【正文】 所需的冷水。水溫升高后，水的比重減輕，便經(jīng)上升水管進(jìn)入循環(huán)水箱上部。這樣不斷對(duì)流循環(huán)，水溫逐漸提高，直到集熱器吸收的熱量與散失的熱量相平衡時(shí)，水溫不再升高。集熱器是一種利用溫室效應(yīng)，將太陽能輻射轉(zhuǎn)換為熱能的裝置，該裝置與一般熱水交換器不一樣，熱交換器通常只是液體到液體，或是液體到氣體的熱交換過程，而平板行集熱器時(shí)直接將太陽輻射傳給液體或氣體，是一個(gè)復(fù)雜的傳熱過程。 主要芯片的結(jié)構(gòu)與特點(diǎn)隨著2000 年的即將來臨，“千年蟲”問題成為困擾當(dāng)今世界的一大難題。據(jù)此，美國(guó)達(dá)拉斯半導(dǎo)體公司(Dallas)最新推出DS12887的串行接口實(shí)時(shí)時(shí)鐘芯片，采用CMOS 技術(shù)制成，具有內(nèi)部晶振和時(shí)鐘芯片備份鋰電池，同時(shí)它與目前IBMAT計(jì)算機(jī)常用的時(shí)鐘芯片MC146818B 和DS1287 管腳兼容，可直接替換。采用DS12887 芯片設(shè)計(jì)的時(shí)鐘電路不需任何外圍電路和器件，并具有良好的微機(jī)接口。美國(guó)Dallas公司推出兩款數(shù)字時(shí)鐘芯片DS12887/DS12C887，兩款時(shí)鐘芯片都將在1999年12月31日23時(shí)59分59秒時(shí)順利地跳到2000 年1月1日零時(shí)，并能實(shí)2000 年2月29 日的閏年提示，是時(shí)鐘芯片DS1287 的增強(qiáng)型品種，結(jié)構(gòu)上相當(dāng)于MC146818B 的改進(jìn)型。此外，片內(nèi)通用的RAM 為MC146818 的兩倍以上。使用時(shí)無需外圍電路元件，只要選擇引腳MOT 電平，即可和不同計(jì)算機(jī)總線連接。(2) 具有可編程選擇的周期性中斷方式和多頻率輸出的方波發(fā)生器功能。(4) 由于該芯片具有多種周期中斷速率時(shí)鐘中斷功能，因此可以滿足各種不同的待機(jī)要求，最長(zhǎng)可達(dá)24小時(shí)，使用非常方便。(6) 工作電壓： + 4. 5～5. 5V、工作電流：7～15mA。C。圖24 DS18B20內(nèi)部框圖其中：MOT：計(jì)算機(jī)總線選擇端；SQW：方波輸出，速率和是否輸出由專用寄存器A、B的預(yù)置參數(shù)決定；AD0～AD7：地址/數(shù)據(jù)(雙向)總線，由AS 的下降沿鎖存8位地址；R/W：讀/寫數(shù)據(jù)。DS12887內(nèi)部由振蕩電路，分頻電路，周期中斷/方波選擇電路，14字節(jié)時(shí)鐘和控制單元，114字節(jié)用戶非易失RAM，十進(jìn)制/二進(jìn)制計(jì)加器，總線接口電路，電源開關(guān)寫保護(hù)單元和內(nèi)部鋰電池等部分組成。當(dāng)5V電壓在正常范圍內(nèi)時(shí)，數(shù)據(jù)可讀寫。當(dāng)VCC下降到3V以下時(shí)，RAM和計(jì)時(shí)器供電被切換到內(nèi)部鋰電池。SQW(方波信號(hào)輸出)：SQW 管腳能從實(shí)時(shí)時(shí)鐘內(nèi)部15級(jí)分頻器的13個(gè)抽頭中選擇一個(gè)作為輸出信號(hào)，其輸出頻率可通過對(duì)寄存器A編程改變。AS (地址選通輸入)：用于實(shí)現(xiàn)信號(hào)分離，在AD/ ALE 的下降沿把地址鎖入DS12887。 