【正文】 %；單晶硅的產(chǎn)量不足世界總產(chǎn)量的 3%。目前，中國(guó)信息產(chǎn) 業(yè)總體規(guī)模已居世界前列，隨著中國(guó)成為世界電子信息產(chǎn)品的主要生產(chǎn)國(guó)和主要市場(chǎng)，硅材料的需求量將進(jìn)一步增長(zhǎng)，硅材料加工企業(yè)面臨難得的發(fā)展機(jī)遇。經(jīng)濟(jì)的發(fā)展對(duì)我國(guó)的能源保障能力提出了嚴(yán)竣的挑戰(zhàn)。太陽(yáng)能等新能源的開(kāi)發(fā)利用必將給硅工業(yè)的發(fā)展帶來(lái)光明的前途。隨著煤炭、石油等不可再生資源的枯竭和能源消耗帶來(lái)的環(huán)境污染的加劇，開(kāi)發(fā)新能源已勢(shì)在必行，太陽(yáng)能作為最干凈、最環(huán)保、最經(jīng)濟(jì)的新能源有著巨大的發(fā)展?jié)撃?，目前，日本、美?guó)、歐洲等發(fā)達(dá)國(guó)家和地區(qū)對(duì)太陽(yáng)能板的需求每年都以 30%的速度遞增，由此導(dǎo)致了其上游作為原材料的單晶硅棒市場(chǎng)一路看漲。 1994 年，世界太陽(yáng)能電池銷(xiāo)售量已達(dá) 64 兆瓦，呈現(xiàn)飛速發(fā)展勢(shì)態(tài)。近年來(lái)，市場(chǎng)銷(xiāo)售量以 20 ％的速度在遞增， 2020 年我國(guó)太陽(yáng)電池年用量已超過(guò) 10,預(yù)計(jì)到 2020 年我國(guó)太陽(yáng)能電池年用量將超過(guò)100 兆瓦。安徽中科太陽(yáng)能公司適應(yīng)市場(chǎng)需求，適時(shí)新上該項(xiàng)目，必將有廣闊的發(fā)展前景 是提高我國(guó)硅加工技術(shù)的必然要求 我國(guó)太 陽(yáng)電池應(yīng)用領(lǐng)域在不斷擴(kuò)大，已涉及農(nóng)業(yè)、牧業(yè)、林業(yè)、交通運(yùn)輸、通訊、氣象、 石油管道、文化教育及家庭電源等諸多方面，光伏發(fā)電在解決偏僻邊遠(yuǎn)無(wú)電地區(qū)供電及許多殊場(chǎng)合用電上已起到引人注目的作用。一方面表現(xiàn)在太陽(yáng)電池應(yīng)用技術(shù)研究不夠，產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程緩慢，另一方面由于 中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，拉動(dòng)了對(duì)拋光硅片需求的快速增長(zhǎng)，國(guó)內(nèi)生產(chǎn)遠(yuǎn)遠(yuǎn)無(wú)法滿足市場(chǎng)的需求，拋光硅片需要大量的進(jìn)口。單晶硅產(chǎn)業(yè)的發(fā) 展 對(duì) 國(guó)外 技術(shù)的 依 賴(lài)性較高，技術(shù)風(fēng)險(xiǎn)和市場(chǎng)風(fēng)險(xiǎn)較大，甚至影響到國(guó)家經(jīng)濟(jì)安全。 三、項(xiàng)目建設(shè)的可行性 該 項(xiàng)目建設(shè)符合國(guó)家產(chǎn)業(yè)政策要求 國(guó)家發(fā)展和 改革委員會(huì)第 40 號(hào)令，發(fā)布了《產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)調(diào)整指導(dǎo)目錄（ 2020 年本）》。 