【正文】 4． 1 ADC0809 主要特性 1） 8路 8位 A／ D 轉(zhuǎn)換器，即分辨率 8位。 3）轉(zhuǎn)換時間為 100μ s 4）單個＋ 5V 電源供電 5）模擬輸入電壓范圍 0～＋ 5V，不需零點(diǎn)和滿刻度校準(zhǔn)。 內(nèi)部結(jié)構(gòu) ADC0809 是 CMOS 單片型逐次逼近式 A/D 轉(zhuǎn)換器，內(nèi)部結(jié)構(gòu)如圖 所示，它由 8 路模擬開關(guān)、地址鎖存與譯碼器、比 較器、 8位開關(guān)樹型 D/A轉(zhuǎn)換器、逐次逼近寄存器、三態(tài)輸出鎖存器等其他一些電路組成。輸入輸出與 TTL 兼容。下面說明各引腳功能。 21～ 28： 8位數(shù)字量輸出端。如表 所示。 START： A／ D轉(zhuǎn)換啟動信號，輸入，高電平有效。 OE：數(shù)據(jù)輸出允許信號，輸 入，高電平有效。 CLK：時鐘脈沖輸入端。 REF（ +）、 REF（ ）：基準(zhǔn)電壓。 GND：地。此地址經(jīng)譯碼選通 8 路模擬輸入之一到比較器。下降沿啟動 A／ D 轉(zhuǎn)換，之后 EOC 輸出信號變低，指示轉(zhuǎn)換正在進(jìn)行。當(dāng) OE 輸入高電平 時，輸出三態(tài)門打開，轉(zhuǎn)換結(jié)果的數(shù)字量輸出到數(shù)據(jù)總線上。片內(nèi)含 8kbtyes的可反復(fù)擦寫的 Flash只讀程序儲存器和 256bytes的隨即存取數(shù)據(jù)儲存器（ RAM），器件采用 ATMEL 公司高密度、非易失性儲存技術(shù)生產(chǎn)，與標(biāo)準(zhǔn) MCS51指令系統(tǒng)及8052 產(chǎn)品引腳兼容。 主要性能 與 MCS51單片機(jī)產(chǎn)品兼容 字節(jié)可重擦寫 Flash閃速存儲器 次擦寫周期 全靜態(tài)操作： 0Hz～ 24Hz 三級加密程序存儲器 256*8字節(jié)內(nèi)部 RAM 個可編程 I/O口線 三個 16位定時器 /計(jì)數(shù)器 八個中斷源 可編程串行 UART通道 低功耗空閑和掉電模式 引腳結(jié)構(gòu) 圖 AT89C52引腳圖 AT89C52提供以下標(biāo)準(zhǔn)功能： 8k字節(jié) Flash閃速存儲器， 256字節(jié)內(nèi)部 RAM，32個 I/O口線， 3個 16位定時 /計(jì)數(shù)器，一個 6向量兩級中斷結(jié)構(gòu)，一個全雙工串行通信口，片內(nèi)震蕩器及時鐘電路?？臻e方式停止 CPU的工作，但允 許 RAM，定時 /計(jì)數(shù)器，串行通信口及中斷系統(tǒng)繼續(xù)工作。 圖 89C52方框圖 引腳功能說明 VCC : 電源 GND: 地 P0 口： P0口是一個 8位漏極開路的雙向 I/O口。對 P0端口寫“ 1”時，引腳用作高阻抗輸入。在這種模式下， P0具 有內(nèi)部上拉電阻。程序校驗(yàn)時，需要外部上拉電阻。對 P1 端口寫“ 1”時，內(nèi)部上拉電阻把端口拉高，此時可以作為輸入口使用。 此外， /計(jì)數(shù)器 2的外部計(jì)數(shù)輸入（ ）和時器 /計(jì)數(shù)器 2的觸發(fā)輸入（ ），具 體如下表所示。 表 引腳號 第二功能 T2（定時器 /計(jì)數(shù)器 T2的外部計(jì)數(shù)輸入），時鐘輸出 T2EX（定時器 /計(jì)數(shù)器 T2的捕捉 /重載觸發(fā)信號和方向控制） MOSI（在系統(tǒng)編程用） MOSI（在系統(tǒng)編程用） SCK（在系統(tǒng)編程用） P2 口： P2 口是一個具有內(nèi)部上拉電阻的 8 位雙向 I/O 口， P2 輸出緩沖器能驅(qū)動4 個 TTL 邏輯電平。作為輸入使用時，被外部拉低的引腳由于內(nèi)部電阻的原因，將輸出電流（ IIL）。在這種應(yīng)用中， P2 口使用很強(qiáng)的內(nèi)部上拉發(fā)送 1。 在 flash編程和校驗(yàn)時， P2口也接收高 8位地址字節(jié)和一些控制信號。對 P3 端口寫“ 1”時，內(nèi)部上拉電阻把端口拉高，此時可以作為輸入口使用。 P3口亦作為 AT89C52特殊功能（第二功能）使用，如下表所示。 表 RST: 復(fù)位輸入。 RST 腳輸出 96個晶振周期的高電平。 DISRTO默認(rèn)狀態(tài)下，復(fù)位高電平有效。