斬波是電力電子控制中的一項變流技術(shù)-在線瀏覽
2024-08-23 23:51本頁面
【正文】 合理，十分值得探討?！ ?) IGBT的過流能力 半導(dǎo)體元件的過流能力通常用允許的峰值電流IM來衡量，IGBT目前還沒有國際通用的標(biāo)準(zhǔn)，按德國EUPEC、日本三菱等公司的產(chǎn)品參數(shù)，IGBT的峰值電流定為最大集電極電流（標(biāo)稱電流）的2倍，有 例如，標(biāo)稱電流為300A元件的峰值電流為600A；而標(biāo)稱800A元件的峰值電流為1600A?！ 〕惺苓^流的能力強(qiáng)弱是衡量斬波工作可靠與否的關(guān)鍵，要使電路不發(fā)生過流幾乎是不可能的，負(fù)載的變化，工作狀態(tài)切換的過度過程，都將引發(fā)過流和過壓，而過流保護(hù)畢竟是被動和有限的措施，要使器件安全工作，最終還是要提高器件自身的過流能力?！ 《? IGBT的擎住效應(yīng) IGBT的簡化等效電路如圖3所示:圖3 IGBT的等效電路及晶閘管效應(yīng) 其中的NPN晶體管和體區(qū)短路電阻Rbr都是因工藝而寄生形成的，這樣，主PNP晶體管與寄生NPN晶體管形成了寄生的晶閘管，當(dāng)器件的集電極電流足夠大時，在電阻Rbr上產(chǎn)生正偏電壓將導(dǎo)致寄生晶體管導(dǎo)通，造成寄生晶閘管導(dǎo)通，IGBT的柵極失去控制，器件的電流迅猛上升超過定額值，最終燒毀器件，這種現(xiàn)象稱為擎住效應(yīng)?！ ∪? IGBT的高阻放大區(qū) “晶體管是一種放大器”，ABB公司的半導(dǎo)體專家卡羅爾在文獻(xiàn)1中對晶體管給出了中肯*價?！ ”娝苤?，功率半導(dǎo)體器件都是作為開關(guān)使用的，有用的工作狀態(tài)只有導(dǎo)通和截止，放大狀態(tài)非但沒用，反而起負(fù)面作用。IGBT從屬于晶體管，同樣存在高阻放大區(qū)，器件在作開關(guān)應(yīng)用時，必然經(jīng)過放大區(qū)引起發(fā)熱，這是包括IGBT在內(nèi)的晶體管在開關(guān)應(yīng)用上遜色于晶閘管的原理所在?！ “雽?dǎo)體器件的封裝形式是為器件安裝和器件散熱服務(wù)的?！ ∧K式結(jié)構(gòu)多用于將數(shù)個器件整合成基本變流電路，例如，整流、逆變模塊，具有體積小，安裝方便，結(jié)構(gòu)簡單等優(yōu)點，缺點是器件只能單面散熱，而且要求底板
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