【正文】 輸入輸出電平 和 TTL/CMOS 具有較好的兼容性 ； 一般功耗僅為 15mW； 8P、 14P— DIP（雙列直插）、 PICC 多種封裝； 取樣 — 保持 n 位 D A C 控制邏輯 + + C 時(shí)鐘源 Q n 1 Q n 2 Q n 3 … Q 2 Q 1 Q 0 逐位逼近寄存器 （ S A R ） 輸出寄存器 轉(zhuǎn)換控 制信號(hào) 模擬輸入 u 1 u 1 ’ 偏移電壓 u 0 ’ u 0 － Δ /2 U RE F 比較器 U C CP U S d n 1 ( M S B ) d n 2 … n 位并行 d 2 數(shù)字輸出 d 1 d 0 (L SB ) 13 芯片頂視圖如圖 ： 圖 ADC0832芯片頂視圖 芯片接口說明： CS_ 片選信號(hào)，低電平有效 。 CH1 模擬輸入通道 1。 DI 信號(hào)輸入 ，選擇 控制。 CLK 時(shí)鐘輸入 端 。 ADC0832 與單片機(jī)的接口電路如圖 ： 14 圖 ADC0832接口電路 單片機(jī)對(duì) ADC0832 的控制原理： 一般情況下， ADC0832通過四條數(shù)據(jù)線與單片機(jī)相聯(lián)，如上圖所示，由于 DO與 DI不同進(jìn)與單片機(jī)進(jìn)行通信，固可接到同一管腳上。與此同時(shí)， CLK端接收時(shí)鐘信號(hào)，芯片在時(shí)鐘信號(hào)與指令的控制下進(jìn)行 A/D的采集與轉(zhuǎn)換工作。 15 表 ADC0832各端口功能介紹 詳細(xì)的時(shí)序說明請(qǐng)見圖 。一般微型 電路正常工作 時(shí)， 需要供電電源為 5V177。由于微機(jī)電路 都是時(shí)序數(shù)字電路，因此需要穩(wěn)定的時(shí)鐘信號(hào)， 在電源上電時(shí)， 在 只有當(dāng) VCC 超過 且 低于 ，以及晶振穩(wěn)定工作的情況下 ，復(fù)位信號(hào)才 會(huì) 被撤除，微機(jī)電路 才能 開始正常工作。 89 系列 的單片機(jī)， 復(fù)位信號(hào)是從 RST 端 輸入到 芯片 內(nèi)部 的施密特 觸發(fā)器 中。 一般 單片機(jī)系統(tǒng)的復(fù)位方式有 兩種 ：手動(dòng)按鈕復(fù)位 方式 和上電復(fù)位 方式 。一般采用的方 法是在 RST 和正 電源 Vcc 之間 ，接一個(gè)按鈕， 當(dāng)人為 地按下按鈕時(shí)，此時(shí) Vcc 的電平就會(huì)直接加到 RST 端。 上電復(fù)位 由于單片機(jī) RST 端的內(nèi)部有一個(gè)下拉電阻，從而可以選用此下拉電阻實(shí)現(xiàn)復(fù)位功能，此時(shí)可以去掉外接電阻，外接電容為 10PF 左右。因此 RST 端的高電平的持續(xù)時(shí)間主要取決于電源對(duì)外接電容的充電時(shí)間，即取決于外接晶振的大小。 積分型上電復(fù)位 單片機(jī) 上電后，由于 其對(duì) 電容的充電和 其中內(nèi)部 反相門的作用， 會(huì) 使 RST 端 持 18 續(xù)一段時(shí)間的高電平 狀態(tài)。 二、復(fù)位電路設(shè)計(jì) 當(dāng)在 單片機(jī)運(yùn)行過程中， 由于其本身的干擾或外界干擾而導(dǎo)致出錯(cuò)，為了便于復(fù) 位， 此時(shí)我們可按復(fù)位 鍵重新開始運(yùn)行。按鍵復(fù)位 的 電路 圖 如圖 41 所示： 圖 復(fù)位電路圖 第二節(jié) 時(shí)鐘電路模塊設(shè)計(jì) 一、 時(shí)鐘電路介紹 時(shí)鐘電路的作用是 產(chǎn)生 MCS51 單片機(jī) 在工作時(shí)所必需 的時(shí)鐘控制信號(hào)，單片機(jī)的內(nèi)部電路 必須要 在時(shí)鐘信號(hào)的控制下， 才能 嚴(yán)格的執(zhí)行 相關(guān) 指令進(jìn)行 正常 工作。 時(shí)鐘電路的設(shè)計(jì)主要有以下兩種方式： １、外部時(shí)鐘方式 外部時(shí)鐘方式是指使用外部振蕩器產(chǎn)生 脈沖信號(hào)， 一般多用 于多片單片機(jī)同時(shí)工作 時(shí)， 便于多片單片機(jī) 時(shí)鐘 的同步，一般 情況下 為低于 12 MHz 的方波，常見的 89C51 19 單片機(jī) 外部時(shí)鐘 的方式接法如下：外部時(shí)鐘源 連接到 XTAL1 端， XTAL2 端懸空 。因此，要構(gòu)成自激式振蕩器只需將這兩個(gè)引腳跨接石英晶體振蕩器和微調(diào)電容便可。 