在寫周期，DS的后沿使DS12887鎖存寫數(shù)據(jù)。R/W(讀/ 寫輸入) ： R/ W 管腳也有兩種操作模式。在此模式下，R/ W管腳與通用RAM 的寫允許信號(hào)(WE) 的含義相同。IRQ(中斷申請(qǐng)輸入)：低電平有效，可作微處理的中斷輸入。IRQ線是漏極開中輸入，要求外接上接電阻。因DS12887 和DS12C887 結(jié)構(gòu)功能上類似，現(xiàn)以DS12887 為例說明如下：CPU通過讀DS12887的內(nèi)部時(shí)標(biāo)寄存器得到當(dāng)前的時(shí)間和日歷，也可通過選擇二進(jìn)制碼或BCD碼初始化芯片的10個(gè)時(shí)標(biāo)寄存器。DS12887 的4個(gè)狀態(tài)寄存器用來控制和指DS12887模塊的當(dāng)前工作狀態(tài)，除數(shù)據(jù)更新周期外，程序可隨時(shí)讀寫這4個(gè)寄存器，各寄存器的功能和作用如下。寄存器的控制字的格式如下表2所列：表22 DS12887 控制寄存器A 各布爾位定義：IT7 BIT6 BIT5 BIT4 BIT3 BIT2 BIT1 BIT0UIP DV2 DV1 DV0 RS3 RS2 RS1 RS0 位：更新周期標(biāo)志位。該位是只讀位。當(dāng)芯片解除復(fù)位狀態(tài)，并將010寫入DV0、DVDV2后，另一個(gè)更新周期將在500ms后開始。這與MC146818 不同的是，DS12887固定使用32 768Hz 的內(nèi)部晶體，所以，DV0 =“0”，DV1 =“1”，DV2 =“0”，即只有一種010的組合選擇即可啟動(dòng)RTC。各種不同的組合可以產(chǎn)生不同的輸出。其寄存器A輸出速率選擇位如表3所列。寄存器B的控制字的格式如表4所列。(2)PIE、AIE、UIE 位：分別為周期中斷、報(bào)警中斷、更新周期結(jié)束中斷允許位。(3)SQWE 位：方波輸出允許位。SQWE =“0”，腳SQW保持低電平。DM =“0”時(shí)，為十進(jìn)制BCD碼。(5) 24/ 12 位： 24/ 12 小時(shí)模式設(shè)置位。24/ 12 位=“0”時(shí)，為12 小時(shí)工作模式。DSE=“1”，夏時(shí)制設(shè)置有效，夏時(shí)制結(jié)束可自動(dòng)刷新恢復(fù)時(shí)間。寄存器C的控制字的格式如表4所列。表25 DS12887 控制寄存器C各布爾位定義BIT7 BIT6 BIT5 BIT4 BIT3 BIT2 BIT1 BIT0IRQF PF AF UF 0 0 0 0　　(1) IRQF位：中斷申請(qǐng)標(biāo)志位。PIE +AFUIE。(2) PF、AF、UF 位：這三位分別為周期中斷、報(bào)警中斷、更新周期結(jié)束中斷標(biāo)志位。(3) BIT3～BIT0 ：未定義的保留位。寄存器D為只讀寄存器。表26 DS12887 控制寄存器D 各布爾位定義BIT7 BIT6 BIT5 BIT4 BIT3 BIT2 BIT1 BIT0VRT 0 0 0 0 0 0 0(1) VRT 位：芯片內(nèi)部RAM 與寄存器內(nèi)容有效標(biāo)志位。讀該寄存器后，該位將自動(dòng)置“1”。讀出的數(shù)值始終為0。在更新周期內(nèi)，芯片內(nèi)部時(shí)標(biāo)寄存器數(shù)據(jù)處于更新階段，故在該周期內(nèi)，微處理器不能讀芯片時(shí)標(biāo)寄存器的內(nèi)容，否則將得到不確定數(shù)據(jù)。