電力電子器件2-在線瀏覽
2025-01-31 22:23本頁面
【正文】 MOSEET、 IGBT。 (1) 單極型器件 功率 MOSFET 。 (3) 復合型器件 IGBT，是電力電子器件發(fā)展方向。 ? 工作頻率從高往低的器件是功率 MOSFET、 IGBT、BJT、 GTO和 SCR。 ? 功率二極管的伏安特性 晶閘管 ? 晶閘管 (Thyristor)就是硅晶體閘流管，普通晶閘管也稱為可控硅 SCR,普通晶閘管是一種具有開關作用的大功率半導體器件。 1. 晶閘管的結構 ? 晶閘管是具有四層 PNPN結構、三端引出線(A、 K、 G)的器件。 ? 晶閘管的結構和等效電路如圖 14 所示，晶閘管的管芯是 P1N1P2N2四層半導體，形成 3個 PN結 J J2和 J3。 ② 應在晶閘管的門極與陰極之間也加上正向電壓和電流。 (3) 為使晶閘管關斷，必須使其陽極電流減小到一定數值以下，這只有用使陽極電壓減小到零或反向的方法來實現。在主電極的正、反兩個方向均可用交流或直流電流觸發(fā)導通。 1. 無觸點開關 ? 讓晶閘管工作在全導通和截止兩種極限狀態(tài)，用微弱信號去迅速接通和切斷大電流胡電子開關。
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