符合滁州市和來(lái)安縣國(guó)民經(jīng)濟(jì)和社會(huì)發(fā)展十一五規(guī)劃精神，符合安徽來(lái)安經(jīng)濟(jì)開(kāi)發(fā)區(qū)入園企業(yè)條件。來(lái)安縣政府及有關(guān)部門(mén)、來(lái)安經(jīng)濟(jì)開(kāi)發(fā)區(qū)對(duì)該項(xiàng)高度重視，全力支持該項(xiàng)目的上馬建設(shè)。 因此，從總體上看，該項(xiàng)目是可行的。 在地殼中，硅的含量?jī)H次于氧，居第二位，占地殼總重量的 %。元素硅的原子結(jié)構(gòu)和化學(xué)性質(zhì)與元素碳很相似，單質(zhì)硅是重要的合金和半導(dǎo)體原料。單晶硅是由許多硅原子以金剛石晶格結(jié)構(gòu)排列成晶核長(zhǎng)成晶面取向相同的晶粒并平行結(jié)合變成單晶硅。 硅是地球上儲(chǔ)藏最豐富的材料之一，從 19 世紀(jì)科學(xué)家們發(fā)現(xiàn)了晶體硅的半導(dǎo)體特性后，它幾乎改變了一切，甚至人類(lèi)的思維。硅材料因其具有耐高溫和抗輻射性能較好，特別適宜制作大功率器件的特性而成為應(yīng)用最多的一種半導(dǎo)體材料，目前的集成電路半導(dǎo)體器件大多數(shù)是用硅材料制造的。硅的主要用途是取決于它的半導(dǎo)體性。目前世界年產(chǎn) 量約為 3106 千克。由于當(dāng)前信息工程的發(fā)展，硅主要用于微電子技術(shù)。如果 1平方米鋪滿硅太陽(yáng)能電池，就可以得到 100W 電力。美國(guó)的大型航天器太空實(shí)驗(yàn)室上就安裝有 4塊太陽(yáng)能電池帆板，它們是由 147840塊 8平方厘米大小的單晶硅太了腎電池排列組成的，發(fā)電功率大約為 12KW。本世紀(jì) 50 年代以來(lái)，隨著半導(dǎo)體工 業(yè)的需要而迅速發(fā)展。 多晶硅、單晶硅已滲透到國(guó)民經(jīng)濟(jì)和國(guó)防科技中各個(gè)領(lǐng)域，當(dāng)今全球超過(guò) 2020 億美元的電子通訊半導(dǎo)體市場(chǎng)中 95%以上的半導(dǎo)體器件及 99%以上的集成電路用硅。 單晶硅太陽(yáng)電池。這種太陽(yáng)電池以高純的單晶硅棒為原料，純 度要 求 ％。有的也可使用半導(dǎo)體器件加工的頭尾料和廢次單晶硅材料，經(jīng)過(guò)復(fù)拉制成太陽(yáng)電池專(zhuān)用的單晶硅棒。這種硅錠可鑄成立方體，以便切片加工成方形太陽(yáng)電池片，可提高材料利用率和方便組裝。 現(xiàn)在，我們的生活中處處可見(jiàn)“硅”的身影和作用，晶體硅太陽(yáng)能電池是近 15 年來(lái)形成產(chǎn)業(yè)化最快的。 （二）主要技術(shù)規(guī)范和一般工藝過(guò)程 單晶硅的制法通常是先制得多晶硅或無(wú)定形硅，然后用直拉法或懸浮區(qū)熔法從熔體中生長(zhǎng)出棒狀單晶硅。 單晶硅太陽(yáng)電池：?jiǎn)尉Ч杼?yáng)電池是當(dāng)前開(kāi)發(fā)最快的一種太陽(yáng)電池，它的結(jié)構(gòu)和生產(chǎn)工藝已定型，產(chǎn)品已廣泛用于空間和地面。為了降低生產(chǎn)成本，現(xiàn)在地面應(yīng)用的太陽(yáng)電池等采用太陽(yáng)能級(jí)的單晶硅棒，材料性能指標(biāo)有所放寬。 多晶硅太陽(yáng)電池：目前太陽(yáng)電池使用的多晶硅材料，多半是含有大量單晶顆粒的集合體，或 用廢次單晶硅材料和冶金級(jí)硅材料熔化澆鑄而成，然后注入石墨鑄模中，待慢慢凝固冷卻后，即得多晶硅錠。