【正文】 設(shè)置決定了Bank*（Bank*表示Bank0~Bank7）上的SRAM是否使用UB/LB（寫高/低字節(jié)使能），以及Bank7與SRAM存儲器的等待狀態(tài)、Bank7的數(shù)據(jù)總線寬度、Bank0的數(shù)據(jù)總線寬度和存儲模式。S3C44B0X存儲控制器的訪問地址如表3所列。4. Bank7的空間大小和Bank6一樣是可變的，也可以配置為2/4/8/16/32MB。圖1為S3C44B0X復(fù)位后的存儲器地址分配圖。由于這些不同類型的存儲器件要求不同的速度、數(shù)據(jù)寬度等，為了實(shí)現(xiàn)對這些不同速度、類型、總線寬度的存儲器進(jìn)行管理，存儲器管理控制器是必不可少的。RAM有兩大類，一類稱為靜態(tài)RAM（SPAM），其數(shù)度非?？?，是目前讀/寫最快的存儲設(shè)備；另一類稱為動態(tài)RAM（DRAM）,其保留數(shù)據(jù)的時(shí)間很短，毒素也比SRAM慢，但它比任何ROM都要快。ROM(Read Only Memory)和RAM（Random Access Memory）指的都是半導(dǎo)體存儲區(qū)。目前FLASH主要分NOR FLASH和NAND FLASH兩種。2設(shè)計(jì)環(huán)境 Embest EduKitIII實(shí)驗(yàn)平臺 Embest ARM標(biāo)準(zhǔn)/增強(qiáng)型仿真套件、PC Embest IDE for ARM 集成開發(fā)環(huán)境 Windows 98/2000/NT/XP/73設(shè)計(jì)原理 S3C44B0X存儲控制器概述在基于ARM核的嵌入式應(yīng)用系統(tǒng)中可能包含多鐘類型的存儲器件，如FLASH、ROM、SRAM和SDRAM等。 通過本次課程設(shè)計(jì)使學(xué)生加深理解鞏固課堂教學(xué)和平時(shí)實(shí)驗(yàn)的了解，使學(xué)生了解S3C44B0X處理器和看門狗定時(shí)器控制寄存器WTCON、數(shù)據(jù)寄存器WTDAT和計(jì)數(shù)寄存器WTCNT的初始化。關(guān)鍵字 計(jì)算機(jī)；S3C44B0X；存儲控制器；嵌入式目錄1設(shè)計(jì)要求和目的 4 4 42設(shè)計(jì)環(huán)境 4 4 43設(shè)計(jì)原理 5 S3C44B0X存儲控制器概述 5 5 5 功能及應(yīng)用概述 6 6 104程序設(shè)計(jì)代碼 115總結(jié)與體會 29參考文獻(xiàn) 291設(shè)計(jì)要求和目的 ，并編寫應(yīng)用程序，修改參數(shù)設(shè)置，并使用EMBEST ARM教學(xué)系統(tǒng)的串口，在超級終端顯示。因此，嵌入式技術(shù)的發(fā)展主要體現(xiàn)在芯片技術(shù)的發(fā)展，以及在芯片技術(shù)限制下得算法改進(jìn)和軟件的進(jìn)步上。芯片技術(shù)發(fā)展到SoC階段，使系統(tǒng)在芯片級更進(jìn)一步地實(shí)現(xiàn)了低功耗、低成本、小型化、智能化，加速了嵌入式系統(tǒng)升級換代的速度和小型化的實(shí)現(xiàn)程度，決定了嵌入式系統(tǒng)普及應(yīng)用的深度以及智能化的程度。嵌入式技術(shù)快速發(fā)展的同時(shí)，也極大地豐富、延伸了嵌入式的概念。《嵌入式系統(tǒng)》課程設(shè)計(jì)說明書 基于S3C44B0X存儲控制器的應(yīng)用開發(fā)系 、 部： 計(jì)算機(jī)與信息科學(xué)系 組 成 員： 張 偉、陶青云 李 立、李亞普 指導(dǎo)教師： 秦 輝 職稱 講師 專 業(yè)： 計(jì)算機(jī)科學(xué)與技術(shù) 班 級： 計(jì)本0803班 完成時(shí)間： 2011年12月11日 摘 要 以計(jì)算機(jī)為核心的嵌入式技術(shù)并不是什么新技術(shù)，它伴隨著微處理器的誕生而誕生，并伴隨著微處理器的發(fā)展而發(fā)展。隨著計(jì)算機(jī)、微電子、網(wǎng)絡(luò)和通信技術(shù)的高速發(fā)展及其向其他行業(yè)的告訴滲透，嵌入式技術(shù)的應(yīng)用范圍急劇擴(kuò)大，并不斷改變著人們的生活、生產(chǎn)方式。 芯片技術(shù)給電子系統(tǒng)帶來了小型化、低功耗、低成本和高度智能化等技術(shù)優(yōu)勢，這正是嵌入式技術(shù)永恒的追求。芯片技術(shù)極大地加速了嵌入式計(jì)算機(jī)的發(fā)展和普及。 