【正文】 n the Flash array can be written and the entire array can be erased by using the appropriate bination of control signals. The write operation cycle is selftimed and once initiated, will automatically time itself to pletion. 中文翻譯 描述 at89s52 是美國 ATMEL 公司生產(chǎn)的低電壓，高性能 CMOS8 位單片機(jī)，片內(nèi)含 4Kbytes 的快速可擦寫的只讀程序存儲(chǔ)器（ PEROM）和 128 bytes 的隨機(jī)存取數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器（ RAM），器件采用 ATMEL 公司的高密度、非易失性存儲(chǔ)技術(shù)生產(chǎn)，兼容標(biāo)準(zhǔn) MCS51 產(chǎn)品指令系統(tǒng)，片內(nèi)置通用 8 位中央處理器（ CPU）和 flish 存儲(chǔ)單元，功能強(qiáng)大 at89s52 單片機(jī)可為您提供許多高性價(jià)比的應(yīng)用場合，可靈活應(yīng)用于各種控制領(lǐng)域。 主要性能參數(shù)： 與 MCS51 產(chǎn)品指令系統(tǒng)完全兼容 4K 字節(jié)可重復(fù)寫 flash 閃速存儲(chǔ)器 1000 次擦寫周期 全靜態(tài)操作： 0HZ－ 24MHZ 三級加密程序存儲(chǔ)器 128*8 字節(jié)內(nèi)部 RAM 32 個(gè)可編程 I/O 口 2 個(gè) 16 位定時(shí)／計(jì)數(shù)器 6 個(gè)中斷源 可編程串行 UART 通道 低功耗空閑和掉電模式 功能特性概述 AT89S52 提供以下標(biāo)準(zhǔn)功能： 4K 字節(jié) flish 閃速存儲(chǔ)器， 128 字節(jié)內(nèi)部 RAM， 32個(gè) I/O 口線，兩個(gè) 16 位定時(shí)／計(jì)數(shù)器，一個(gè) 5向量兩級中斷結(jié)構(gòu)，一個(gè)全雙工串行通信口，片內(nèi)振蕩器及時(shí)鐘電路。 空閑方式停止 CPU 的工作，但允許 RAM，定時(shí)／計(jì)數(shù)器，串行通信口及中斷系統(tǒng)繼續(xù)工作。 方框圖 引腳功能說明 Vcc：電源電壓 GND：地 P0 口： P0 口是一組 8 位漏極開路型雙向 I/O 口，也即地址 /數(shù)據(jù)總線復(fù)位口。 在訪問外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器或程序存儲(chǔ)器時(shí)，這組口線分時(shí)轉(zhuǎn)換地址（低 8位）和數(shù)據(jù)總線復(fù)用，在訪問期間激活內(nèi)部上拉 電阻。對端口寫“ 1”，通過內(nèi)部的上拉電阻把端口拉到高電平，此時(shí)可做熟出口。 P2 口： P2 是一個(gè)帶有內(nèi)部上拉電阻的 8位雙向 I/O 口， P2 的輸出緩沖級可驅(qū)動(dòng)（吸收或輸出電流） 4 個(gè) TTL 邏輯門電路。 在訪問外部程序存儲(chǔ)器獲 16 位地址的外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器（例如執(zhí)行 MOVX DPTR 指令）時(shí)， P2 口送出高 8 位地址數(shù)據(jù)。 Flash 編程或校驗(yàn)時(shí)， P2亦接受高地址和其它控制信號(hào)。 