另外一個(gè)功能是檢查三個(gè)時(shí)、分、秒報(bào)警時(shí)標(biāo)寄存器的內(nèi)容是否與對(duì)應(yīng)時(shí)標(biāo)寄存 器的內(nèi)容相符，如果相符則寄存器C中的AF位置“1”。為了采樣時(shí)標(biāo)寄存器中的數(shù)據(jù)，DS12887/DS12C887 提供了兩種避開更新周期內(nèi)訪問時(shí)標(biāo)寄存器的方案：第一種是利用更新周期結(jié)束發(fā)出的中斷。因?yàn)樾酒瑑?nèi)部的靜態(tài)RAM 和狀態(tài)寄存器是可隨時(shí)讀寫的，在離開中斷服務(wù)子程序前應(yīng)清除寄存器C中的IRQF 位。在UIP位從低變高244μs后，芯片將開始其更新周期，所以檢測(cè)到UIP位為低電平時(shí)，則利用244μs 的間隔時(shí)間去讀取時(shí)標(biāo)信息。 80C51單片機(jī)結(jié)構(gòu)特點(diǎn)微型計(jì)算機(jī)的出現(xiàn)與發(fā)展已廣泛應(yīng)用到各行各業(yè)中，使人們的日常生活工作都發(fā)生了重大變化，如果沒有微型計(jì)算機(jī)，人們的工作生活的質(zhì)量都受到很大的損失。一、單片機(jī)的組成單片微型計(jì)算機(jī)簡(jiǎn)稱單片機(jī)，它在一塊芯片上集成了各種功能部件：中央處理器（CPU）、隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RAM）、只讀存儲(chǔ)器（ROM）、定時(shí)器/計(jì)數(shù)器、和各種輸入/輸出（I/O）接口（如并行I/O口、串行I/O口和A/D轉(zhuǎn)換器）等。 圖26 單片機(jī)結(jié)構(gòu)框圖二、 80C51單片機(jī)的引腳描述及片外總線結(jié)構(gòu)CHMOS制造工藝的80C51單片機(jī)采用40引腳的雙列直插封裝（DIP方式），在單片機(jī)的40條引腳中有2條專用于主電源的引腳，2條外接晶體的引腳，4條控制與其它電源復(fù)用的引腳，32條輸入/輸出（I/O）引腳。（1） 電源引腳VCC和VSS。VSS（20腳）接地。 XTAL1（19腳）接外部晶體的一個(gè)引腳。當(dāng)采用外部振蕩器時(shí)，對(duì)CHMOS單片機(jī)，此引腳作為驅(qū)動(dòng)端。在單片機(jī)內(nèi)部，接至上述振蕩器的反相放大器的輸出端。（3） 控制或與其他電源復(fù)用引腳RST/VPD、ALE/PROG、PSEN和EA/VPP。與VCC引腳之間連接一個(gè)約10uf的電容，以保證可靠地復(fù)位。當(dāng)VCC主電源下掉到低于規(guī)定的電平，而VPD在其規(guī)定的電壓范圍內(nèi)，VPD就向內(nèi)部RAM提供備用電源。即使不訪問外部存儲(chǔ)器，ALE端仍以不變的頻率周期性地出現(xiàn)正脈沖信號(hào)，此頻率為振蕩器頻率的1/6。然而要注意的是，每當(dāng)訪問外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器時(shí)，將跳過一個(gè)ALE脈沖。對(duì)于EPROM型的單片機(jī)，在EPROM編程期間，此引腳用于輸入編程脈沖（PROG）。在從外部程序存儲(chǔ)器取令（或常數(shù)）期間，每個(gè)機(jī)器周期兩次PESN有效。