多晶硅太陽(yáng)電池的制作工藝與單晶硅太陽(yáng)電池差不多，其光電轉(zhuǎn)換效率約 12％左右，稍低于單晶硅太陽(yáng)電池，但其材料制造簡(jiǎn)便，節(jié)約電耗，總的生產(chǎn)成本較低，因此得到大量發(fā)展。直徑越大的圓片，所能刻制的集成電路越多，芯片的成本也就越低。單晶硅按晶體生長(zhǎng)方法的不同，分為直拉法（ CZ）、區(qū)熔法（ FZ）和外延法。直拉法生長(zhǎng)的單晶硅主要用于半導(dǎo)體集成電路、二極管、外延片襯底、太陽(yáng)能電池。區(qū)熔法單晶主要用于高壓大功率可控整流器件領(lǐng)域，廣泛用于大功率輸變電、電力機(jī)車(chē)、整流、變頻、機(jī)電一體化、節(jié)能燈、電視機(jī)等系列產(chǎn)品。外延片主要用于集成電路領(lǐng)域。在 IC 工 業(yè)中所用的材料主要是 CZ 拋光片和外延片。邏輯電路一般使用價(jià)格較高的外延片，因其在 IC 制造中有更好的適用性并具有消除 Latch－ up的能力。硅片的直徑越大，技術(shù)要求越高，越有市場(chǎng)前景，價(jià)值也就越高。 現(xiàn)在，硅片直徑正從 5 英寸迅速升級(jí)， 12 英寸硅片技術(shù)正日益成熟。 日本、美國(guó)和德國(guó)是主要的硅材料生產(chǎn)國(guó)。中國(guó) 消耗的大部分集成電路及其硅片仍然依賴(lài)進(jìn)口。 （三）產(chǎn)品運(yùn)營(yíng)條件及經(jīng)濟(jì)優(yōu)點(diǎn) ： （ 1）高電耗，其生產(chǎn)過(guò)程中電價(jià)占整個(gè)成本的 30%左右； 高投入，建一家年產(chǎn) 1000 噸的多晶硅工廠，大約需要 億美元； （ 2）高技術(shù)，國(guó)內(nèi)外技術(shù)差別較大，目前國(guó)內(nèi)生產(chǎn)技術(shù)還比較落后，如果依靠國(guó)外先進(jìn)技術(shù)建本項(xiàng)目，能夠降低成本，提高產(chǎn)品的產(chǎn)量和質(zhì)量。 二、市場(chǎng)需求分析和預(yù)測(cè) 市場(chǎng)需求初步預(yù)測(cè)和生產(chǎn)能力分析 山東大學(xué)蔣民華院士作了題為“電子材料光子材料和人工 晶體的發(fā)展”，他從歷史和現(xiàn)實(shí)情況出發(fā)，密切結(jié)合當(dāng)前科學(xué)技術(shù)的發(fā)展，提出了對(duì)新世紀(jì)人工晶體的展望?！笔聦?shí)證明，盡管經(jīng)過(guò)科學(xué)技術(shù)飛速發(fā)展的四分之 一個(gè)世紀(jì)，當(dāng)前社會(huì)已全面進(jìn)入了以計(jì)算機(jī)、通信和光網(wǎng)絡(luò)等以信息技術(shù)為代表的信息時(shí)代，光子繼電子以后也成了信息的主要載體。斗導(dǎo)體單晶作為電子材料的主體，隨著集成電路尺寸的縮小、集成度的進(jìn)高及芯片面積的增大，對(duì)硅單晶的尺寸完整性及生長(zhǎng)提出了更高的要求，單晶仍然是今天電子材料的主角。在電子材料、光子材料、光子材料之間沒(méi)有清楚的界面，隨著微光子技術(shù)的發(fā)展，光子材料也會(huì)逐步的成熟起來(lái)，人工晶體在目前電子光子材料中仍然起著重要的作用。 （ 1）市場(chǎng)需求分析 作為光電子及信息產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)材料和太陽(yáng)能板及光伏電池的核心材料 ，單晶硅產(chǎn)品被廣泛的應(yīng)運(yùn)于計(jì)算機(jī)芯片（ IC）、能源、航天、電子、微電子 等各個(gè)領(lǐng)域，具有非常廣闊的產(chǎn)業(yè)前景。 