【正文】 、水密、抗風(fēng)性能分析及檢測方法》 GB/T 710620xx 《關(guān)于加強(qiáng)外墻保溫工程安全防火管理的緊急通知》建質(zhì)安[20xx]1039號(hào) 《建筑設(shè)計(jì)防火規(guī)范》 GB5001620xx 《建筑外門窗氣密、水密、抗風(fēng)性能分析及檢測方法》 GB/T 710620xx 《外墻外保溫工程技術(shù)規(guī)程》 JGJ14420xx 《全國民用建筑工程設(shè)計(jì)技術(shù)措施》建質(zhì) [20xx]124 (7)其它 《綜合能耗計(jì)算通則》 GB/T258920xx 《用能單位能源計(jì)量器具配備和管理通則》 GB1716720xx 《能源管理體系要求》 GB/T 2333120xx 節(jié)能評(píng)估報(bào)告編制內(nèi)容 （ 1）項(xiàng)目是否符合有關(guān)節(jié)能法律、法規(guī)、規(guī)章和產(chǎn)業(yè)政策，是否選用國家和省已公布淘汰的用能設(shè)備及國家和省產(chǎn)業(yè)政策限制內(nèi)的產(chǎn)業(yè)序列和規(guī)模容量或行業(yè)已公布限制（或停止）的工藝； （ 2）項(xiàng)目用能條 件、總量及用能品種是否合理； 13 （ 3）項(xiàng)目能耗指標(biāo)是否超過國家和地方規(guī)定的最高限額，是否達(dá)到同行業(yè)國內(nèi)或國際先進(jìn)水平； （ 4）項(xiàng)目是否符合國家、地方和行業(yè)節(jié)能設(shè)計(jì)規(guī)范、標(biāo)準(zhǔn)，主要工藝流程是否采用節(jié)能新技術(shù)； （ 5）用能計(jì)量儀器配備情況等； （ 6）單項(xiàng)節(jié)能工程項(xiàng)目（如熱電聯(lián)產(chǎn)、集中供熱）和民用建筑能耗指標(biāo)是否符合國家和地方 能耗限額 標(biāo)準(zhǔn)等。公司成立于 20xx 年 4 月，注冊(cè)資本 5億元 ， 公司員工總?cè)藬?shù)為 459 人，其中，本科及以上學(xué)歷 146 人，專業(yè)技術(shù)人員 87 人。 公 司集多晶硅原料科研、生產(chǎn)、銷售為一體，并于集團(tuán)其他子公司共同形成包括多晶硅料、拉晶切片、太陽能電池、組件、應(yīng)用系統(tǒng)在內(nèi)的完整光伏產(chǎn)業(yè)鏈，是集團(tuán)緊跟國家能源發(fā)展政策，立足光伏產(chǎn)業(yè)的重要戰(zhàn)略部署。 公司秉承 遠(yuǎn)見、創(chuàng)新、責(zé)任 的理念，以 安全、節(jié)能、環(huán)保 為目標(biāo)，以 為世界輸出優(yōu)質(zhì)動(dòng)力 為使命，致力于建設(shè)世界一流多晶硅制造工廠。 50 年前，美國貝爾實(shí)驗(yàn)室展示了世界上第一塊集成電路，開創(chuàng)了微電子技術(shù)的先河。硅烷的生產(chǎn)和使用由此進(jìn)入人們的視野。近年來十分熱門的發(fā)光二極管（ LED）生產(chǎn)更是離不開硅烷氣體。隨著 電子信息技術(shù)的飛速發(fā)展，集成度越來越高，對(duì)基礎(chǔ)原材料的純度要求已經(jīng)提高到了 6N級(jí) (99． 9999％ )，另外氣體的質(zhì)量對(duì)芯片制造有很大影響，隨著電子消費(fèi)品的升級(jí)換代，產(chǎn)品制造尺寸越來越大，產(chǎn)品成品率和缺陷控制越來越嚴(yán)格，整個(gè)電子工業(yè)界對(duì)電子氣體氣源純度，以及杜絕輸送系統(tǒng)二次污染的要求越來越苛刻。因此引進(jìn)制備高純電子特種氣體技術(shù)更顯得迫在眉睫。