（7）EA/VPP：當(dāng)EA端保持高電平時(shí)，訪問內(nèi)部程序存儲(chǔ)器，但在PC（程序計(jì)數(shù)器）值超過0FFFH時(shí)，將自動(dòng)轉(zhuǎn)向執(zhí)行外部程序存儲(chǔ)器內(nèi)的程序，當(dāng)EA保持低電平時(shí)，則只訪問外部程序存儲(chǔ)器，不管是否有內(nèi)部程序存儲(chǔ)器，對(duì)于常用的80C51來說，無內(nèi)部程序存儲(chǔ)器，所以EA腳必須常接地，這樣才能只選擇外部程序存儲(chǔ)器。輸入/輸出I/O引腳P0、PPP3共32根。b)P1口（1腳～8腳）：是8位準(zhǔn)雙向I/O口由于這種接口輸出沒有高阻狀態(tài)，輸入也不能瑣存，故不是 真正的I/O口。對(duì)EPROM編程和程序驗(yàn)證時(shí)，它的接收低8位地址。在訪問外部存儲(chǔ)器時(shí)，它可以作為擴(kuò)展電路高8位地址總線送出高8位地址，在對(duì)EPROM編程和程序驗(yàn)證期間，它的接收高8位地址。d)P3口（10腳～17腳）：是8位準(zhǔn)雙向I/O口，在80c51中，這8個(gè)引腳還用于專門功能，是復(fù)用雙功能口，P3能驅(qū)動(dòng)（吸收或輸出電流）4個(gè)LSTTL負(fù)載。表6 口線 引腳 第二功能 10 RXD（串行輸入口） 11 TXD（串行輸出口） 12 INT0(外部中斷0) 13 INT1(外部中斷1) 14 T0（定時(shí)器0外部輸入） 15 T1（定時(shí)器1外部輸入） 16 WR（外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器寫脈沖） 17 RD（外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器讀脈沖）值得強(qiáng)調(diào)的是，P3口的每一條引腳都可以獨(dú)立定義第一功能的輸入輸出或第二功能。它具有體積小,分辨率高,轉(zhuǎn)換快等優(yōu)點(diǎn)。溫度實(shí)時(shí)測(cè)控集裝箱的設(shè)計(jì), 在實(shí)現(xiàn)測(cè)控系統(tǒng)的溫度檢測(cè)方面就較好地利用了DS18B20 的獨(dú)到特點(diǎn),使系統(tǒng)得到了極大的簡(jiǎn)化。DS18B20 在I/O處理器連接時(shí),僅需要一個(gè)I/O 口即可實(shí)現(xiàn)微處理器同DS18B20的雙向通訊。(3) DS18B20 的測(cè)溫范圍為: 55℃～+125℃,在10℃～+ 85℃時(shí), 其精度為+ 015℃。(5) DS18B20內(nèi)含寄生電源，器件既可以由單線總線供電,也可用外部的電源(310V～515V )供電。溫度傳感器。 測(cè)溫原理DS18B20內(nèi)部結(jié)構(gòu)框圖,。而當(dāng)?shù)竭_(dá)某一設(shè)置高溫時(shí), 振蕩器的脈沖無法通過門電路。同時(shí), 計(jì)數(shù)器復(fù)位在當(dāng)前的溫度值時(shí), 電路對(duì)振蕩器的溫度系數(shù)進(jìn)行補(bǔ)償, 計(jì)數(shù)器重新開始計(jì)數(shù)直到回零。DS18B20單純通信功能是分時(shí)完成的。它們有嚴(yán)格的時(shí)隙概念。對(duì)它的操作協(xié)議是： 初始化DS18B20發(fā)復(fù)位脈沖)→發(fā)ROM功能命令→處理數(shù)據(jù)→發(fā)存儲(chǔ)器命令處理數(shù)據(jù)。