太陽電池發(fā)展趨勢-在線瀏覽
2024-09-11 17:36本頁面
【正文】 16 ◆ 北京太陽能研究所高效電池 ? ＝ % 17 單晶硅電池的效率進展 18 激光刻槽埋柵電池 新新南威爾士大學(xué) 北京太陽能研究所 ? ＝ % ? ＝ % 19 商業(yè)化單晶硅電池組件 20 商業(yè)化單晶硅電池組件－ Sanyo aSi/cSi電池 （實驗室最好效率： ? ＝ %，面積 125 125） 21 2).多晶硅高效電池 ◆ 多晶硅材料制造成本低于單晶硅 CZ材料， ◆ 能直接制備出適于規(guī)?；a(chǎn)的大尺寸方 型硅錠， 240kg, 400kg, ◆ 制造過程簡單、省電、節(jié)約硅材料， 因此具有更大降低成本的潛力。 23 ◆ 喬治亞 (Geogia)工大－ 采用磷吸雜和雙層減 反射膜技術(shù)，使電池的效率達到 ％ ； ◆ 新南威爾士大學(xué)－采用類似 PERL電池技術(shù)， 使電池的效率 ％ ◆ Fraunhofer研究所 %－世界記錄 ◆ Kysera公司采用了 PECVD/SiN+表面織構(gòu)化 使 15?15cm2大面積多晶硅電池效率達 ％ . 24 商業(yè)化多晶硅電池組件－ Kyocera電池 25 其中 PECVD－ SiN鈍化技術(shù)對商業(yè)化多晶硅 電池的效率提高起到了關(guān)鍵性的作用。 硅－間接半導(dǎo)體 ， 理論上 100?m可以吸收 全部太陽光 。 降低硅片厚度是結(jié)構(gòu)電池降低成本的重要 技術(shù)方向之一 。 90年代－ 350～ 400 ?m。 ～ 2022年 200～ 260 ?m。 31 2) 帶硅技術(shù) 直接拉制硅片－免去切片損失 (內(nèi)園切割，刀鋒損失 300～ 400 ?m。 過去幾十年里開發(fā)過多種生長 帶硅 或片狀硅技術(shù) 32 ① EFG帶硅技術(shù) 采用石墨模具－電池效率 13％－ 15％ 。 33 34 ②蹼狀帶硅技術(shù)。切去兩邊的枝晶，用中間的片狀晶制作太陽電池。 35 ③ Astropower的多晶帶硅制造技術(shù)。實驗室太陽電池效率達到 ％ ，該技術(shù)實現(xiàn)了小規(guī)模的商業(yè)化生產(chǎn)。 1976年－ RCA實驗室－ 38 優(yōu)點： ① 資源豐富，環(huán)境安全； ② 光的吸收系數(shù)高，活性層只需要 1?m 厚，省材料； ③ 沉積溫度低，成本襯底上，如玻璃、 不銹鋼和塑料膜上等。 缺點： ①效率低 ②不穩(wěn)定－ 光衰減 (SW效應(yīng) )。 實驗室初始效率 8％ ～ 10％ ； ◆ 80年代后期哈爾濱和深圳分別從美國Chrona公司引進了 1MW生產(chǎn)能力的單結(jié)非晶硅生產(chǎn)線 ， 穩(wěn)定效率 3％ － 4％ 之間 。 ◆ 2022年 ， 以雙結(jié)非晶硅電池為重點的硅基薄膜太陽電池研究被列入國家 “ 973” 項目 ， 我國非晶硅電池的又進入一個新的研究階段 。 襯底材料：陶瓷 ， 石墨 ， 硅片 。 RTCVD－ ZMR nonactive Si substrate ?=% (北太所 ) modelling ceramic substrate ?=% (北太所 ) Particle ribbon Si ?=% (廣州能源所＋北太所 ) 46 ② 低溫技術(shù)路線－以 PECVD為代表 優(yōu)點：工藝溫度低， 200～ 300℃ ， 襯底容易獲得：玻璃，不銹鋼等； 缺點：薄膜質(zhì)量低，晶粒小，納米極。 47 澳大利亞 Pacific Solar 公司 PECVD－ 玻璃襯底－迭層多晶硅薄膜電池，效率 6％。 這種電池是由在鋁箔上形成連續(xù)排列的硅球所組成的 ， 硅球的平均直徑為 ，每個小球均有 pn結(jié) ， 小球在鋁箔上形成并聯(lián)結(jié)構(gòu) 。 硅球電池在技術(shù)上有一定的特色 ， 但規(guī)模化生產(chǎn)仍存在許多技術(shù)障礙 。同時這些半導(dǎo)體是直接帶隙材料，對陽光的吸收系數(shù)大，只要幾個微米厚就能吸收陽光的絕大部分，因此是制作薄膜太陽電池的優(yōu)選活性材料。 50 1) CdTe電池 CdTe－ IIVI族化合物 ， Eg＝ , 理論 效率 28%， 性能穩(wěn)定 ， 一直被光伏界看重 。 51 我國 CdTe電池的研究工作開始于 80年代初。 ◆ 90年代后期四川大學(xué)－近空間升華， “ 十五 ”期間，列入國家“ 863”重點項目， 并要求建立 /年的
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