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正文內(nèi)容

單片機(jī)畢業(yè)設(shè)計(jì)外文翻譯單片機(jī)at89c51-單片機(jī)-閱讀頁(yè)

2025-02-08 08:00本頁(yè)面
  

【正文】 八路智能搶答器的設(shè)計(jì) 第 8頁(yè) 共 13頁(yè) AT89C51 主要性能參數(shù): ? 與 MCS51 產(chǎn)品指令系統(tǒng)完全兼容 ? 4K 字節(jié)可重檫寫(xiě) Flash 閃速存儲(chǔ)器 ? 1000 次檫寫(xiě)周期 ? 全靜態(tài)操作: 0HZ24MHZ ? 三級(jí)加密程序存儲(chǔ)器 ? 128*8 字節(jié)內(nèi)部 RAM ? 32 個(gè)可編程 I/O 口線 ? 2 個(gè) 16 位定時(shí) /記數(shù)器 ? 6 個(gè)中斷源 ? 可編程串行 UART 通道 ? 低功耗空閑和掉電模式 功能特性概述: AT89C51 提供以下標(biāo)準(zhǔn)功能: 4K字節(jié) Flash 閃速存儲(chǔ)器, 128 字節(jié)內(nèi)部 RAM, 32 個(gè)I/O 口線,兩個(gè) 16位定時(shí) /記數(shù)器,一個(gè) 5向量?jī)杉?jí)中斷結(jié)構(gòu),一個(gè)全雙工串行通信口,片內(nèi)振蕩器及時(shí)鐘電路。同時(shí), AT89C51 可降至 0HZ 的靜態(tài)邏輯操作,并支持兩種軟件可選的節(jié)電工作模式。掉電方式保存 RAM 中的內(nèi)容,但振蕩器停止工作直到下一個(gè)硬件復(fù)位。 第 9頁(yè) 共 13頁(yè) 引腳功能說(shuō)明 GND:地 作為輸出口用時(shí),每位能吸收電流的方式驅(qū)動(dòng) 8個(gè) TTL邏輯門電路,對(duì)端口寫(xiě)“ 1”可作為高阻抗輸入端用。在 FIash編程時(shí), P0口接收指令字節(jié),而在程序校驗(yàn)時(shí),輸出指令字節(jié),校驗(yàn)時(shí),要求外接上拉電阻。 P1口: P1是一個(gè)帶內(nèi)部上拉電阻的 8位雙向 I/ O口, P1的輸出緩沖級(jí)可驅(qū)動(dòng)(吸收或輸出電流) 4個(gè) TTL邏輯門電路。作輸入口使用時(shí),因?yàn)閮?nèi)部存在上拉電阻,某個(gè)引腳被外部信號(hào)拉低時(shí)會(huì)輸出一個(gè)電流( IIL)。 對(duì)端口 寫(xiě)“ 1”,通過(guò)內(nèi)部的上拉電阻把端口拉到高電平,此時(shí)可作輸入口,作輸入口使用時(shí),因?yàn)閮?nèi)部存在上拉電阻,某個(gè)引腳被外部信號(hào)拉低時(shí)會(huì)輸出一個(gè)電流( IIL)。在訪問(wèn) 8 位地址的外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器(如執(zhí)行 MOVXRI 指令)時(shí), P2 口線上的內(nèi)容(也即特殊功能寄存器( SFR)區(qū)中 R2寄存器的內(nèi)容),在整個(gè)訪問(wèn)期間不改變。 P3口: P3口是一組帶有內(nèi)部上 拉電阻的 8 位雙向 I/ O 口。對(duì) P3 口寫(xiě)入“ 1”時(shí),它們被內(nèi)部上拉電阻拉高并可作為輸入端口。 P3 口除了作為一般的 I/ O口線外,更重要的用途是它的第二功能,如下表所示: RXD(串行輸入口) TXD(串行輸出口) INT0(外中斷 0) INT1(外中斷 1) T0(定時(shí) /計(jì)數(shù)器 0外部輸入) T1(定時(shí) /計(jì) 數(shù)器 1外部輸入) WR(外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器寫(xiě)選通) RD(外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器讀選通) P3口還接收一些用于 Flash閃速存儲(chǔ)器編程和程序校驗(yàn)的控制信號(hào)。 RST: 復(fù)位輸入。 即使不訪問(wèn)外部存儲(chǔ)器, ALE 仍以時(shí)鐘振蕩頻率的 l/ 6 輸出固定的正脈沖信號(hào),因此它可對(duì)外輸出時(shí)鐘或用于定時(shí)目的。對(duì) Flash存儲(chǔ)器編程期間,該引腳還用于輸入編程脈沖( PROG)。該位置位后,只有一條 MOVX和 MOVC指令 ALE才會(huì)被激活。 