技術發(fā)展趨勢-在線瀏覽
2025-04-01 14:07本頁面
【正文】 控制過程要求很高。這種方式的要點是精密控制定向凝固時的溫度梯度和晶體生長速度來提高多晶晶粒的尺寸大小，槽的尺寸以及冷卻速度決定了晶粒的尺寸，凹槽有助于增大晶粒。 （ 2）有籽晶鑄錠。這種技術先把籽晶、硅料摻雜元素放置在坩堝中，籽晶一般位于坩堝底部，再加熱融化硅料，并保持籽晶不被完全融掉，最后控制降溫，調節(jié)固液相的溫度梯度，確保單晶從籽晶位置開始生長。同時，投資 4億元的二期 200MW準單晶硅鑄錠項目也正在實施中，2023年底達產后還將增加 32臺準單晶硅鑄錠爐，預計將實現(xiàn)年銷售收入 10億元。量產后的轉換效率平均可達%，最高可達到 %。 ? 昱輝陽光于 2023年 1月 14日報道：公司近日宣布已成功研發(fā)出一種名叫“ Virtus Wafer”的新型多晶硅硅片，該產品能夠提高太陽能電池轉換效率至 %，較行業(yè)標準高出 1%。 ? 2023年 7月 8日，無錫尚品太陽能宣布其 準單晶 生產工藝試驗成功，其轉換效率在 18%以上，利用率超過 65%。針對熱場研發(fā)以改良溫度梯度，同時還要注意熱場保護； ? 晶種制備。這一環(huán)節(jié)非常難以控制，它決定準單晶是否能夠穩(wěn)定生 產，因此需要一個與之對應的精準熔化控制設備。在很多生產過程中，效率衰減總是不可避免，為此把位錯密度控制到最低，是此項工藝的關鍵； ? 邊角多晶控制，即合理有效控制邊角多晶的比例； ? 鑄錠良率提升。 4. 準單晶技術的前景 5. 準單晶術集合了單晶硅和多晶硅的優(yōu)點，將有助于降低太陽能發(fā)電成本，促進太陽能發(fā)電實現(xiàn)平價上網。 上海電子工程設計研究院 地址：西安灃惠南路 34號海升國際 8號 18樓 聯(lián)系電話： (029)62619293 選擇性發(fā)射極（ SE） 1. SE電池實現(xiàn)方案 ? 印刷磷槳（云南師范） ? 腐蝕出擴散掩膜層（南京中電） ? 直接印刷掩膜層（ schmid， centrotherm） ? 濕法腐蝕重擴散層 /等離子體刻蝕重擴 ? LDSE（新南威爾士） ? 硅墨技術（ Innovalingt,OTB） 其中， schmid直接印刷掩膜層再清洗的 SE實現(xiàn)方法技術成熟，目前在國內已經被許多公司采用，包括尚德、英利等。常見的
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