閱讀頁
2025-04-22 21:50本頁面
【正文】 給出原圖（或經(jīng)過計(jì)算機(jī)處理）。標(biāo)尺置于照片的右下角，圖中各分圖的序號(hào)置于左上角。（注：圖序號(hào)為全文連續(xù)編號(hào)，圖題為中英文對(duì)照，圖中文字和符號(hào)用英文表示，標(biāo)注應(yīng)與正文相同）驅(qū)躓髏彥浹綏譎飴憂錦。圖（）和（）分別為單晶硅片、及的光暗電導(dǎo)比（）和在偏壓下不同波長的響應(yīng)度（）。公式用 公式編輯器編輯，在工具欄“尺寸—“定義”內(nèi)選擇，標(biāo)準(zhǔn)磅，下標(biāo)磅，次下標(biāo)5磅，符號(hào)18磅，次符號(hào)12磅。貓蠆驢繪燈鮒誅髏貺廡。數(shù)理公式中，字符須分清正斜體。使用規(guī)定的量符號(hào)（必要時(shí)可加上下標(biāo)或括號(hào)注釋），不用英文縮寫?！浱?hào)具有“運(yùn)算”和“連式”的雙重作用。鍬籟饗逕瑣筆襖鷗婭薔嗚。分別制備了單晶硅片、多孔硅、多孔硅表面負(fù)載銀納米顆粒的，在 波長處制備的具有最高的光暗電導(dǎo)比，波長處制備的的光響應(yīng)度均高于單晶硅片以及制備的。構(gòu)氽頑黌碩飩薺齦話騖。參考文獻(xiàn)：[]孔慧. 單靶磁控濺射制備太陽能電池材料的研究[]. 上海: 華東師范大學(xué), .輒嶧陽檉籪癤網(wǎng)儂號(hào)澩。[] . [].[20XX0615]..堯側(cè)閆繭絳闕絢勵(lì)蜆贅。[] 高尚,裴蔣,田郭,等. 包埋納米粒子對(duì)金屬半導(dǎo)體金屬結(jié)構(gòu)紫外光電探測器性能的影響 []. 物理學(xué)報(bào), , (): .識(shí)饒鎂錕縊灩筧嚌儼淒。[]郭雨. 一種制備薄膜的方法及薄膜104319305A[]. 。[] , , , . [] . Germany: : .恥諤銪滅縈歡煬鞏鶩錦。[] , , , . []. , , (): .鯊腎鑰詘褳鉀溈懼統(tǒng)庫。參考文獻(xiàn)書寫以 —為基礎(chǔ)，有少許修正。中英文作者的姓名著錄格式統(tǒng)一為：姓（首字母大寫） 名（首字母大寫，縮寫），如： ，或 。著作格式要求可通過本刊官網(wǎng)下載（下載中心），上例為代表性參考文獻(xiàn)的著錄格式；注意參考文獻(xiàn)的標(biāo)識(shí)、責(zé)任者、頁碼等不能缺項(xiàng)。碩癘鄴頏謅攆檸攜驤蘞鷥
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