在此期間,當(dāng)訪 問(wèn)外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器,這兩次有效的 PSEN信號(hào)出現(xiàn)。 EA/ VPP: 外部訪問(wèn)允許。需注意的是:如果加密位 LB1被編程,復(fù)位時(shí)內(nèi)部會(huì)鎖存 EA端狀態(tài)。 Flash存儲(chǔ)器編程時(shí),該引腳加上 +12V的編程允許電源 Vpp,當(dāng)然這必須是該器件是使用 12V編程電壓 Vpp。 XTAL1: 振蕩器反相放大器的及內(nèi)部時(shí)鐘發(fā)生器的輸入端。 XTAL2: 振蕩器反相放大器的輸 出端。時(shí)鐘振蕩器: AT89C5l 中有一個(gè)用于構(gòu)成內(nèi)部振蕩器的高增益反相放大器,引腳 XTAL1 和 XTAL2 分別是該放大器的輸入端和輸出端。外接石英晶體(或陶瓷諧振器)及電容 C C2接在放大器的反饋回路中構(gòu)成并聯(lián)振蕩電路。 10pF,而如使用陶瓷諧振器建議選擇 40pF177。用戶也可以采用外部時(shí)鐘。這種情況下,外部時(shí)鐘脈沖接到 XTAL1端,即內(nèi)部時(shí)鐘發(fā)生器的輸入端,XTAL2則懸空。 10pF 陶瓷濾波器: C1, C2= 40pF177。 這兩種方式是控制專用寄存器 PCON(即電源控制寄存器)中的 PD( )和 IDL( )位來(lái)實(shí)現(xiàn)的。 IDL是空閑等待方式,當(dāng) IDL=1,激活空閑工作模式,單片機(jī)進(jìn)入睡眠狀態(tài)。在空閑工作模式狀態(tài),CPU保持睡眠狀態(tài)而所有片內(nèi)的外設(shè)仍保持激活狀態(tài),這種方式 由軟件產(chǎn)生??臻e模式可由任何允許的中斷請(qǐng)求或硬件復(fù)位終止。程序會(huì)首先響應(yīng)中斷,進(jìn)入中斷服務(wù)程序,執(zhí)行完中斷服務(wù)程序并緊隨 RETI(中斷返回)指令后,下一條要執(zhí)行的指令就是使單片機(jī)進(jìn)入空閑模式那條指令后面的一條指令。需要注意的是,當(dāng)由硬件復(fù)位來(lái)終止空閑工作模式時(shí), CPU 通常是從激活空閑模式那條 指令的下一條指令開(kāi)始繼續(xù)執(zhí)行程序的,要完成內(nèi)部復(fù)位操作,硬件復(fù)位脈沖要保持兩個(gè)機(jī)器周期( 24個(gè)時(shí)鐘周期)有效,在這種情況下,內(nèi)部禁止 CPU訪問(wèn)片內(nèi) RAM,而允許訪問(wèn)其它端口。 退出掉電模式的唯一方法是硬件復(fù)位,復(fù)位后將重新定義全部特殊功能寄存器但不改變 RAM中的內(nèi) 容,在 Vcc恢復(fù)到正常工作電平前,復(fù)位應(yīng)無(wú)效,且必須保持一定時(shí)間以使振蕩器重啟動(dòng)并穩(wěn)定工作。程序存儲(chǔ)器的加密: AT89C51 可使用對(duì)芯片上的 3 個(gè)加密位 LB LB LB3 進(jìn)行編程( P)或不編程( U)來(lái)得到如下表所示的功能加密位保護(hù)功能表: 當(dāng)加密位 LB1 被編程時(shí),在復(fù)位期間, EA端的邏輯電平被采樣并鎖存,如果單片機(jī)上電后一直沒(méi)有復(fù)位,則鎖存起的初始值是一個(gè)隨機(jī)數(shù),且這個(gè)隨機(jī)數(shù)會(huì)一直保存到真第 13頁(yè) 共 13頁(yè) 正復(fù)位為止。此外,加密位只能通 過(guò)整片擦除的方法清除。 Flash閃速存儲(chǔ)器的編程: AT89C51 單片機(jī)內(nèi)部有 4k 字節(jié)的 Flash PEROM,這個(gè) Flash 存儲(chǔ)陣列出廠時(shí)已處于擦除狀態(tài)(即所有存儲(chǔ)單元的內(nèi)容均為 FFH),用戶隨時(shí)可對(duì)其進(jìn)行編程。低電壓編程模式適合于用戶在線編程系統(tǒng),而高電壓編程模式可與通用 EPROM編程器兼容。 AT89C51的程序存儲(chǔ)器陣列是采用字節(jié)寫(xiě)入方式編程的,每次寫(xiě)入一個(gè)字節(jié),要對(duì)整個(gè)芯片內(nèi)的 PEROM程序存儲(chǔ)器寫(xiě)入一個(gè)非空字節(jié),必須使用片擦除的方式將整個(gè)存儲(chǔ)器的內(nèi)容
點(diǎn)擊復(fù)制文檔內(nèi)容
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