在 flash編程時，此引腳（ PROG）也用作編程輸入脈沖。然而，特別強(qiáng)調(diào)，在每次訪問外部數(shù)據(jù)存儲器時， ALE脈沖將會跳過。這一位置“ 1”， ALE僅在執(zhí)行 MOVX或 MOVC指令時有效。這個 ALE 使能標(biāo)志位（地址為 8EH的 SFR的第 0位）的設(shè)置對微控制器處于外部執(zhí)行模式下無效。 當(dāng) AT89C52從外部程序存儲器執(zhí)行外部代碼時， PSEN在每個機(jī)器周期被激活兩次，而在訪問外部數(shù)據(jù)存儲器時， PSEN將不被激活。為使能從 0000H 到 FFFFH的外部程序存儲器讀取指令， EA必須接 GND。 在 flash編程期間， EA也接收 12伏 VPP電壓。 XTAL2:振蕩器反相放大器的輸出端。 并不是所有的地址都被定義了。讀這些地址，一般將得到一個隨機(jī)數(shù)據(jù)；寫入的數(shù)據(jù)將會無效。由于這些寄存器在將來可能被賦予新的功能，復(fù)位后，這些位都為“ 0”。 中斷寄存器：各中斷允許位在 IE寄存器中，六個中斷源的兩個優(yōu)先級也可在 IE中設(shè)置。特殊寄存器 AUXR1 中 DPS＝ 0 選擇 DP0； DPS=1 選擇 DP1。 掉電標(biāo)志位：掉電標(biāo)志位（ POF）位于特殊寄存器 PCON的第四位（ ）。 POF可以軟件控制使用與否，但不受復(fù)位影響。外部程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器都可以 64K尋址。 對于 89C52，如果 EA 接 VCC，程序讀寫先從內(nèi)部存儲器（地址為 0000H～ 1FFFH）開始，接著從外部尋址，尋址地址為： 2020H~FFFFH。高 128 字節(jié)與特 殊功能寄存器重疊。 當(dāng)一條指令訪問高于 7FH 的地址時，尋址方式?jīng)Q定 CPU 訪問高 128 字節(jié) RAM 還是特殊功能寄存器空間。 例如，下面的直接尋址指令訪問 0A0H（ P2口）存儲單元。例如，下面的間接尋址方式中， R0 內(nèi)容為 0A0H，訪問的是地址 0A0H的寄存器，而不是 P2口（它的地址也是 0A0H）。因此，高 128字節(jié)數(shù)據(jù) RAM也可用于堆?？臻g。 定時器 2 定時器 2是一個 16位定時 /計(jì)數(shù)器，它既可以做定時器，又可以做事件計(jì)數(shù)器。工作模式由 T2CON中的相關(guān)位選擇。 在定時工作方式中，每個機(jī)器周期， TL2寄存器都會加 1。 表 定時器 2工作模式 RCLK+TCLK CP/RL2 TR2 MODE 0 0 1 16位自動重載 0 1 1 16位捕捉 1 1 波特率發(fā)生器 0 （不用） 在計(jì)數(shù)工作方式下，寄存器在相關(guān)外部輸入角 T2 發(fā)生 1 至 0 的下降沿時增加1。一個機(jī)器周期采樣到高電平，而下一個周期采樣到 低電平，計(jì)數(shù)器將加 1。因?yàn)樽R別 1－ 0的跳變需要 2個機(jī)器周期（ 24個晶振周期），所以，最大的計(jì)數(shù)頻率不高于晶振頻率的 1/24。 中斷 AT89C52 有 6個中斷源：兩個外部中斷（ INT0 和 INT1），三個定時中斷（定時器 0、 2）和一個串行中斷。 IE還包括一個中斷允許總控制位 EA，它能一次禁止所有中斷。對于 AT89S52， 。它們?yōu)?AT89系列新產(chǎn)品預(yù)留。程序進(jìn)入中斷服務(wù)后， 這些標(biāo)志位都可以由硬件清 0。 定時器 0和定時器 1標(biāo)志位 TF0 和 TF1在計(jì)數(shù)溢出的那個周期的 S5P2被置位。然而，定時器 2 的標(biāo)志位 TF2 在計(jì) 數(shù)溢出的那個周期的 S2P2被置位，在同一個周期被電路捕捉下來。石英晶體和陶瓷諧振器都可以用來一起構(gòu)成自激振蕩器。由于外部時鐘信號經(jīng)過二分頻觸發(fā)后作 為外部時鐘電路輸入的，所以對外部時鐘信號的占空比沒有其它要求，最長低電平持續(xù)時間和最少高電平持續(xù)時間等還是要符合要求的。 10PF 陶瓷諧振器 C1,C2=40PF177。這種狀態(tài)可以通過軟件產(chǎn)生。 空閑模式可以被任 一個中斷或硬件復(fù)位終止?？