【正文】 分為 高壓脈沖 噴吹和 低壓脈沖 噴吹兩類 在脈沖噴吹清灰包括脈沖噴吹和環(huán)隙噴吹清灰兩種方式，這兩種清灰方式一般都用于 外濾式圓袋形除塵器 上，也用于近年新發(fā)展起來的 濾筒式除塵器 ，它可以在不停風(fēng)狀態(tài)下進(jìn)行清灰即在線清灰。處理風(fēng)量大，除塵效率高，濾袋在清灰過程中可不中斷正常的過濾工作是脈沖噴吹 清灰的優(yōu)點。 作用原理：是塵粒在繞過濾布纖維時因慣性力作用與纖維碰撞而被攔截。 相關(guān)元素：工作過程與濾料的編織方法、纖維的密度及粉塵的擴(kuò)散、慣性、遮擋、重力和靜電作用等因素及其清灰方法有關(guān)。 性能良好的濾布 , 除特定的 致密度和透氣性 外 , 還應(yīng)有良好的耐腐蝕性、耐熱性及較高的機(jī)械強(qiáng)度 , 耐熱性能良好的纖維 , 其耐熱度目前可達(dá)到 250～ 350 ℃。 清灰原理：脈沖噴吹式布袋除塵器由于其脈沖噴吹強(qiáng)度和頻率可進(jìn)行調(diào)節(jié) , 清灰效果好 , 是目前世界上最為廣泛應(yīng)用的除塵裝置。隨著過濾工況的進(jìn)行 , 當(dāng)濾袋表面積塵達(dá)到一定厚度時 , 由清灰控制裝置 差壓或定時、手動控制 按設(shè)定程序關(guān)閉提升閥 , 控制當(dāng)前單元離線 , 并打開電磁脈沖閥噴吹 ,抖更多論文 12 落濾袋上的粉塵。 脈沖噴吹式布袋除塵器的基本組件 脈沖噴吹式布袋除塵器由濾袋組件、導(dǎo)流裝置、脈沖噴吹系統(tǒng)、出灰系統(tǒng)、控制系統(tǒng)、離線保護(hù)系統(tǒng)、箱體等組成。 2 導(dǎo)流裝置 采用國際上先進(jìn)的進(jìn)風(fēng)方式 ,設(shè)計了獨(dú)特的煙氣分配裝置 , 可分配含塵氣體 , 并對大直徑顆粒進(jìn)行分離 , 避免含塵氣體沖刷濾袋 , 以提高整個除塵裝置的效率及濾袋使用壽命。在每個濾袋上部 , 均有 1 根壓縮空氣噴嘴管 , 運(yùn)行時一般設(shè)定每一排濾袋每隔 10 脈沖反吹清灰 1 次 , 定時器啟動 1 次電磁閥 , 將脈沖反吹空氣噴入濾袋內(nèi)清灰。 更多論文 13 5 離線保護(hù)系統(tǒng) 主要由旁路閥、噴霧降溫系統(tǒng)、測溫儀、壓力檢測裝置、濾袋檢漏裝置組成。輸入信息通過顯示系統(tǒng)反饋給操作人員，以便進(jìn)行下一步操作。 A T M A G E 8 5 1 5單 片 機(jī)按 鍵數(shù)碼管顯示串行輸出壓差控制輸入光 電 耦 合 隔 離 器移 位 指 示 燈3 0 5 5 EM O S 管7 4 L S 2 7 3輸出端子 圖 1原理圖 the element picture of the device 、硬件設(shè)計 更多論文 14 脈沖噴吹控制儀具體組成部件及其連接見圖 2 1〉光耦 tlp52 TLP521 光耦的 2 兩個腳是發(fā)光側(cè)， 4 兩個腳是受光側(cè)。 以 TLP521－ 1為例，輸出端為 NPN型光電三極管結(jié)構(gòu)， 3腳為發(fā)射極， 4腳為集電極，受光點為基極，接 更多論文 15 線方式有兩種：（ 1） 3腳下拉電阻接地， 4腳接＋ 5V，3腳為 I/O輸出端，這種接法導(dǎo) 通輸出為 1，截止輸出 為 0。 D0～ D7：出入； Q0~Q7：輸出；第一腳 WR：主清除端，低電平觸發(fā)，即當(dāng)為低電平時，芯片被清除，輸出全為 0（低電平）； CP（ CLK）：觸發(fā)端，上升沿觸發(fā)，即當(dāng) CP從低到高電平時， D0~D7的數(shù) 據(jù)通過芯片，為 0時將數(shù)據(jù)鎖存， D0~D7的數(shù)據(jù)不變。 MOS場效應(yīng)管有增強(qiáng)型（ Enhancement MOS 或EMOS）和耗盡型 (Depletion)MOS或 DMOS）兩大類。它本身帶有 8K字節(jié)具可編程 Flash,看門狗保護(hù)電路，以及更多論文 17 EEPROM, 使得單片機(jī)不用進(jìn)行外部擴(kuò)展。 本儀器采用 74LS273進(jìn)行輸出的并行擴(kuò)展， 74LS273是 單片集成正沿觸發(fā)的觸發(fā)器， 它用直接清零輸入執(zhí)行 D型觸發(fā)器的邏輯功能。當(dāng)時鐘輸入處于高電平或處于低電平時， D輸入的信號在輸出端處沒有影響。