微電子芯片技術2-在線瀏覽
2025-02-02 14:28本頁面
【正文】 , 所以它們都有不易寫入的缺點。2. 微電子芯片技術發(fā)展對材料的需求 167。EPROM： 紫外線擦除的可編程只讀存儲器。FLASH： 閃速存儲器，它和 EPROM類似，寫上去的東西也可以擦掉重寫，但它要方便一些，不需要光照了，只要用電學方法就可以擦除，所以就方便許多，而且壽命也很長。在通電以后改變狀態(tài)，不通電就固定狀態(tài)。 1999年朗科研 發(fā) 出全球第一款 USB閃 存 盤 ，成功啟動 了全球 閃 存 盤 行 業(yè) 。2. 微電子芯片技術發(fā)展對材料的需求 167。q 不存在類似軟盤 ,硬盤 ,光盤等的高速旋轉的盤片 ,所以它的體積往往可以做得很小。）8信息功能材料 167。 存儲電容材料q SiO2是傳統(tǒng)的電容介質材料（ dielectric） DRAM(Dynamic RandomAccess Memory)動態(tài)隨機存儲器電容絕緣介質層材料；q 高介電常數的氧化物鐵電材料NVFRAM(NonVolatile Random Access Memory)非揮發(fā)性的鐵電隨機存儲器是指斷電后仍能保持數據的一種 RAM。C=?.S/dSiO2介電率為 ； PZT介電率 1300。大量存儲單元組成存儲矩陣。2. 微電子芯片技術發(fā)展對材料的需求 167。晶體管控制電容空或滿。2. 微電子芯片技術發(fā)展對材料的需求 167。q FRAM第一個最明顯的優(yōu)點是可以跟隨總線速度寫入，無須任何等待時間。q FRAM的第三大優(yōu)點是超低功耗。2. 微電子芯片技術發(fā)展對材料的需求 167。鐵電體： 具有鐵電性的電介質，如鈦酸鋇陶瓷、酒石酸鉀鈉單晶。2. 微電子芯片技術發(fā)展對材料的需求 167。 13 由于鐵電材料具有自發(fā)極化，利用外電場作用下自發(fā)極化的轉向可以做成鐵電存儲器。2. 微電子芯片技術發(fā)展對材料的需求 167。電滯回線 磁滯回線14當一個電場被加到鐵電晶體時，中心原子順著電場的方向在晶體里移動。內部電路感應到電荷擊穿并設置存儲器。鐵電存儲器不需要定時更新，斷電后數據能夠繼續(xù)保存。鐵電薄膜被放置于 CMOS基層之上，并置于兩電極之間，使用金屬互連并鈍化后完成鐵電制造過程。2. 微電子芯片技術發(fā)展對材料的需求 167。 PZT可在低溫下生產 ,產生的電荷量大 ,而 SBT則可實現(xiàn)低耗電。2. 微電子芯片技術發(fā)展對材料的需求 167。2. 微電子芯片技術發(fā)展對材料的需求 167。2. 微電子芯片技術發(fā)展對材料的需求 167。2. 微電子芯片技術發(fā)展對材料的需求 167。這些導電薄層主宰了集成電路的運行速度。19u 集成電路內部器件之間的 互連材料通常稱為 局域互連材料。u 集成電路與外界的聯(lián)系的 互連材料一般采用 金屬互連材料。信息功能材料 167。 局域互連材料 /互連類型互連的類別：216。 長線互連216。 短線互連20信息功能材料 167。 局域互連材料 /互連類型金屬互連（ Ti/Al（ Cu） /TiN鎢接觸樞紐局域互連：硅化物中等線互連： W21金屬硅化物 是由金屬和硅組成的化合物，很多呈金屬導電特性。 低電阻；216。 高的電子遷移率阻抗；216。 信息功能材料 167。 局域互連材料 /金屬硅化物隨著集成度的提高，多晶硅的電阻率較高，接觸和局域互連成了影響電路速度的重要因素。2. 微電子芯片技術發(fā)展對材料的需求 167。23鎢插塞（ Tungsten Plug）主要利用金屬 W具有極佳的階梯覆蓋能力。 鎢插塞在多重金屬化制程上的應用及其結構 信息功能材料 167。 局域互連材料 /鎢插塞24導體是電子線路中的基本組成之一，它的主要功能是：p 進行電源分配和信號傳輸；p 連接電子電路中的芯片電阻、電感、電容等元器件。信息功能材料 167。25信息功能材料 167。 金屬互連材料 /鋁互連第一代互連技術是以鋁互連技術為代表。 以上 鋁互連 占主流，是最常用的金屬互連材料。鋁互連已不能勝任。 鋁線因電致遷移而產生的斷路情形 信息功能材料 167。 金屬互連材料 /鋁互連27因此在深亞微米工藝中（ 及以下），銅將逐步代替鋁成為硅片上多層布線的材料。cm ； A1,～ 缺點：易氧化；與介質層的粘結性差； 銅易擴散進入硅與二氧化硅形成銅與硅的化合物 ,影響器件的可靠性；硅擴散入銅將增加銅的電阻率。2. 微電子芯片技術發(fā)展對材料的需求 167。目前 , 銅 CVD技術已成熟。 另一部分銅被氧化成二價 , 隨廢氣排出。2. 微電子芯片技術發(fā)展對材料的需求 167。所以 , 銅鋁合金和銅錫合金的淀積是目前基于銅的金屬互連領域的一個研究重點。例如 , 銅中摻入錫 濃度應適中 , 一般低于 1原子 %。2. 微電子芯片技術發(fā)展對材料的需求 167。p 用兩路 precursor同時淀積 ,這兩路
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