ARM微處理器因其卓越的低功耗、高性能在32位嵌入式應(yīng)用中已經(jīng)居世界第一，是高性能、低功耗嵌入式處理器的代名詞，為了順應(yīng)當(dāng)今世界技術(shù)革新的潮流，了解、學(xué)習(xí)和掌握嵌入式技術(shù)，就必然要學(xué)習(xí)和掌握以ARM微處理器為核心的嵌入式開發(fā)環(huán)境和開發(fā)平臺，這對研究和開發(fā)高性能微處理器、dsp一級開發(fā)基于微處理器的SOC芯片設(shè)計(jì)及應(yīng)用系統(tǒng)開發(fā)是非常必要的。 《嵌入式系統(tǒng)》是計(jì)算機(jī)科學(xué)與技術(shù)專業(yè)必修課程，本次課程設(shè)計(jì)主要是檢驗(yàn)學(xué)生是否掌握相關(guān)專業(yè)知識，加強(qiáng)對ARM體系結(jié)構(gòu)的了解，充分調(diào)動學(xué)生的積極性和創(chuàng)造性，并重視學(xué)生實(shí)際動手能力的培養(yǎng)。掌握通過軟件設(shè)計(jì)使用ARM處理器中存儲控制器的方法。FLASH存儲器又稱閃存，它結(jié)合了ROM和RAM的長處，具備電子可擦除可編程（EEPROM）的性能，掉電保持?jǐn)?shù)據(jù)，同時(shí)可以快速讀取數(shù)據(jù)（NVRAM的 優(yōu)勢）。NOR FLASH的讀取與常見SDRAM的讀取是一樣的，用戶可以直接運(yùn)行裝載在NOR FLASH里面的代碼；NAND FLASH沒有采取內(nèi)存的隨機(jī)讀取技術(shù)，它的讀取是以一次讀取一塊的形式來進(jìn)行的，用戶不能直接運(yùn)行NAND FLASH上的代碼。ROM在系統(tǒng)停止供電時(shí)仍然可以保持?jǐn)?shù)據(jù)，而RAM通常都是在掉電之后就丟失數(shù)據(jù)。SDRAM是同步動態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存，屬于基于DRAM技術(shù)發(fā)展出來的內(nèi)存，擁有DRAM所有的特點(diǎn)，屬于比較成熟的內(nèi)存技術(shù)。 在基于S3C44B0X處理器的嵌入式系統(tǒng)開發(fā)中，也是通過存儲控制器為片外存儲器訪問提供必要的控制信號管理片外存儲部件。從圖中可以看出：1. 特殊功能寄存器位于0x01C00000~0x02000000的4MB空間內(nèi)；2. Bank0~Bank5的起始地址和空間大小都是固定的；3. Bank6的起始地址是固定的，空間可以配置為2/4/8/16/32MB。Bank6和Bank7的詳細(xì)地址與空間大小的關(guān)系可參考表2 圖 1 表2 功能及應(yīng)用概述S3C44B0X存儲控制器支持大小端選擇、Bank0總線寬度選擇和存儲器地址線連接。寄存器名訪問地址訪問方式復(fù)位值描述BWSCON0x01C80000R/W0x000000總線寬度/等待控制寄存器BWSCON00x01C80004R/W0x0700Bank0控制寄存器BWSCON10x01C80008R/W0x0700Bank1控制寄存器BWSCON20x01C8000CR/W0x0700Bank2控制寄存器BWSCON30x01C80010R/W0x0700Bank3控制寄存器BWSCON40x01C80014R/W0x0700Bank4控制寄存器BWSCON50x01C80018R/W0x0700Bank5控制寄存器BWSCON60x01C8001CR/W0x18008Bank6控制寄存器BWSCON70x01C80020R/W0x18008Bank7控制寄存器PEFRESH0x01C80024R/W0Xac0000DRAM/SDRAM刷新控制寄存器BANKSIZE0x01C80028R/W0x0Bank大小寄存器MRSRB60x01C8002CR/WxxxBank6模式設(shè)置寄存器MRSRB70x01C80030R/WxxxBank7模式設(shè)置寄存器 表3下面介紹S3C44B0X存儲控制器的特殊功能寄存器。位位名稱描述[7]、[11]、[15]、[19]、[23]、[27]、[31]ST1~ST7確定bank*上的SRAM是否使用UB/LB：0=否(PIN[14:11]作為nWBE[3:0])。