P3口輸出緩沖級可驅(qū)動(dòng)（ 吸收或輸出電流） 4 個(gè) TTL 邏輯門電路。做輸出端時(shí)，被外部拉低的 P3口將用上拉電阻輸出電流（ Iil）。 RST：復(fù)位輸入。 端口引腳 第二功能 rxd (串行輸入口 ) txd (串行輸出口 ) ^int0 (外中斷 0) ^int1 (外中斷 1) t0 (定時(shí) /計(jì)數(shù)器 0) t1 (定時(shí) /計(jì)數(shù)器 1) ^WR (外部數(shù) 據(jù)存儲(chǔ)器寫選通 ) ^RD (外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器讀選通 ) ALE/PROG：當(dāng)訪問外部程序存儲(chǔ)器或數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器時(shí)， ALE（地址所存允許）輸出脈沖用于所存地址的低 8 位字節(jié)。要注意的是：每當(dāng)訪問外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器時(shí)將跳過一個(gè) ALE 脈沖。 如有不要，可通過對特殊功能寄存器（ SFR）區(qū)中的 8EH 單元的 D0位置位，可禁止 ALE 操作。此外，該引腳會(huì)被微弱拉高，單片機(jī)執(zhí)行外部程序時(shí)，應(yīng)設(shè)置 ALE 無效。在此期間，當(dāng)訪問外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器，這兩次有效的 ^PSEN 信號(hào)不出現(xiàn)。欲使 CPU 僅訪問外部程序存儲(chǔ)器（地址為0000HFFFFH）， EA端必須保持低電平（接地）。 如果加密位 LB1 被編程，復(fù)位時(shí)內(nèi)部會(huì)鎖存 EA 端狀態(tài)。 Flash 存儲(chǔ)器編程時(shí)，該引腳加上 +12V 的編程允許電源 VPP，當(dāng)然這必須是該器件是使用 12V 編程電壓 VPP. XTAL1: 振蕩器反相放大器的及內(nèi)部時(shí)鐘發(fā)生器的輸出端。 時(shí)鐘振蕩器 ： at89s52 中有一個(gè)用于構(gòu)成內(nèi)部振蕩器的高增益反相放大器，引腳XTAL1 和 XTAL2 分別是該放大器的輸入端和輸出端。 外接石英晶體（或陶瓷諧振器）及電容 C C2 接在放大器的反饋回路中構(gòu)成并聯(lián)振蕩電路。 用戶也可以采用外部時(shí)鐘。這種情況下，外部時(shí)鐘脈沖接到 XTAL1 端，即內(nèi)部時(shí)鐘發(fā)生器的輸入端，XTAL2 則懸空 由于外部時(shí)鐘信號(hào)是通過一個(gè) 2 分頻觸發(fā)器后作為內(nèi)部時(shí)鐘信號(hào)的，所以對外部時(shí)鐘信號(hào)的占空比沒有特殊 要求，但最小高電平持續(xù)時(shí)間和最大的低電平持續(xù)時(shí)間應(yīng)符合產(chǎn)品技術(shù)要求。此時(shí)，片內(nèi) RAM 和所有特殊功能寄存器的內(nèi)容保持不變。 終止空閑工作模式的方法有兩種，其一是任何一條被允許中斷的事件被激活，即可終止空閑工作模式。其二是通 過硬件復(fù)位也可將空閑工作模式終止，需要注意的是，當(dāng)由硬件復(fù)位來終止空閑模式時(shí)， CPU 通常是從激活空閑模式那條指令的下一條指令開始繼續(xù)執(zhí)行程序的，要完成內(nèi)部復(fù)位操作，硬件復(fù)位脈沖要保持兩個(gè)機(jī)器周期（ 24 個(gè)時(shí)鐘周期）有效，在這種情況下，內(nèi)部禁止 CPU 訪問片內(nèi) RAM，而允許訪問其它端口。 