圖 內(nèi)部時(shí)鐘電路 上述 電路中的電容 C1 和 C2 值 一般 取為 30pF 左右，雖然對(duì)于外接電容值沒有嚴(yán)格要求，但電 容的大小 將 會(huì) 直接 影響 晶振 頻率的高低， 以及振蕩器的穩(wěn)定性與起振的 XTAL2 XTAL1 GND 20 速度。為了減少寄生電容，晶振和電容在安裝時(shí)應(yīng)盡量靠近單片機(jī)。隨著集成電路制造 技術(shù) 的 不斷發(fā)展，單片機(jī)的 時(shí)鐘頻率也在逐步 地 提高， 二、 時(shí)鐘電路設(shè)計(jì) 時(shí)鐘電路是單片機(jī)的命脈，它直接關(guān)系著單片機(jī)的工作效率 。 AT89C51 內(nèi)部有一個(gè)反相振蕩放大器， XTAL1 的其輸入端， XTAL2 是其輸出端。本設(shè)計(jì)選用用的晶振頻率 圖４ .4 時(shí)鐘電路圖 為 12MHZ。相應(yīng)電路 如 圖 所示： 21 圖 A/D 轉(zhuǎn)換電路 A/D 轉(zhuǎn)換模塊相關(guān)程序設(shè)計(jì)如下 : uchar Get_AD_Result() { uchar i,dat1=0,dat2=0。 CLK=0。 _nop_()。 CLK=1。 _nop_()。 DIO=1。_nop_()。 _nop_()。 //第二個(gè)下降延之前，設(shè) DI＝ 0/1,選擇 CH0/CH1 CLK=0。 _nop_()。 CLK=1。 _nop_()。 //第三個(gè)下降延之前，設(shè) DI＝ 1； CLK=0。 _nop_()。 //設(shè)第 411,共 8 個(gè)下降延讀數(shù)據(jù)（ MSBLSB) for(i=0。i++) { CLK=1。 _nop_()。 _nop_()。 dat1=dat11|DIO。i8。 CLK=1。 _nop_()。 _nop_()。 } CS=1。 return(dat1==dat2) ? dat1:0。其電路如 圖 所 示： 圖 LED 顯示電路 相關(guān)程序設(shè)計(jì)如下： /*************************LCD 忙狀態(tài)檢測 ************************/ bit LCD_Busy_Check() { bit result。 RW=1。 delay4us()。0x80)。 return result。 //LCD 忙狀態(tài)檢測 RS=0。 E=0。 _nop_()。 delay4us()。 delay4us()。 } /********************設(shè)置 LCD 顯示位置 *********************/ void Set_Disp_Pos(uchar pos) { LCD_Write_Command(pos|0x80)。 //LCD 忙狀態(tài)檢測 RS=1。 E=0。 delay4us()。 delay4us()。 } /******************LCD 初始化 **********************/ void LCD_Initialise() { LCD_Write_Command(0x38)。 LCD_Write_Command(0x0C)。 LCD_Write_Command(0x06)。 LCD_Write_Command(0x01)。 } 25 第五章 硬件仿真實(shí)驗(yàn) 為了驗(yàn)證本設(shè)計(jì)的合理性與有效性，運(yùn)用 PROTRES 軟件對(duì)其進(jìn)行硬件仿真，仿真電路圖設(shè)計(jì)如圖 所示： 圖 仿真電路圖 運(yùn)行仿真電路，觀察電壓表示數(shù)與 LCD1602 液晶顯示的示數(shù)是否一致。為了滿足現(xiàn)在社會(huì)飛速發(fā)展的技術(shù)要求，傳感器領(lǐng)域也在不斷進(jìn)行著革新與發(fā)展，以更好適應(yīng)現(xiàn)代各行業(yè)的需求。由此，可以得到以下結(jié)論：采集到的數(shù)據(jù)與真實(shí)數(shù)據(jù)基本相同。 由于本人的知識(shí)水平有限，不足之處請(qǐng)各位老師指正。首先我要感謝我的導(dǎo)師郭曉金老師，他在我完成論文的過程中，給予了我很大的幫助。在設(shè)計(jì)過程中郭老師不但指出了我的設(shè)計(jì)中的不少錯(cuò)誤提出了很多改進(jìn)的好意見，同時(shí)還在以后我們該做人做學(xué)問這個(gè)問題上給我們很多好的意見。畢業(yè)設(shè)計(jì)是對(duì)大學(xué)四年所學(xué)知識(shí)的一次綜合性檢測， 在設(shè)計(jì)的過程中，我學(xué)會(huì)有針對(duì)性的查一些需要的中英 文資料，并對(duì)傳感器理論、單片機(jī)理論、電子電工技術(shù)等方面的知識(shí)進(jìn)行了系統(tǒng)的學(xué)習(xí)，在鞏固了專業(yè)知識(shí)同時(shí)也學(xué)會(huì)了很多新的東西，了解了很多前沿學(xué)科的知識(shí)。 