模擬電子線路習(xí)題習(xí)題答案-在線瀏覽
2024-08-04 23:33本頁(yè)面
【正文】 則u0＝＝。(c)所示。若ui＝10 sinωt(V)，試畫(huà)出u0的波形。當(dāng)ui≤，Vz正向?qū)ǎ瑄0＝。 。試選擇限流電阻R的值。 （3）穩(wěn)壓管的參數(shù)如（1）中所示，當(dāng)=10V時(shí)，其工作電流=20mA，=12，如=20V不變，試求從無(wú)窮大到1k時(shí)，輸出電壓變化的值為多少？ +_+_+ 解：（1）因?yàn)槭街?，因，所?0，V 式中 mA,V=18V 選擇R應(yīng)滿足：400R457 (2) 當(dāng)時(shí)，mA。（3）當(dāng)時(shí)，=10V。試畫(huà)出各晶體管的電路符號(hào)，確定每管的b、e、c極，并說(shuō)明是鍺管還是硅管。5V0V3AX81(a)12V3V0V(d)3DG87V3CG21(c)8V3V(b)3BX1解：題圖（a）3AX為PNP鍺管，V（正偏），V（反偏），放大狀態(tài)題圖（b）：e結(jié)反偏，c結(jié)反偏，截止?fàn)顟B(tài)題圖（c）：e結(jié)正偏，c結(jié)正偏，飽和狀態(tài)題圖（d）：e結(jié)開(kāi)路，晶體管損壞 ，其中nb0表示平衡時(shí)自由電子的濃度。（2）說(shuō)明每種濃度分布曲線所對(duì)應(yīng)的晶體管的工作狀態(tài)。據(jù)此，可以判別： （1）圖 (a)：發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)反偏。圖 (c)：發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)正偏。 （2）圖 (a)：截止。圖 (c)：飽和。（1） 求IBQ=，2點(diǎn)的β值。解：（1）Q1點(diǎn)：（2）。判別電路的工作狀態(tài)。 (a)、(b)所示分別為固定偏置和分壓式電流負(fù)反饋偏置放大電路。在20oC時(shí)晶體管的β=50，55oC時(shí)，β=70。UCC(12V)(a)RB246kRC T (b)RB130kRC T RB210kRE1kUCC(12V)解：（a）為固定偏流電路。（1）20時(shí)（2）55時(shí)的變化為 。(2)若偏置電阻RBRB2分別開(kāi)路,試分別估算集電極電位UC值，并說(shuō)明各自的工作狀態(tài)。（2）當(dāng)RB1開(kāi)路時(shí)，I3Q=0,管子截止。技術(shù)要求是：溫度在55~125范圍內(nèi)變化時(shí)，要求1mA和。解：(1)的估算。（2）的估算。例如設(shè)，則，當(dāng)T=125時(shí)的，此時(shí)的技術(shù)要求，因此還需要重新選取值，直至滿足要求為止。 （4）核算T=125時(shí)的值。 。（1）試畫(huà)出與ui相對(duì)應(yīng)的uBE、和uCE的波形。UCCRBRCC2 RLC1 ui+ +uo解：（1）（b）所示。 （a）所示，正常工作時(shí)靜態(tài)工作點(diǎn)為Q。若原工作點(diǎn)為Q，減小時(shí)，移至，增加時(shí)，移至。如原工作點(diǎn)為Q，增加，也增加，工作點(diǎn)可移至，反之，下降，也下降，工作點(diǎn)可移至。設(shè)基極靜態(tài)電流A，k，k，V，厄爾利電壓V，C為隔直、耦合電容。已知A則（mA） (V)由以上關(guān)系式可以看出，因電路輸出端沒(méi)有隔直電容，負(fù)載電阻與工作點(diǎn)有關(guān)。kk。試問(wèn)：（1）將反接，電路的工作狀態(tài)有何變化？又為多少？