圖解三極管的工作原理-在線瀏覽
2024-09-15 04:40本頁面
【正文】 清楚地 在圖3(a)中看出。 圖3 (a) pnp三極管在正向活性區(qū)時主要的電流種類；(b)電洞電位能分布及 注入的情形；(c)電子的電位能分布及注入的情形。圖3(b)和(c)個別畫出電洞 和電子的電位能分布及載體注入的情形。 集電極的摻雜通常最低，如此可增大CB極的崩潰電壓，并減小BC間反向偏壓的 pn接面的反向飽和電流，這里我們忽略這個反向飽和電流。 (cut off)狀態(tài):如圖5所示，當三極管之基極不加偏壓或 加上反向偏壓使BE極截止時(BE極之特性和二極管相同，須加 )，基極電流IB=0，因為IC=β IB，所以IC=IE=0，此時CE極之間相當于斷路，負載無電流。 圖6 (a)基極加上足夠的順向 (b)此時CE極之間視同 偏壓使IB足夠大 導通狀態(tài)晶體管的電路符號和各三個電極的名稱如下圖7 PNP型三極管 圖8 NPN型三極管 三極管的特性曲線 輸入特性 圖2 （b)是三極管的輸入特性曲線，它表示Ib隨Ube的變化關系，其特點是：1）當Uce在02伏范圍內，曲線位置和形狀與Uce有關，但當Uce高于2伏后，曲線Uce基本無關通常輸入特性由兩條曲線（Ⅰ和Ⅱ）表示即可。 3）三極管輸入電阻，定義為: rbe=(△Ube/△Ib)Q點，其估算公式為： rbe=rb+(β+1)(26毫伏/Ie毫伏） rb為三極管的基區(qū)電阻，對低頻小功率管，rb約為300歐。 截止區(qū)當Ube＜0時，則Ib≈0，發(fā)射區(qū)沒有電子注入基區(qū)，但由于分子的熱運動，集電集仍有小量電流通過，即Ic=Iceo稱為穿透電流，常溫時Iceo約為幾微安，鍺管約為幾十微安至幾百微安，它與集電極反向電流Icbo的關系是： Icbo=(1+β)Icbo 常溫時硅管的Icbo小于1微安，鍺管的Icbo約為10微安，對于鍺管，溫度每升高12℃，Icbo數(shù)值增加一倍，而對于硅管溫度每升高8℃， Icbo數(shù)值增大一倍，雖然硅管的Icbo隨溫度變化更劇烈，但由于鍺管的Icbo值本身比硅管大，所以鍺管仍然受溫度影響較嚴重的管，放大區(qū)，當晶體三極管發(fā)射結處于正偏而集電結于反偏工作時，Ic隨Ib近似作線性變化，放大區(qū)是三極管工作在放大狀態(tài)的區(qū)域。根據(jù)三極管發(fā)射結和集電結偏置情況，可能判別其工作狀態(tài)。良好的三極管，Icbo很小，小功率鍺管的Icbo約為1～10微安，大功率鍺管的Icbo可達數(shù)毫安培，而硅管的Icbo則非常小，是毫微安級。 Iceo大約是Icbo的β倍即Iceo=(1+β)Icbo o Icbo和Iceo受溫度影響極大，它們是衡量管子熱穩(wěn)定性的重要參數(shù)，其值越小，性能越穩(wěn)定，小功率鍺管的Iceo比硅
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