臻e模式被硬件復(fù)位終止后，為了防止預(yù)想不到的寫端口，激活空閑模式的那一條指令的下一條指令不應(yīng)該是寫端口或外部存儲器。片上 RAM和特殊功能寄存器保持原值，直到掉電模式終止。復(fù)位重新定義了 SFR 的值，但不改變片上 RAM 的值。 表 空閑模式和掉電模式下的外部引腳狀態(tài) 程序儲存器的加密 AT89C52有三個加密位不可 編程（ U）和可編程獲得下表所示的功能。如果器件復(fù)位，而沒有 復(fù)位，將鎖存一個隨機(jī)值，直到復(fù)位為止。 復(fù)位時， EA被采樣并鎖存，禁止對 Flash存儲器進(jìn)一步編程 3 P P U 除與方式 2功能相同外，同時禁止校驗(yàn) 4 P P P 除與方式 3相同外，同時禁止外部執(zhí)行 鎖存到的 EA值必須和這個引腳的當(dāng)前邏輯電平一致。編程接口需要一個高電壓（ 12V）編程使能信號，并且兼容常規(guī)的第三方 Flash或 EPROM編程器。 編程方法 對 AT89C52編程之前，需根據(jù) Flash編程模式表和對地址、數(shù)據(jù)和控制信號設(shè)置。字節(jié)寫周期時自身定制的，典型值僅僅 50us。 圖 編程電路 圖 校驗(yàn)電路 第 五 章 畢業(yè)設(shè)計(jì)總結(jié) 大學(xué)四年生活的最后一個學(xué)期即將結(jié)束，這也代表著整個大學(xué)生活即將離我遠(yuǎn)去。 回顧這個畢業(yè)設(shè)計(jì)的整個階段，我感覺前所未有的滿足感。經(jīng)過此過程，知識的應(yīng)用、鞏固和提高 ， 讓我能夠把所學(xué)同 實(shí)際應(yīng)用 相結(jié)合。 在這個漫長的畢業(yè)設(shè)計(jì)過程中， 當(dāng)然有挫折，有失敗，但正是這種經(jīng)歷使我一步步積累了寶貴的經(jīng)驗(yàn)。只有這樣，你才能在辦事當(dāng)中體會樂趣；也只有這樣，你才能在一個良好的心態(tài)下取得進(jìn)步。古人云：驕兵必?cái)　Ｒ虼?，在畢業(yè)設(shè)計(jì)的過程中，我始終保持著一顆謙虛的心。 ，發(fā)揮主觀能動性 在畢業(yè)設(shè)計(jì)過程中，我從和指導(dǎo)老師和同學(xué)們的交流中不斷的吸取經(jīng)驗(yàn)，并且不斷的對這些東西進(jìn)行總結(jié)和分析，用自己的想法和思路來完成對問題的理解 。在畢業(yè)設(shè)計(jì)開始階段， 曾猛打精神。直到最后階段才不得不倉促完成畢業(yè)設(shè)計(jì)。 也許畢業(yè)設(shè)計(jì)是我人生中作為學(xué)生的最后一次作業(yè)，不過它教會了我很多，很多。 總之，向著自己的目標(biāo)前進(jìn)，充實(shí)的過好每一天，只要無悔，便是成功。人在不同的時期會有不同的觀點(diǎn)和想法，但這只是形式上的改變，其基礎(chǔ)卻已深深扎根于思維深處，是再難改變的。 附錄 附錄一 簡易數(shù)字電壓表的單片機(jī)控制源程序 ； ********************** ； * 簡易數(shù)字電壓表 * ； ********************** ；測量電壓最大為 5V，顯示最大值為 ； 70H~77H 存放采樣值， 78H~7BH 存放顯示數(shù)據(jù)，依次為個位，十位，百位，通道標(biāo)示位 ； 作單路顯示 — 循環(huán)顯示轉(zhuǎn)換按鍵用， 作單路顯示時選擇通道按鍵用。 TUNBCD： MOV A,R0 ； 255/51= 運(yùn)算 MOV B,51 DIV AB MOV 7AH,A ；個位放入 7AH MOV A,B ；余數(shù)大于 19H， F0為 1，乘法溢出，結(jié)果加 5 CLR F0 SUBB A,1AH MOV F0,C MOV A,10 MUL AB MOV B,51 DIV AB JB F0,LOOP2 ADD A,5 LOOP2: MOV 79H,A ；小數(shù)后第一位放入 79H MOV A,B CLR F0 SUBB A,1AH MOV F0,C MOV A,10 MUL AB MOV B,51 DIV AB JB F0,LOOP3 ADD A,5 LOOP3: MOV 78H,A ；小數(shù)后第 2 位放入 78H RET ； ； ********************** ； * 顯示子程序 * ； ********************** ；共陽顯示子程序，顯示內(nèi)存在 78H~7BH ； DISP: MOV R1,78H