晶硅、單晶硅主要用于制作電力電子行業(yè)所需的大功率元件、紅外探測(cè)器件、太陽(yáng)能電池、半導(dǎo)體元件等領(lǐng)域。隨著國(guó)家經(jīng)濟(jì)實(shí)力的發(fā)展，如舊電網(wǎng)的改造，新電網(wǎng)的建設(shè)，電力機(jī)車(chē)的提速等基礎(chǔ)設(shè)施投資將會(huì)加大力度，與之相應(yīng)的電力電子元件及裝置需求將有一個(gè)大幅度增長(zhǎng)，多晶硅、單 晶硅市場(chǎng)前景廣闊。到 2020 年，單晶硅年需量將超過(guò) 50 噸。從經(jīng)濟(jì)和生產(chǎn)實(shí)際需要看，只要工藝可行，硅片直徑越大，越能滿足市場(chǎng)需要。由于我國(guó)多晶硅生產(chǎn)技術(shù)相當(dāng)落后，生產(chǎn)不斷萎縮，目前 國(guó)內(nèi)多晶硅產(chǎn)量還不足 100噸，僅占世界產(chǎn)量的 %，與國(guó)際先進(jìn)水平比至少落后 15 年以上。單晶硅平均年增長(zhǎng)率達(dá)22%以上。我國(guó)多晶硅工業(yè)起步于 50 年代，到了 70 年代曾一度盲目發(fā)展，企業(yè)發(fā)展到 20 余家。 據(jù)預(yù)測(cè)，按國(guó)內(nèi)單晶硅生產(chǎn)的需求計(jì)算， 2020 年國(guó)內(nèi)多晶硅需求量為 750 噸，缺口約為 700 噸，到 2020 年國(guó)內(nèi)多晶硅需求將達(dá) 1300 噸，如果沒(méi)有新建的多晶硅企業(yè)，需求缺口將更加巨大。截止到2020年底，中國(guó)擁有已投產(chǎn)的 12 英寸生產(chǎn)線 1條， 8英寸生產(chǎn)線 9條， 6英寸生產(chǎn)線 6條。同時(shí)拋光硅片的 市場(chǎng)需求量達(dá)到了 ，實(shí)現(xiàn)了 %的增長(zhǎng)。 此 近年來(lái)，中國(guó)單晶硅需求量明顯穩(wěn)步增長(zhǎng)，增長(zhǎng)的原因是一方面來(lái)自國(guó)際上對(duì)低檔和廉價(jià)硅材料需求的增加。為了滿足這種巨大的需求，國(guó)內(nèi)外廠家紛紛在中國(guó)建立和準(zhǔn)備建立晶片和 IC 生產(chǎn)線。在硅單晶拉制和硅片加工方面，硅單晶主流產(chǎn)品是 100150m，也建立了直徑100150mm 的硅片生產(chǎn)線。中國(guó)的有研硅股和峨嵋半導(dǎo)體材料廠有 200mm 直拉硅單晶的生產(chǎn)能力，浙大海納在寧波投資建立 200mm直拉硅單晶生產(chǎn)廠。 中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，拉動(dòng)了對(duì)拋光硅片需求的快速增長(zhǎng)，國(guó)內(nèi)生產(chǎn)遠(yuǎn)遠(yuǎn)無(wú)法滿足市場(chǎng)的需求，拋光硅片需要大量的進(jìn)口。單晶硅產(chǎn)業(yè)的發(fā)展依靠國(guó)外的事實(shí)不能長(zhǎng)期下去，為了改變這樣的境地，國(guó)內(nèi)企業(yè)應(yīng)走“產(chǎn)、學(xué)、研”之路，加強(qiáng)與高等院校、科研院所的合作，因?yàn)閲?guó)內(nèi)很多 的技術(shù)成果掌握在科研單位里，通過(guò)將這些技術(shù)成果產(chǎn)業(yè)化，降低企業(yè)成本，提高產(chǎn)品質(zhì)量，獲得客戶認(rèn)可，進(jìn)而切入國(guó)內(nèi)6 英寸和 8英寸材料市場(chǎng)，改變依靠國(guó)外硅片生產(chǎn)的現(xiàn)狀 。