目前 國內(nèi)廠家生產(chǎn)的產(chǎn)品尚不能全面滿足相關(guān)電子產(chǎn)品的需要，而且生產(chǎn)能力很小，只能用于制造低規(guī)格的產(chǎn)品，而超大規(guī)模集成電路所用的 6N 級(jí)別以上純度的氣體根本不能生產(chǎn)，還必須全部依靠進(jìn)口來解決。 因此，我公司擬采用氯硅烷歧化法建設(shè)年產(chǎn) 500 噸硅烷氣生產(chǎn)線。同時(shí)，這一技術(shù)的突破，改變了我國多年來依靠進(jìn)口硅烷氣的境況，加速 了我國光伏發(fā)電平價(jià)上網(wǎng)的步伐，更為當(dāng)前光伏行業(yè)的低迷提供了新的增長點(diǎn)。景新公司一期已經(jīng)建成的 1500t/a生產(chǎn)線，采用世界最成熟的改良西門子工藝生產(chǎn)多晶硅，確保生產(chǎn)流程環(huán)保、安全、可靠和產(chǎn)品質(zhì)量的穩(wěn)定；公司通過引進(jìn)并優(yōu)化美國、日本 、德國等國家多晶硅生產(chǎn) 企業(yè)的全套技術(shù)和設(shè)備，為公司的優(yōu)質(zhì)高效生產(chǎn)打下了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。目前，公司在氯硅烷及多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域，具備相當(dāng)豐富的經(jīng)驗(yàn)和較強(qiáng)的技術(shù) 17 實(shí)力。美國商務(wù)部于 20xx 年 5月 17日對(duì)原產(chǎn)于中國的光伏產(chǎn)品做出反傾銷初裁決定，稅率為 %—%，對(duì)中國企業(yè)出口到美國的光伏產(chǎn)品采取反傾銷措施。歐盟雙反是中歐雙方迄今為止最 大的貿(mào)易糾紛，也是全球涉案金額最大的貿(mào)易爭端。 受到雙重打擊的光伏企業(yè)資金壓力大，舉步維艱。景新在光伏的寒冬逆勢而上，引進(jìn)最先進(jìn)的生產(chǎn)技術(shù)，消除一期設(shè)計(jì)缺陷，提高生產(chǎn)效率，降低成本，克服產(chǎn)品單一和競爭壓力大，為迎接光伏的春天做好準(zhǔn)備。一條生產(chǎn)線兼顧了多晶硅和硅烷特氣兩大產(chǎn)品，克服景新目前產(chǎn)品單一，容易受市場波動(dòng)影響企業(yè)的收益。隨著全球光伏產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，硅烷法多晶硅生產(chǎn)工藝越來越受到重視，其原因主要是硅烷法多晶硅 18 工藝有它自身的優(yōu)點(diǎn) :每千克多晶硅產(chǎn)品的綜合能耗比三氯氫硅法低三分之一以上 。生產(chǎn)成本比 三氯氫硅法低，具有成本優(yōu)勢 。由于硅烷法工藝流程比三氯氫硅法簡單，因此硅烷法工藝的占地面積比三氯氫硅法小，屬于土地集約化多晶硅工藝 。硅烷無腐蝕性，熱分解溫度低且分解率高，故此法所得硅多晶的純度高，產(chǎn)率高。 因此，無論是從產(chǎn)業(yè)角度還是從企業(yè)角度，本項(xiàng)目都有著其不可替代的重要性和必要性。 （ 2） 利用硅烷工藝生產(chǎn)多晶硅比三氯氫硅法工藝投資更小，生產(chǎn)成本低，而且項(xiàng)目配套 3萬噸冷氫化改造技術(shù)，把一期熱氫化淘汰， 19 達(dá)到提高 STC 轉(zhuǎn)化效率， 減少電力消耗 ，強(qiáng)化物料內(nèi)部循環(huán)，減少廢棄物排放，節(jié)能環(huán)保。 現(xiàn)有的公用工程（水、電、蒸汽等）均能滿足 500 噸 /年 硅烷 項(xiàng)目的要求，而不需要新 建或擴(kuò)建。 公司 僅需投入裝置部分投資以及很少的配套工程便可建設(shè) 500 噸 /年 硅烷 裝置 。 （ 4） 本項(xiàng)目采用國內(nèi)較先進(jìn)的 冷氫化處理技術(shù) ， 與冷氫化配套新建一條 3萬噸精餾裝置，精餾技術(shù) 加壓操作、阻力小、汽液傳質(zhì)充分、產(chǎn)能高。