DS18B20在使用時(shí)，一般都采用單片機(jī)來實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)采集。DS18B20傳感器精度高、互換性好。DS18B20 可以廣泛用于工廠工業(yè)過程、大型糧倉、釀酒廠，食品加工廠的溫度檢測(cè)以及賓館、儀器儀表室等處的溫度檢測(cè)和控制。聚氨酯是由二元或多元異氰酸酯與多元醇化合物相互作用制得。應(yīng)用：塑料、橡膠、纖維、涂料、粘合劑、人造革。（2）、聚氨酯構(gòu)成異氰酸酯（進(jìn)口牌號(hào)）（3）、聚氨酯泡沫生成組合聚醚＋異氰酸酯→聚氨酯俗稱：白料+黑料→發(fā)泡料（4）、常用指標(biāo)? 導(dǎo)熱率　　　≤／ｍ?Ｋ? 密度 ３０～４０千克／立方? 閉孔率 　≥９０％（%）（5）、常見泡沫體缺陷? 收縮：原料配比不當(dāng)。? 開裂：內(nèi)外溫差大。聚氨脂成型分析：硬質(zhì)聚氨酯泡沫塑料因其成型工藝簡(jiǎn)單、導(dǎo)熱系數(shù)低、故此成為太陽熱水器保溫材料的首選。內(nèi)膽和外殼之間的聚氨酯泡沫橫向或縱向開裂，降低了水箱的保溫效果。（ 原因是多元醇與異氰酸酯發(fā)生化學(xué)反應(yīng)時(shí)，摩爾反應(yīng)熱為１０９ＫＪ／ｍｏｌ。發(fā)泡成型時(shí)的最高溫度達(dá)１２０－１５０ 攝氏度，在冷卻過程中“正常收縮”。手工發(fā)泡指用固定內(nèi)膽和外殼的所謂“模具”，無精確計(jì)量設(shè)備，用兩只容積相等的容器量取，無法控制黑料和白料的比例，混合多用轉(zhuǎn)速在１２００轉(zhuǎn)／分的手電鉆或臺(tái)鉆，有的甚至用木棍或類似工具。低壓發(fā)泡，采用多次澆注成型法發(fā)泡。發(fā)泡機(jī)的固定的料比１．０：１．０，在料比隨料溫、粘度等外界因素的影響，很難保證料比的準(zhǔn)確配比。 高壓發(fā)泡：通過高壓混合，泡料混合均勻，通過對(duì)進(jìn)出料控制控制實(shí)際的溫度而控制混合比例。（3）內(nèi)膽處理和不處理兩種作法的比較 太陽能內(nèi)膽有不銹鋼和搪瓷兩種：不銹鋼內(nèi)膽，（~）表面光滑；搪瓷內(nèi)膽強(qiáng)度大、不生銹、表面粗糙。內(nèi)膽充入０．０５Ｍｐａ的空氣，使內(nèi)膽能承受一定的發(fā)泡壓力。最好的是一次過量填充。 “內(nèi)膽不處理”會(huì)出現(xiàn)“脫皮”、“脫殼”，“真空孔管口剝離”等現(xiàn)象。B、從組合聚醚的工藝性能和泡沫性能兩方面考慮，太陽熱水器標(biāo)準(zhǔn)的發(fā)泡工藝應(yīng)具備以下條件： 溫度：在發(fā)泡成型過程中，環(huán)境溫度以２０－３０℃為宜。（溫度較低時(shí)，發(fā)泡反應(yīng)進(jìn)行緩慢，泡沫固化時(shí)間長(zhǎng)。溫度過高或過低，都不易得到高質(zhì)量的產(chǎn)品。模具溫度的高低直接影響反應(yīng)熱移走的速度。為了保證聚氨酯發(fā)泡反應(yīng)的充分進(jìn)行，發(fā)泡前應(yīng)將外殼、內(nèi)膽、模具作預(yù)熱處理。）聚氨酯在發(fā)泡過程中產(chǎn)生的壓力為０．５－１．０ｋｇ／ｃｍ２，需要由內(nèi)外模具來承載壓力，模具應(yīng)具備足夠的強(qiáng)度。 發(fā)泡設(shè)備：聚氨酯發(fā)泡時(shí)，黑料和白料在發(fā)泡機(jī)