生產(chǎn)多晶硅的只有四川峨眉、河南洛陽(yáng)兩家。 三、企業(yè)市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)態(tài)勢(shì)分析 政策優(yōu)勢(shì)。 技術(shù)優(yōu)勢(shì)。 管理和資本優(yōu)勢(shì) （ 1）公司已按最優(yōu)經(jīng)營(yíng)體制組建了一個(gè)由專(zhuān)家型領(lǐng)導(dǎo)人參加的企業(yè)管理階層。 （ 2）項(xiàng)目前期工作進(jìn)展迅速，截至 2020 年 8月，項(xiàng)目已 完成廠區(qū)總體規(guī)劃設(shè)計(jì)，其中包括電力給排水系統(tǒng)、 水循環(huán)系統(tǒng)、控制系統(tǒng)、消防系統(tǒng)、園林、道路、倉(cāng)儲(chǔ)、辦公等。累計(jì)完成投資達(dá) 4000 萬(wàn)元。 第四章 建設(shè)條件分析和場(chǎng)址選擇 一、建設(shè)項(xiàng)目條件分析 （一） 區(qū)位條件來(lái)安縣地處皖東，界于江淮之間，地理坐標(biāo)：北緯 32176。 45′，東徑 118176。 40′。地勢(shì)北高南低，地形大致為南部圩區(qū)、中部崗區(qū)和北部低丘陵區(qū)三部分。縣城距津浦鐵路 20 公里；內(nèi)河航運(yùn)有汊河港、水口 港直達(dá)長(zhǎng)江 。南北最長(zhǎng)處 55 公里，東西最寬處 30 公里。全縣轄 18 個(gè)鄉(xiāng)鎮(zhèn)， 276 個(gè)村民委員會(huì)， 2020 的底全縣總?cè)丝?，其中農(nóng)業(yè)人口 。北部為丘陵，主要有長(zhǎng)山、龍王山、馬頭山、練子山。滁河、沛河、新來(lái)河兩側(cè)為 較廣闊的河谷平原。 丘陵：分布在低山外圍或居于低山兩側(cè)，呈帶狀，和低山組成梯狀地形，約占全縣面積的 30%。 河漫灘：發(fā)育在滁河及其支流兩側(cè)，地勢(shì)開(kāi)闊平坦，微向河面傾斜，標(biāo)高 1020 米，各支流河谷漫灘發(fā)育較窄，上游標(biāo)高可達(dá) 50 米，組成物為全新紀(jì)亞粘土，約占全縣面積 30%。 ①溫度：本縣年平均氣溫為 ℃，最高年份平均氣溫℃ ,最低年份平均氣溫 ℃。 ②降水：本縣年均降水量 ， 80%保證年份降水量達(dá) 788 毫米。年際變化在 毫米之間。 ③風(fēng)向：本縣季風(fēng)氣候顯著，靜風(fēng)較多，最多風(fēng)向?yàn)闁|北— 偏東。大風(fēng)風(fēng)向以西北風(fēng)為多，東北風(fēng)次之。 本縣大部分地面系第四紀(jì)下蜀系粘土層覆蓋，降水滲入甚微，儲(chǔ)水量小，含水層差。據(jù)統(tǒng)計(jì)，全縣徑流量最豐年 億立方米，平水年為 億立方米，枯水年為 億立方米。 地質(zhì)地震 （ 1）工程地質(zhì) 本縣境內(nèi)地層發(fā)育較為齊全，除缺失晚無(wú)古代早期青白口系沉積開(kāi)，自中元古代起各時(shí)代地層均有發(fā)育，但大部分被第四紀(jì)地層覆蓋，出露甚少。中元古界；在本縣復(fù)興和練子山以北、龍王山以南有所出露。 奧陶系：在本縣平陽(yáng)水庫(kù)東南側(cè)出露，為奧陶系早期沉積。 第三系：主要分布于縣城至施官以北。 （ 2） 根據(jù)《安徽省地震裂度區(qū)劃圖》，來(lái)安縣區(qū)域抗震設(shè)防裂度為 6度，生命線工程按 7度設(shè)防。 如金禾化工、海達(dá)軸承、享通橡塑、賽華電纜、金邦醫(yī)藥、華峰