【正文】 取忙碌狀態(tài)（BF）和位址CODE： RW RS DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0LHBFAC6AC5AC4AC3AC2AC1 AC0 功能：讀取忙碌狀態(tài)（BF）可以確認(rèn)內(nèi)部動(dòng)作是否完成，同時(shí)可以讀出位址計(jì)數(shù)器（AC）的值寫(xiě)資料到RAMCODE： RW RS DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0HLD7D6D5D4D3D2D1 D0 功能：寫(xiě)入資料到內(nèi)部的RAM（DDRAM/CGRAM/TRAM/GDRAM）1讀出RAM的值CODE： RW RS DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0HHD7D6D5D4D3D2D1 D0 功能：從內(nèi)部RAM讀取資料（DDRAM/CGRAM/TRAM/GDRAM）1 待命模式（12H）CODE： RW RS DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0LLLLLLLLL H 功能：進(jìn)入待命模式，執(zhí)行其他命令都可終止待命模式1卷動(dòng)位址或IRAM位址選擇（13H）CODE： RW RS DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0LLLLLLLLH SR 功能：SR=1；允許輸入卷動(dòng)位址 SR=0；允許輸入IRAM位址 1反白選擇（14H）CODE： RW RS DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0LLLLLLLHR1 R0功能：選擇4行中的任一行作反白顯示，并可決定反白的與否1睡眠模式（015H）CODE： RW RS DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0LLLLLLHSLX X功能：SL=1；脫離睡眠模式 SL=0；進(jìn)入睡眠模式1擴(kuò)充功能設(shè)定（016H）CODE： RW RS DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0LLLLHHX1 REG L 功能：RE=1；擴(kuò)充指令集動(dòng)作 RE=0；基本指令集動(dòng)作 G=1；繪圖顯示ON G=0；繪圖顯示OFF1設(shè)定IRAM位址或卷動(dòng)位址（017H）CODE： RW RS DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0LLLHAC5AC4AC3AC2AC1 AC0 功能：SR=1；AC5~AC0為垂直卷動(dòng)位址 SR=0；AC3~AC0寫(xiě)ICONRAM位址1設(shè)定繪圖RAM位址（018H）CODE： RW RS DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0LLHAC6AC5AC4AC3AC2AC1 AC0 功能：設(shè)定GDRAM位址到位址計(jì)數(shù)器（AC）備注、當(dāng)模塊在接受指令前，微處理順必須先確認(rèn)模塊內(nèi)部處于非忙碌狀態(tài)，即讀取BF標(biāo)志時(shí)BF需為0，方可接受新的指令；如果在送出一個(gè)指令前并不檢查BF標(biāo)志，那么在前一個(gè)指令和這個(gè)指令中間必須延遲一段較長(zhǎng)的時(shí)間，即是等待前一個(gè)指令確實(shí)執(zhí)行完成，指令執(zhí)行的時(shí)間請(qǐng)參考指令表中的個(gè)別指令說(shuō)明。本次設(shè)計(jì)液晶初始化如下：void lcd_init(){ rst = 0。 //保證復(fù)位所需要的時(shí)間（1ms） rst = 1。// psb = 1。 //基本指令操作 send_i(0x01)。 //指定在寫(xiě)入或讀取時(shí)，光標(biāo)的移動(dòng)方向 send_i(0x0c)。 send_i(0x34)。 for(j = 0。j++) { send_i(i++)。 for(k = 0。k++) { send_d(*ptr++)。 for(j = 0。j++) { send_i(i++)。 for(k = 0。k++) { send_d(*ptr++)。 //打開(kāi)繪圖顯示 send_i(0x30)。 //發(fā)送數(shù)據(jù)給lcd}// 應(yīng)用如下const uchar table1[ ]={ 基PIC 單片機(jī)}。 const uchar table3[ ]={ 巡回檢測(cè)系統(tǒng)}。 send_i(0x80)。 // 寫(xiě)：基PIC 單片機(jī) send_i(0x90)。 // 寫(xiě)：多路溫度 send_i(0x88)。 // 寫(xiě)：巡回檢測(cè)系統(tǒng) send_i(0x98)。 // 寫(xiě)：2009年12月01日 與單片機(jī)的接口實(shí)現(xiàn) 1所示， 2所示 圖 1 12864液晶電路連接圖 圖 2 12864液晶模塊實(shí)物圖 設(shè)計(jì)心得總結(jié)LCD12864與1602相比需要較大的電流驅(qū)動(dòng)，如果出現(xiàn)圖片模糊不清晰或者灰暗，除了檢查背光燈外應(yīng)考慮電源問(wèn)題?；掘?qū)動(dòng)跟1602相似難度不大。整屏畫(huà)圖可以使用PCtoLCD2002把圖片轉(zhuǎn)換成16進(jìn)制數(shù)，局部畫(huà)曲線、直線、圓等需要一些算法，比較復(fù)雜4 DS18B20原理介紹及接口實(shí)現(xiàn) DS18B20簡(jiǎn)介DS18B20是DALLAS半導(dǎo)體公司推出的第一片支持“一線總線”接口的溫度傳感器，他它具有微型化、低功耗、高性能、抗干擾能力強(qiáng)、易配微處理器等優(yōu)點(diǎn)，可直接將溫度轉(zhuǎn)化成串行數(shù)字信號(hào)供處理器處理。（2） 獨(dú)特的單線接口方式，與微處理器連接時(shí)只需要一條口線即可實(shí)現(xiàn)微處理器與DS18B20的雙向通信。（4） 在使用中不需要任何外圍元件，全部傳感元件以及轉(zhuǎn)換電路集成在形如一直三極管的集成電路內(nèi)?！妫?） 可編程分辨率為9~12位，℃、℃、℃℃，可實(shí)現(xiàn)高精度測(cè)溫。電源極性接反時(shí)，芯片不會(huì)因?yàn)檫^(guò)熱而燒毀，但不能正常工作。由此我們可以看出DS18B20主要由4部分組成：64位ROM、溫度傳感器、非揮發(fā)的溫度報(bào)警觸發(fā)器TH和TL、配置寄存器。 DS18B20引腳和封裝每顆DS18B20在出廠前都有一個(gè)64位光刻ROM，它可以看作該DS18B20的地址序列碼。光刻ROM的作用是使每一個(gè)DS18B20都各不相同，這樣就可以實(shí)現(xiàn)一條總線 掛接多個(gè)DS18B20的目的。DS18B20有嚴(yán)格的通信協(xié)議來(lái)保證各位數(shù)據(jù)傳輸?shù)恼_性和完整性。所有時(shí)序都是將主機(jī)作為主設(shè)備，單總線器件作為從設(shè)備。數(shù)據(jù)和命令的傳輸都是低位在先。DQ=0void reset(){ uchar st=1。 // 先拉至高電平 NOP()。 while(st) { DQ_LOW()。 // 延時(shí)503usDQ_HIGH()。 //延時(shí)60us if(DQ==1) //沒(méi)有接收到應(yīng)答信號(hào)，繼續(xù)復(fù)位 st=1。 delayus(50,10)。 對(duì)于DS18B20的讀時(shí)隙是從主機(jī)把單總線拉低之后，在15uS之內(nèi)釋放單總線，以讓DS18B20把數(shù)據(jù)傳輸?shù)絾慰偩€上。 DS18B20讀時(shí)序圖/********************************************************************* 名 稱：read_byte() * 功 能：18b20讀字節(jié)* 出口參數(shù)：讀出18B20的內(nèi)容********************************************************************/uch read_byte(){ uch i。 //讀出溫度 static bit j。i 0。 DQ_LOW()。NOP()。NOP()。NOP()。 //拉至高電平 NOP()。NOP()。NOP()。 if (j) value |= 0x80。 //63us } return (value)。 對(duì)于DS18B20寫(xiě)0時(shí)序和寫(xiě)1時(shí)序的要求不同，當(dāng)要寫(xiě)0時(shí)序時(shí)，單總線要被拉低至少60us，保證DS18B20能夠在15us到45us之間能夠正確地采樣IO總線上的“0”電平，當(dāng)要寫(xiě)1時(shí)序時(shí)，單總線被拉低之后，在15us之內(nèi)就得釋放單總線。 