這次論文的經(jīng)歷讓我懂得了做學(xué)問應(yīng)有的嚴(yán)謹(jǐn)、一絲不茍的態(tài)度，對(duì)我以后的人生發(fā)展有著很大的幫助作用。 process three parts, namely sensor technology, munication, puter technology. Because of ultra large scale integrated circuit’s rapid development after having been developed, Modern puter technology and munication, not only requests sensor precision, reliability, speed of response and gain information content request more and more high, but also requests its cost to be inexpensive. The obvious traditional sensor is eliminated gradually because of the function, the characteristic, the volume, the cost and so on. As world develop many countries are speeding up to the sensor new technology’s research and the development, and all has obtained the enormous breakthrough. Now the sensor new technology development, mainly has following several aspects: Firstly, discovering and using Using the physical phenomenon, the chemical reaction, and the biological effect as the sensor principle therefore the researches, which discovered the new phenomenon and the new effect, are the sensor technological improving ways. It is important studies to develop new sensors the foundation. Japanese Sharp Corporation uses the superconductivity technology to develop successfully the high temperature 30 superconductivity magic sensor and get the sensor technology significant breakthrough. Its sensitivity is so high and only inferior in the superconductivity quantum interference ponent. Its manufacture craft is far simpler than the superconductivity quantum interference ponent. May use in magism image formation technology. So it has the widespread promoted value. Using the immune body and the antigen meets one another pound when the electrode surface. It can cause the electrode potential change and use this phenomenon to be possible to generate the immunity sensor. The immunity sensor makes with this kind of immune body may to some anism in whether has this kind of anti original work inspection. Like may inspect somebody with the hepatitis virus immune body whether contracts the hepatitis, plays to is fas