光有源器件需要外加能源驅(qū)動才能工作的光電子-在線瀏覽
2025-02-01 13:35本頁面
【正文】 線 光纖 調(diào)制器 光調(diào)制器 電阻 光衰減器 三通（多通） 光耦合器 二極管 光隔離器 混頻器 光波分復(fù)用器 放大器 光放大器 頻率轉(zhuǎn)換器 光波長轉(zhuǎn)換器 濾波器 光濾波器 電源 光源 電接插件 光連接器 探頭 光探測器 開關(guān) 光開關(guān) 集成電路 集成光路 167。 發(fā)光器件的原理與特性 光纖通信系統(tǒng)中 ， 采用的光源及檢測器分別為半導(dǎo)體 發(fā)光二極管 (LED)、 激光器 (LD)和半導(dǎo)體光電探測器 (PD)。 由于化學(xué)環(huán)境及物理的原因 ， 原子的能級要發(fā)生變化 —— ? 每個(gè)原子核外電子的能級疊合成彼此相差很小的一組 能帶 ：原子內(nèi)層能級被電子填滿 ， 由它們形成的能帶也被電子占滿 ， 稱為 滿帶 (價(jià)帶 )；外層能級未被電子填滿 ， 它們形成的能帶亦未被填滿 ， 稱為 導(dǎo)帶 。 ? 下圖 簡略表示出半導(dǎo)體 、 絕緣體 、 及金屬的能帶 ，這 里僅畫出了導(dǎo)帶和滿帶 。 18固體的能帶理論 （ 1）半導(dǎo)體的禁帶很窄，滿帶中的電子較易進(jìn)入導(dǎo)帶。 （ 3）金屬 導(dǎo)體沒有禁帶，可顯示很強(qiáng)的導(dǎo)電性。 E外 場 E E滿帶 導(dǎo)帶 滿帶 導(dǎo)帶 滿帶 導(dǎo)帶 （ 1）半導(dǎo)體 eVE g 1??禁帶 eVE g 10??禁帶 外 場 （ 2） 絕緣體 （ 3）金屬 （ 1） 本征半導(dǎo)體 純凈的半導(dǎo)體 ， 如硅 、 鍺等 。（ 本征導(dǎo)電性 。如：硅中摻入雜質(zhì)磷后 ， 磷原子在硅中形成局部能級位于導(dǎo)帶底附近 （ 稱為施主能級 ） 。 n 型半導(dǎo)體以電子導(dǎo)電為主 。 一般溫度下 ， 滿帶中的電子很容易被激發(fā)躍遷至雜質(zhì)能級上 ，滿帶中留下的空穴也將因此而大大增加 ， 而成為多數(shù)載流子 。 外場 E滿帶 導(dǎo)帶 受主能級 P 型半導(dǎo)體 4Si4Ge5 5AsSb3In3AlB3Ga附：幾個(gè) 5價(jià)的元素 PN結(jié)： 正向連接 時(shí)， P中的空穴和 N中的電子都易于通過 PN 結(jié)， 形成 P ? N的正向宏觀電流。 結(jié)果：交界處出現(xiàn)正、負(fù)電偶層，
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