（2）定性分析由于反接，對(duì)放大電路電壓增益、輸入電阻的影響。己知該管的厄爾利電壓|UA|＝120 V。(2)畫(huà)出高頻混合π型交流等效電路，確定等效電路中各參數(shù)值。 （a）所示的共集放大電路（為基極自舉電路），已知晶體管的，k，mS；k，k，k，電容、對(duì)信號(hào)可視為短路。C1RB1UCCRB1C1T+UoRERB2RB3+UiC2C3RiRoRLT+UoRERB1//RB2RB2RB3+UiRiRoRL(b)解：（b）所示。(2) 求放大器的AuRi和Ro。并說(shuō)明輸出信號(hào)相對(duì)輸入的相位關(guān)系。輸出與輸入反相。輸出與輸入反相。輸出與輸入同相。輸出與輸入反相。已知兩個(gè)晶體管參數(shù)相同：，k。 （1）計(jì)算輸入電阻、輸出電阻。UCCC2+Uo+UiRiRoR4 2kV2V1R4 72kUEE解：（1）其中 所以（k）（k）（2） (a)所示。已知靜態(tài)IEQ3=3mA。 (1)試求各管的靜態(tài)集電極電流ICQ。+UiC1RiD1D2RoR2 3k R3 2k R1 2k V1V2V3RB+UoUCC12V(a)+Ui+UoRBR2R3rb’e1ib1ib1ib3rb’e2ib2rb’e3ib3(b)2reib2解：(1) (2)(b)所示。試判別其類型，并說(shuō)明各管子在∣UDS∣= 10V時(shí)的飽和漏電流IDSS、夾斷電壓UGSOff（或開(kāi)啟電壓UGSth）各為多少。MOSFET中有耗盡型P溝和N溝（可為正、零或負(fù)），增強(qiáng)型P溝（只能為負(fù)）和N溝（只能為正）。 圖 (b)：P溝結(jié)型FET，=3mA, V。，并設(shè)各管的V。(a)(b)(c)(d)D 3VD 5VD 5VD 9V5VGS 2VS 0VS 0VS 0VG3V 解：圖 (a)中，N溝增強(qiáng)型MOSFET，因?yàn)閂V，VV，所以工作在恒流區(qū)。 圖 (c)中，P溝增強(qiáng)型MOSFET，VV，VV，所以工作在恒流區(qū)。 （a）和（b）所示電路中。試求、和的值。試求、和的值。第四章 。10102103104105106107102030400f/Hz20lg(Au)dB(2) 當(dāng)和時(shí)，輸出信號(hào)有無(wú)失真？是何種性質(zhì)的失真？分別說(shuō)明之。(2)當(dāng)時(shí)，其中f=104Hz的頻率在中頻段，而的頻率在高頻段，可見(jiàn)輸出信號(hào)要產(chǎn)生失真，即高頻失真。 ，試寫(xiě)出β的頻率特性表達(dá)式，分別指出該管的ωβ、ωT各為多少？并畫(huà)出其相頻特性的近似波特圖。 某一放大器的中頻增益為AuI=40dB，上限頻率為fH=2MHz，下限頻率fL=100Hz，輸出不失真的動(dòng)態(tài)范圍為Uopp=10V。但由于輸入信號(hào)幅度較大（）,2100＝20V，已大大超過(guò)輸出不失真動(dòng)態(tài)范圍（UOPP=10V）,故輸出信號(hào)將產(chǎn)生嚴(yán)重的非線性失真（波形出現(xiàn)限幅狀態(tài)）。又因?yàn)樾盘?hào)幅度較小，為10m V,經(jīng)放大后峰峰值為100210＝2V，故也不出現(xiàn)非線性失真。（4）輸入信號(hào)兩個(gè)頻率分量分別為10Hz及50KHz，一個(gè)處于低頻區(qū)，而另一個(gè)處于中頻區(qū)，故經(jīng)放大后會(huì)出現(xiàn)低頻頻率失真，又因?yàn)樾盘?hào)幅度小，疊加后放大器也未
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