塔釜再沸器使用還原工序提供的裝置廢熱，節(jié)約蒸汽耗能約 60%。 反應(yīng)釜溫度壓力采用自動(dòng)控制技術(shù)，物料回流采用自動(dòng)調(diào)節(jié)，冷凝器回流采用液封技術(shù)，水泵、風(fēng)機(jī)、變壓器等采 用節(jié)能 產(chǎn)品， 因此，新建 年產(chǎn)500 噸硅烷 項(xiàng)目對(duì)整個(gè)公司的節(jié)能 降耗 有重要意義。 1）硅烷 氣 生產(chǎn)線 采用兩級(jí)歧化反應(yīng) ； 2）新建一 條 3萬噸冷氫化生產(chǎn)線，處理還原 生產(chǎn)產(chǎn)生的 STC和硅烷生產(chǎn)中產(chǎn)生的 STC； 3）與冷氫化配套新建一條 3萬噸精餾裝置。 項(xiàng)目實(shí)施進(jìn)度 項(xiàng)目總的建設(shè)周期為 24 個(gè)月 ，前期可行性研究報(bào)告編制和審批工作為 6 個(gè)月，勘察施工圖設(shè)計(jì) 1 月，設(shè)備材料采購及土建施工 12個(gè)月，安裝工作 3 個(gè)月，調(diào)試 2 個(gè)月，這幾個(gè)階段可以穿插進(jìn)行。采用氫化鋁鈉與四氟化硅氣體反應(yīng)合成硅烷氣體 : NaAlH4+SiF4一 NaAlF4+SiH4 21 b、硅鎂合金法工藝 硅鎂合金制備硅烷氣體工藝也稱小松法工藝。小松法制 備硅烷工藝是國內(nèi)歷史上研究最多的工藝路線，實(shí)現(xiàn)過年產(chǎn) 5噸規(guī)模的試驗(yàn)性的生產(chǎn)裝置線。該方法已經(jīng)實(shí)現(xiàn)千噸級(jí)規(guī)模生產(chǎn)水平。 本項(xiàng)目擬采用第三種 氯硅烷歧化反應(yīng)法 生產(chǎn)硅烷氣，生產(chǎn)過程閉路，對(duì)環(huán)保有利，轉(zhuǎn)化率高，是當(dāng)今最先進(jìn)的硅烷生產(chǎn)技術(shù)。 TCS反歧化反應(yīng)器的主要產(chǎn)物為 DCS、 STC及未反應(yīng)的TCS（雖然在此過程中會(huì)形成部分硅烷），該反應(yīng)精餾工藝將大部分TCS 留在塔中繼續(xù)反應(yīng)。 將 TCS導(dǎo)入第一臺(tái)反應(yīng)精餾塔 ，該塔在常規(guī)填料塔上部裝有一催化填料部分。 STC 作為塔底產(chǎn)物分離出來，送至存儲(chǔ)以返回到買方 TCS 生產(chǎn)，塔頂富含 DCS 的產(chǎn)物加壓后送至第二胎反應(yīng)精餾塔。來自 DCS 反歧化反應(yīng)器的主要產(chǎn)物為硅烷、 TCS 和未反應(yīng)的 DCS。 TCS 及形成的任何少量 STC 作為塔底產(chǎn)物分離 出來，循環(huán)回到第一臺(tái)反應(yīng)精餾塔。 23 硅烷在精餾塔中從 DCS中提純出來。根據(jù) TCS 進(jìn)料分析，可能會(huì)有一些輕雜質(zhì)，以精餾塔側(cè)線采出的方式從系統(tǒng)中除去。使用 AIGA052/08和 CGAG13— 20xx 硅烷及硅烷混合物儲(chǔ)運(yùn)作為安全距離的指導(dǎo)，現(xiàn)場布置使用買方地皮允許的最大距離。使用的工程設(shè) 計(jì)方案基于現(xiàn)在美國硅烷用戶、包裝商和生產(chǎn)商的業(yè)內(nèi)慣例。儲(chǔ)罐帶有泄壓閥，通向工廠火炬系統(tǒng)以緩和任何泄放影響。灌滿槽罐，儲(chǔ)存，然后裝入箱式拖車和槽罐拖車?？蛇x擇帶有槽罐清潔和測試裝置的系統(tǒng)。這些氯硅烷可循環(huán)至 一期TCS提純工藝。淋洗塔使用含有氫氧化鈉的堿液淋洗氣體，減少其 中的顆粒，將鹵化物轉(zhuǎn)化為溶液中的鹽。廢液送至 一期 460 廢液處理裝置 中和。硅粉在硅粉中間倉中由氫氣帶入氫化反應(yīng)器中。 