uch temp。i 0。 0x01。 NOP()。NOP()。NOP()。 //如果寫(xiě)1,拉高電平 delay(2, 7)。 NOP()。 val = val 1。表2 DS18B20高速暫存器結(jié)構(gòu)寄存器內(nèi)容字節(jié)地址溫度值低位（LSB）0溫度值高位（MSB）1高溫限值（TH）2低溫限值（TL）3配置寄存器4保留5保留6保留7CRC校驗(yàn)值8DS18B20所包含的操作指令如表3所示。12位轉(zhuǎn)換時(shí)長(zhǎng)典型值750ms讀暫存器BEH讀內(nèi)部RAM中9字節(jié)的數(shù)據(jù)。表4 DS18B20溫度數(shù)據(jù)存儲(chǔ)格式位7位6位5位4位3位2位1位02322212021222324位15位14位13位12位11位10位9位8SSSSS262524DS18B20在出廠是默認(rèn)配置為12位，其中最高位為符號(hào)位，即溫度值共11位，單片機(jī)在讀取數(shù)據(jù)時(shí)，一次會(huì)讀2字節(jié)共16位。前5個(gè)數(shù)字為符號(hào)位，這5位同時(shí)變化，我們只需要判斷11位就可以了。前5位為0時(shí)，讀取的溫度為正值，且溫度為正值時(shí)。/****************************************************************** 名 稱：get_temp() * 功 能：?jiǎn)?dòng)溫度轉(zhuǎn)換*****************************************************************/void get_tem(){ uchar tem1,tem2,num。 reset()。 //跳過(guò)ROM write_byte(0x44)。num0。 //再次復(fù)位，等待從機(jī)應(yīng)答 write_byte(0xCC)。 //發(fā)送讀溫度命令 tem1=read_byte()。 //讀出溫度高8位 shu=(tem24|tem14)。 //溫度小數(shù)部分 temper=(int)aaa。 //取溫度十位 a2=temper%1000/100。 //小數(shù)點(diǎn)后個(gè)位 a4=temper%10。 DS18B20原理圖 DSB18B20硬件連接實(shí)物圖 軟件設(shè)計(jì)根據(jù)DS18B20約定的通訊協(xié)議，每次使用DS18B20之前都必須經(jīng)過(guò)三個(gè)步驟，即先復(fù)位DS18B20，接著發(fā)出ROM操作指令，然后才可以發(fā)出RAM操作指令以進(jìn)行溫度轉(zhuǎn)換等命令。由于DS18B20對(duì)時(shí)序要求很?chē)?yán)格，所以在程序設(shè)計(jì)時(shí)，時(shí)序要多加注意一點(diǎn)，不過(guò)數(shù)字不是死的，只要控制合理控制也不是掃描大問(wèn)題。我曾經(jīng)因此燒壞了兩個(gè)傳感器，得此痛訓(xùn)！ 軟件設(shè)計(jì)：DS18B20時(shí)序要求較為嚴(yán)格，這里的嚴(yán)格不是說(shuō)一定要按手冊(cè)的時(shí)間一摸一樣而是說(shuō)相對(duì)其他芯片來(lái)說(shuō)嚴(yán)格了一點(diǎn)。再有一個(gè)難點(diǎn)就是溫度轉(zhuǎn)換問(wèn)題。開(kāi)機(jī)會(huì)出現(xiàn)85C那是18B20復(fù)位值 不足：此次設(shè)計(jì)沒(méi)有處理溫度負(fù)數(shù)情況，如果要處理應(yīng)該判斷最高位符號(hào)位，然后取反加一。5 存儲(chǔ)芯片AT24C02簡(jiǎn)單介紹及接口實(shí)現(xiàn) AT24C02功能描述管腳定義AT24C02是一個(gè)2K位串行CMOS E2PROM， 內(nèi)部含有256個(gè)8位字節(jié)，CATALYST公司的先進(jìn)CMOS技術(shù)實(shí)質(zhì)上減少了器件的功耗。該器件通過(guò)IC總線接口進(jìn)行操作，有一個(gè)專門(mén)的寫(xiě)保護(hù)功能。任何從總線接收數(shù)據(jù)的器件為接收器。主器件和從器件都可以作為發(fā)送器或接收器，但由主器件控制傳送數(shù)據(jù)（發(fā)送或接收）的模式，通過(guò)器件地址輸入端A0、A1