單晶硅中可能出現(xiàn)的各種缺陷-在線瀏覽
2024-09-15 03:29本頁面
【正文】 不超過幾個原子直徑的缺陷?！ 【€缺陷：線缺陷指二維尺度很小而第三維尺度很大的缺陷，也就是位錯?！ ∶嫒毕荩好嫒毕萁洺０l(fā)生在兩個不同相的界面上，或者同一晶體內部不同晶疇之間。我們可以用光學顯微鏡觀察面缺陷。一、點缺陷 點缺陷包括空位、間隙原子和微缺陷等?！ ∑渲袩狳c缺陷有兩種基本形式：弗侖克爾缺陷和肖特基缺陷。溫度愈高，平衡濃度愈大。間隙原子和空位目前尚無法觀察。 微缺陷 如果晶體生長過程中冷卻速度較快，飽和熱點缺陷聚集或者他們與雜質的絡合物凝聚而成間隙型位錯環(huán)、位錯環(huán)團及層錯等?！ ?）擇優(yōu)化學腐蝕： 擇優(yōu)化學腐蝕后在橫斷面上呈均勻分布或組成各種形態(tài)的宏觀漩渦花紋（漩渦缺陷）。在硅單晶的縱剖面上，微缺陷通常呈層狀分布。 3）掃描電子顯微技術，X射線形貌技術，紅外顯微技術等方法。TEM觀察到在原生直拉硅單晶中，存在著間隙位錯環(huán)，位錯團和小的堆跺層錯等構成的微缺陷，以及板片狀SiO2沉積物，退火Cz硅單晶中的微缺陷為體層錯、氧沉淀物及沉淀物位錯絡合物等。控制CZ硅單晶中原生缺陷的途徑是選擇合適的晶體生長參數(shù)和原生晶體的熱歷史。另外通過適宜的退火處理可減少或消除原生缺陷?！ ∥诲e形態(tài)及分布 1）擇優(yōu)化學腐蝕： 位錯蝕坑在{100}面上呈方形，但其形態(tài)還與位錯線走向、晶向偏離度、腐蝕劑種類、腐蝕時間、腐蝕液的溫度等因素有關。位錯排沿方向排列。在{100}面上，星形結構呈井字形組態(tài)。 平移界面：晶格中的一部分沿著某一面網相對于另一部分滑動(平移)。如果堆跺層偏離了原來固有的順序，周期性改變，則視為產生了堆跺層錯。按結晶方位差異的大小可將晶界分為小角晶界和大角晶界等。偏
環(huán)評公示相關推薦
鄂ICP備17016276號-1