循環(huán)氫氣和補(bǔ)充的新鮮氫氣經(jīng)各自的壓縮機(jī)加壓后混合，按與硅粉規(guī)定比例經(jīng)過預(yù)熱器、加熱器加熱至 500550℃送至氫化反應(yīng)器中。 在氫化反應(yīng)器中，硅粉與四氯化硅、氫氣（氯化氫）在 500550℃左右、 ，生成含一定比例三氯氫硅的氯硅烷混合氣 ，工藝流程如圖 2。 除塵后的氣體經(jīng)過冷凝器冷凝分離回收，冷凝液主要為氯硅烷的混合液，送入粗氯硅烷儲(chǔ)罐，而氫氣返回循環(huán)氫氣壓縮機(jī)循環(huán)使用。 1級(jí)粗餾塔頂排出含少量的氯化氫和二氯二氫硅的不凝氣體被送往廢氣 25 及殘液處理單元進(jìn)行處理；塔頂餾出液為含有部分 SiCl4 的三氯氫硅冷凝液，送入精餾工序繼續(xù)精餾提純。 2級(jí)粗餾塔的作用是將粗四氯化硅和高沸點(diǎn)雜質(zhì)進(jìn)行分離，塔頂排出的不凝氣體同樣送往廢氣及殘液 處理單元進(jìn)行處理。 反應(yīng)尾氣經(jīng)交換和急冷降溫后（＜ 290℃），經(jīng)氫化爐尾氣過濾器過濾后，送至尾氣回收工序。 130℃的高溫水回水經(jīng)高溫水冷卻系統(tǒng)及熱能回收系統(tǒng)冷卻循環(huán)利用。 目前，國內(nèi)外多晶硅生產(chǎn)企業(yè)已投入工業(yè)化運(yùn)行的四氯化硅氫化技術(shù)主要有冷氫化和熱氫化兩種工藝，二者技術(shù)特點(diǎn)比較如下： 26 表 1. 冷氫化和熱 氫化工藝比較 表 熱氫化 冷氫化 技術(shù)成熟性 成熟 成熟 操作壓力 MPaG 操作溫度 1250℃ 500550℃ 反應(yīng)原理 SiCl4 +H2＝ SiHCl3 +HCl ① Si+3SiCl4 +2H2＝ 4SiHCl3 ② Si+3SiCl4 +2H2＝ 4SiHCl3 電耗 ~ kWh/kgTCS kWh/kgTCS 一次轉(zhuǎn)化率 15～ 20%mol 25%mol 生產(chǎn)維護(hù) 較易 較難 操作技術(shù)要求 一般 較高 優(yōu)點(diǎn) 氣 相連續(xù)反應(yīng)，不需催化劑； 操作壓力低（ ），設(shè)備安全性能要求低； 反應(yīng) 使用精制 STC 無硼磷 等 雜質(zhì)帶入，后續(xù)的 精餾單元 簡單； 工藝及設(shè)備成熟 ， 有一定的運(yùn)行經(jīng)驗(yàn)。 投資?。?3000 噸多晶硅配套冷氫化 800016000 萬元） 缺點(diǎn) 1 、 反 應(yīng)溫 度高 （ 1250 ℃）、 電耗 高（ ） ； STC 轉(zhuǎn)化率低 （ 1520%） ； 多晶硅產(chǎn)品含 C 較高 ，氫化爐內(nèi)件（隔熱屏、加熱體）為石墨或 C/C 材料，在 1250℃會(huì)與 H2 反應(yīng)生成 CH4 混在H2 中，通過回收 H2 帶入多晶硅； 維修率高，單臺(tái)爐運(yùn)行周期在 34 個(gè)月； 單臺(tái)設(shè)備產(chǎn)量低、配套設(shè)備多， 3000噸規(guī)模需配 1014 臺(tái)氫化爐； 對(duì)公用系統(tǒng)參數(shù)要求高，水、電、蒸汽參數(shù)操作范圍窄，易連鎖停車； 異常停爐，石墨件、加熱體損壞率高； 反應(yīng)屬氣固反應(yīng)，操作 參數(shù)苛刻，料位、壓力、溫度控制范圍較窄，較難掌握經(jīng)濟(jì)運(yùn)行參數(shù)點(diǎn)； 操作壓力高 （ ）、設(shè)備（ INCOLO Y 800）、閥門、管道材質(zhì)、加工工藝要求高； 硅粉氣相進(jìn)料，閥門、管道磨損嚴(yán)重，氣相介質(zhì)密封難度大； 氣固沸騰反應(yīng)，設(shè)備、管道磨損嚴(yán)重、安全性要求高 ； 由于多晶硅企業(yè)間保密，無成熟運(yùn)行經(jīng)驗(yàn)可循、員工綜合素質(zhì)要求高； 硅粉帶入雜質(zhì)、產(chǎn)品 TCS 需曾設(shè) 27 熱