因此用它來進(jìn)行并行擴(kuò)展對該儀器是最適合的。通常的半導(dǎo)體元件只有 1個 GND端子，而光耦在輸入側(cè)和輸出側(cè)分別有一個 GND端子，各自在內(nèi)部電力絕緣。光耦的作用就是對輸入輸出信號進(jìn)行光電隔離，對單片機(jī)起到保護(hù)作用，防止外部信號對單片機(jī)進(jìn)行干擾。在一般電子電路中， MOS管通常被用于放大電路或開關(guān)電路。信號通過 MOS管傳到輸出端子上，對電磁閥進(jìn)行開斷控制。這種反電動勢甚至可能擊穿電路中晶體管之類的器件，反電動勢形成的噪聲干擾能產(chǎn)生電磁場，對單片機(jī)應(yīng)用系統(tǒng)中其他電路產(chǎn)生干擾。 脈沖噴吹控制儀發(fā)出脈沖的寬度、周期間隔以及輸出位數(shù)都可以通過按鍵來設(shè)定，此外還有一個手進(jìn)按鈕，可以手動對電磁閥工作情況進(jìn)行檢測。電源系統(tǒng)是用變壓器把AC220V變成 AC5V和 AC24V，然后進(jìn)行整流，穩(wěn)壓，濾波，轉(zhuǎn)化成穩(wěn)定的 DC5V給單片機(jī)系統(tǒng)提供電源，DC24V給電磁閥提供電源。 端口 B(PB7..PB0) 端口 B 為 8 位雙向 I/O 口，具有可編程的內(nèi)部上拉電阻 。 端口 D(PD7..PD0) 端口 D 為 8 位雙向 I/O 口，具有可編程的內(nèi)部上拉電阻。端口 A—— E，它們的輸出緩沖器具有對稱的驅(qū)動特性，可以輸出和吸收大電流。在復(fù)位過程中，即使系統(tǒng)時鐘還未起振，端口都處于高阻狀態(tài)。持續(xù)時間超過最小門 限時間的低電平將引起系統(tǒng)復(fù)位。 XTAL1 反向振蕩放大器與片內(nèi)時鐘操作電路的輸入端。 （ 2） AVR CPU 內(nèi)核 CPU 的主要任務(wù)是保證程序的正確執(zhí)行。 AVR 采用了 Harvard 結(jié)構(gòu)獲得最高的性能以及并行性，具有獨(dú)立的數(shù)據(jù)和程序總線。 CPU 在執(zhí)行一條指令的同時讀取下一條指令 ( 在本文稱為預(yù)取 )。程 序存儲器是可以在線編程的 Flash 。實現(xiàn)單時鐘周期的 ALU 操更多論文 21 作。其中一個指針還可以作為程序存儲器查詢表的地址指針。 ALU支持寄存器之間以及寄存器和常數(shù)之間的算術(shù)和邏輯運(yùn)算。運(yùn)算完成之后狀態(tài)寄存器的內(nèi)容得到更新以反映操作結(jié)果。 AVR 結(jié)構(gòu)具有兩個主要的存儲器空間：數(shù)據(jù)存儲器空間和程序存儲器空間。這三個存儲器空間都為線性的平面結(jié)構(gòu)。用戶程序的安全性要根據(jù)Flash程序存儲器的兩個區(qū)：引導(dǎo) (Boot) 程序區(qū)和應(yīng)用程序區(qū)，分開來考慮。 ATmega8515的程序計數(shù)器 (PC)為 12位，因此可以尋址 4K 字的程序存儲器空間。起始的 96 個地址為寄存器文件與 I/O 存儲器，接著是 512 字節(jié)的內(nèi)部數(shù)據(jù) SRAM。其起始緊跟在內(nèi)部 SRAM之后。因此，在使用外部存儲器時普通模式只能有 64928 字節(jié)。當(dāng)訪問 SRAM 的地址超出內(nèi)部 SRAM 的地址時， MCU 將對外部 SRAM 尋址（指令相同）。若要訪問外部 SRAM，必須置位MCUCR 的 SRE。 數(shù)據(jù)尋址模式分為 5 種：直接尋址，帶偏移量的間接尋址，間接尋址，預(yù)減的間接尋址，以及后加的間接尋址。直接尋址的范圍為整個數(shù)據(jù)空間。帶預(yù)減和后加的間接尋址模式要用到 X、 Y、 Z 指針。 更多論文 23 EEPROM數(shù)據(jù)存儲器 數(shù)據(jù)存儲器 ATmega8515 包含 512 字節(jié)的 EEPROM 數(shù)據(jù)存儲器。 EEPROM 的壽命至少為 100,000 次擦除周期。 EEPROM 讀 / 寫訪問 EEPROM 的訪問寄存器位于 I/O 空間。此時 CPU 可能工作于低于晶振所要求的電源電壓。控制寄存器的內(nèi)容。所有的 I/O位置都可以通過 IN與 OUT指令來訪問，在 32 個通用工作寄存器和 I/O 之間傳輸數(shù)據(jù)。更