空閑和掉電模式外部引腳狀態(tài) 模式 程序存儲(chǔ)器 ALE ^PSEN PORT0 PORT1 PORT2 PORT3 空閑模式 內(nèi)部 1 1 數(shù)據(jù) 數(shù)據(jù) 數(shù)據(jù) 數(shù)據(jù) 空閑模式 外部 1 1 浮空 數(shù)據(jù) 數(shù)據(jù) 數(shù)據(jù) 掉電模式 內(nèi)部 0 0 數(shù)據(jù) 數(shù)據(jù) 數(shù)據(jù) 數(shù)據(jù) 掉電模式 外部 0 0 浮空 數(shù)據(jù) 數(shù)據(jù) 數(shù)據(jù) 掉電模式 : 在掉電模式下，震蕩器停止工作，進(jìn)入掉電模式的指令是最后一條被執(zhí)行的指令，片內(nèi) RAM 和特殊功能寄存器的內(nèi)容在終止掉電模式前被凍結(jié)。 程序存儲(chǔ)器的加密 ： AT89S52 可使用對芯片上的 3個(gè)加密位進(jìn)行編程（ P）或不編程（ U）來得到如下表所示的功能： 加密位保護(hù)功能表 程序加密位 保護(hù)類型 LB1 LB2 LB3 1 U U U 沒有程序保護(hù)功能 2 P U U 禁止從外部程序存儲(chǔ)器中執(zhí)行 MOVC 指令讀取內(nèi)部程序存儲(chǔ)器的內(nèi)容 3 P P U 除上表功能外，還禁止程序校驗(yàn) 4 P P P 除以上功能外，同時(shí)禁止外部執(zhí)行 當(dāng)加密位 LB1 被編程時(shí)，在復(fù)位期間， EA 端的邏輯電平被采樣并鎖存，如果單片機(jī)上電后一直沒 有復(fù)位，則鎖存起的初始值是一個(gè)隨機(jī)數(shù)，且這個(gè)隨機(jī)數(shù)會(huì)一直保持到真正復(fù)位為止。此外，加密位只能通過整片擦除的方法清除。編程接口可接收高電平（ +12V）或低電平（ VCC）的允許編程信號(hào)，低電平編程模式適合于用戶再線編程系統(tǒng)，而高電平編程模式可與通用 EPROM 編程器兼容。 Vpp=12v Vpp=5v 芯片頂面標(biāo)識(shí) at89s52 xxxx yyww at89s52 xxxx5 yyww 簽名字節(jié) (030H)=1EH (031H)=51H (032H)=FFH (030H)=1EH (031H)=51H (032H)=05H AT89S52 的程序存儲(chǔ)器陣列是采用字節(jié)寫入方式編程的，每次寫入一 個(gè)字節(jié)，要對整個(gè)芯片內(nèi)的 PEROM 程序存儲(chǔ)器寫入一個(gè)非空字節(jié)，必須使用片擦除的方式將整個(gè)存儲(chǔ)器的內(nèi)容清除。 2． 在數(shù)據(jù)線上加上要寫入的數(shù)據(jù)字節(jié)。 4． 在高電壓編程方式時(shí)，將 ^EA/VPP 端加上 +12V 編程電壓。每個(gè)字節(jié)寫入周期是自身定時(shí)地，通常約為 。寫周期完成后，有效的數(shù)據(jù)就會(huì)出現(xiàn)在所有輸出端上，此時(shí)，可進(jìn)入下一個(gè)字節(jié)的寫周期，寫周期開始后，可在任意時(shí)刻進(jìn)行數(shù)據(jù)查詢。編程完成后， 變?yōu)楦唠娖奖硎緶?zhǔn)備就緒狀態(tài)。加密位不可能直接變化。 芯片擦除 ：利用控制信號(hào)的正確組合（表 1）并保持 ALE/^PROG 引腳 10ms 的低電平脈沖寬度即可將 PEROM 陣列（ 4k字節(jié)）整片擦除，代碼陣列在擦除操作中將任何非空單元寫入“ 1”，這步驟需要再編程之前進(jìn)行。用于聲明該器件的廠商、型號(hào)和編程電壓。 （ 031H） =51H 聲明為 at89s52 單片機(jī)。 （ 032H） =05H 聲明為 5V編程電壓。