BANKCON0 地址：0x01C80004 訪問方式：R/W 初始值：0x0700BANKCON1 地址：0x01C80008 訪問方式：R/W 初始值：0x0700BANKCON2 地址：0x01C8000C 訪問方式：R/W 初始值：0x0700BANKCON3 地址：0x01C80010 訪問方式：R/W 初始值：0x0700BANKCON4 地址：0x01C80014 訪問方式：R/W 初始值：0x0700BANKCON5 地址：0x01C80018 訪問方式：R/W 初始值：0x0700位位名稱描述[14:13]Tacs在nGCSn有效之前地址建立時(shí)間：00=0clock 01=1clock 10=2clocks 11=4clocks[12:11]Tcos在nOE上芯片選擇建立時(shí)間：00=0clock 01=1clock 10=2clocks 11=4clocks[10:8]Tacc存取周期：000=1clock 001=2clock 010=3clocks 011=4clocks 100=6clocks 101=8 clocks 110=10 clocks 111=14 clocks[7:6]Toch在nOE上芯片選擇保持時(shí)間：00=0clock 01=1clock 10=2clocks 11=4clocks[5:4]Tcah在nGCSn有效之前地址保持時(shí)間：00=0clock 01=1clock 10=2clocks 11=4clocks[3:2]Tpac頁模式存取周期：00=0clock 01=1clock 10=2clocks 11=4clocks[1:0]PMC頁模式配置：00=正常(1 data) 01=4 data 10=8 data 11=16 data 表5位位名稱描述[16:15]MT這兩位確定Bank6和Bank7的存儲器類型：00=ROM或SRAM 01=FP DRAM 10=EDO DRAM 11=Sync DRAM存儲器類型[14:13]Tacs在nGCSn有效之前地址建立時(shí)間：00=0clock 01=1clock 10=2clocks 11=4clocksROM和SRAM類型[12:11]Tcos在nOE上芯片選擇建立時(shí)間：00=0clock 01=1clock 10=2clocks 11=4clocks[10:8]Tacc存取周期：000=1clock 001=2clock 010=3clocks 011=4clocks 100=6clocks 101=8 clocks 110=10 clocks 111=14 clocks[7:6]Toch在nOE上芯片選擇保持時(shí)間：00=0clock 01=1clock 10=2clocks 11=4clocks[5:4]Tcah在nGCSn有效之前地址保持時(shí)間：00=0clock 01=1clock 10=2clocks 11=4clocks[3:2]Tpac頁模式存取周期：00=0clock 01=1clock 10=2clocks 11=4clocks[1:0]PMC頁模式配置：00=正常(1 data) 01=4數(shù)據(jù)連續(xù)存取 10=8 數(shù)據(jù)連續(xù)存取 11=16 數(shù)據(jù)連續(xù)存取[5:4]TrcdRAS到CAS延時(shí): 00=0clock 01=1clock 10=2clocks 11=4clocksFRSRAM和EDO DRAM類型[3]TcasCAS脈沖寬度：0=1 clock 1=2clocks[2]TcpCAS預(yù)充電周期：0=1clock 1=2clocks[1:0]CAN列地址數(shù)目：00=8位 01=9位 10=10位 11=11位[3:2]TrcdRAS到CAS延時(shí)：00=2clocks 01=3 clocks 10=4clocksSDRAM類型[1:0]SCAN列地址數(shù)目：00=8位 01=9位 10=10位 11=11位 表6 DRAM/SDRAM刷新控制寄存器（REFRESH） DRAM/SDRAM刷新控制寄存器如表7所列，其設(shè)置決定DRAM/SDRAM刷新是否允許，以及刷新模式、RAS預(yù)充電時(shí)間、RAS和CAS最小時(shí)間、CAS保持時(shí)間和刷新計(jì)數(shù)值。位位名稱描述[4]SCLKEN若為1，則SCLK僅在SDRAM存取周期產(chǎn)生，這個(gè)特征將使功耗降低，推薦設(shè)置1：0=普通 SCLK 1=低功耗 SCLK[3]Reserved保留[2:0]BK76MAPBank6/7存儲器映射：000=32MB/32MB 100=2MB/2MB 101=4MB/4MB 110=8MB/8MB 111=16MB/16MB 表 8 Bank6和Bank7模式設(shè)置寄存器（MRSR） Bank6和Bank7模式設(shè)置寄存器如表9所列，其設(shè)置主要決定Bank6和Bank7的存儲模式。 大/小端模式選擇 為什么會有大小端模式之分呢？這是因?yàn)樵谟?jì)算機(jī)系統(tǒng)中是以字節(jié)為單位的，每個(gè)地址單元都對應(yīng)一個(gè)字節(jié)，一個(gè)字節(jié)為8位。另外，對于位數(shù)大小8位的處理器，例如16位