【正文】 額定電壓：100V~30KV 216。 應(yīng)用：對(duì)穩(wěn)定性和損耗要求較高的電路 聚丙烯電容（CBB） 216。 電容量：1000pF~10μF 216。 主要特點(diǎn)：性能與聚苯相似但體積小，穩(wěn)定性略差 216。 符號(hào)： 216。 額定電壓：100V7kV 216。 應(yīng)用：高頻振蕩，脈沖等要求較高的電路 高頻瓷介電容（CC） 216。 電容量：1~6800pF 216。 主要特點(diǎn)：高頻損耗小，穩(wěn)定性好 216。 符號(hào)： 216。 額定電壓：50V~100V 216。 應(yīng)用：要求不高的低頻電路 玻璃釉電容（CI） 216。 電容量：10p~ 216。 主要特點(diǎn)：穩(wěn)定性較好，損耗小，耐高溫（200度） 216。 符號(hào)： 216。 額定電壓：~450V 216。 應(yīng)用：電源濾波，低頻耦合，去耦，旁路等 鉭電解電容（CA）鈮電解電容（CN）216。 電容量： ~1000μF 216。 主要特點(diǎn)：損耗、漏電小于鋁電解電容 216。 符號(hào)：216。 主要特點(diǎn)：損耗小，效率高；可根據(jù)要求制成直線式、直線波長(zhǎng)式、直線頻率式及對(duì)數(shù)式等 216。 符號(hào)： 216。 主要特點(diǎn)：體積小，重量輕；損耗比空氣介質(zhì)的大 216。 符號(hào)： 216。 主要特點(diǎn)：損耗較大，體積小 216。 符號(hào)： 216。 主要特點(diǎn)：損耗較小，體積較小 216。 符號(hào)：216。 主要特點(diǎn)：電容量大、體積小、可靠性高、電容量穩(wěn)定，耐高溫耐濕性好等。 耐壓：二倍額定電壓。 應(yīng)用范圍：廣泛應(yīng)用于電子精密儀器。 216。獨(dú)石又叫多層瓷介電容，分兩種類型，I型性能挺好，但容量小，另一種叫II型，容量大，但性能一般。它適用于溫度變化不大、工作頻率不高（不高于25kHz）的場(chǎng)合，可用于低頻濾波。與鋁電解電容相比，鉭電解電容在串聯(lián)電阻、感抗、對(duì)溫度的穩(wěn)定性等方面都有明顯的優(yōu)勢(shì)。 紙介電容和聚酯薄膜電容 其容體比較小，串聯(lián)電阻小，感抗值較大。使用管型紙介電容器或聚酯薄膜電容器時(shí)，可把其外殼與參考地相連，以使其外殼能起到屏蔽的作用而減少電場(chǎng)耦合的影響。它適用于電容量小、工作頻率高（頻率可達(dá)500MHz）的場(chǎng)合，用于高頻濾波、旁路、去耦。 聚苯乙烯電容器 其串聯(lián)電阻小，電感值小，電容量相對(duì)時(shí)間、溫度、電壓很穩(wěn)定。3. 貼片電容單片陶瓷電容器(通稱貼片電容)是目前用量比較大的常用元件，就AVX公司生產(chǎn)的貼片電容來講有NPO、X7R、Z5U、Y5V等不同的規(guī)格，不同的規(guī)格有不同的用途。不同的公司對(duì)于上述不同性能的電容器可能有不同的命名方法，這里我們引用的是AVX公司的命名方法，其他公司的產(chǎn)品請(qǐng)參照該公司的產(chǎn)品手冊(cè)，命名方法可到AVX網(wǎng)站上找到。在相同的體積下由于填充介質(zhì)不同所組成的電容器的容量就不同，隨之帶來的電容器的介質(zhì)損耗、容量穩(wěn)定性等也就不同。 NPO電容器NPO是一種最常用的具有溫度補(bǔ)償特性的單片陶瓷電容器。NPO電容器是電容量和介質(zhì)損耗最穩(wěn)定的電容器之一。30ppm/℃，電容量隨頻率的變化小于177。%，相對(duì)大于177。其典型的容量相對(duì)使用壽命的變化小于177。NPO電容器隨封裝形式不同其電容量和介質(zhì)損耗隨頻率變化的特性也不同，大封裝尺寸的要比小封裝尺寸的頻率特性好。表 1 NPO電容器可選取的容量范圍封裝DC=50VDC=100V0805~1000pF~820pF1206~1200pF~1800pF1210560~5600pF560~2700pF22251000pF~1000pF~NPO電容器適合用于振蕩器、諧振器的槽路電容，以及高頻電路中的耦合電容。當(dāng)溫度在55℃到+125℃時(shí)其容量變化為15%，需要注意的是此時(shí)電容器容量變化是非線性的。 X7R電容器主要應(yīng)用于要求不高的工業(yè)應(yīng)用，而且當(dāng)電壓變化時(shí)其容量變化是可以接受的條件下。表 2給出了X7R電容器可選取的容量范圍。表 2 X7R電容器可選取的容量范圍封裝DC=50VDC=100V0805330pF~330pF~12061000pF~1000pF~12101000pF~1000pF~2225 ~1μF ~ Z5U電容器Z5U電容器稱為”通用”陶瓷單片電容器。對(duì)于上述三種陶瓷單片電容起來說在相同的體積下Z5U電容器有最大的電容量。盡管它的容量不穩(wěn)定，由于它具有小體積、等效串聯(lián)電感（ESL）和等效串聯(lián)電阻（ESR）低、良好的頻率響應(yīng)，使其具有廣泛的應(yīng)用范圍。表 3給出了Z5U電容器的取值范圍。 工作溫度范圍 +10℃ +85℃ 216。 介質(zhì)損耗 最大 4% 。表 4 Y5V電容器可選取的容量范圍封裝DC=25VDC=50V0805 ~ ~1206 ~ ~1210 ~ ~2225 ~1μF ~1μFY5V電容器的其他技術(shù)指標(biāo)如下：216。 溫度特性 +22% 82% 216。這一節(jié)將介紹各種類型的電容在電路中的作用。濾波電容容量比較大，所以一般采用電解電容，在使用時(shí)要注意極性。其濾波電路如圖 1所示，濾波原理如圖 2所示。在沒有并入電容C之前，整流二極管在u2的正負(fù)半周交替導(dǎo)通，輸出電壓uL的波形如圖 2藍(lán)線所示。如忽略二極管的內(nèi)阻，則uC 可充到接近u2的峰值u2m。當(dāng)u2＜uC時(shí)，二極管因反偏而截止，于是C以一定的時(shí)間常數(shù)通過RL 按指數(shù)規(guī)律放電，uC下降。如此下去，使輸出電壓的波形如圖 2中紅線所示。圖 1 全波整流電容濾波電路圖 2 全波整流電容濾波電路工作時(shí)電流及電壓的波形從以上分析可以看出：1. 加了電容濾波之后，輸出電壓的直流成分提高了，而脈動(dòng)成分降低了。電容在二極管導(dǎo)通時(shí)充電（儲(chǔ)能），截止時(shí)放電（將能量釋放給負(fù)載），不但使輸出電壓的平均值增大，而且使其變得比較平滑了。故一般C取值較大，RL也要求較大。而且，放電時(shí)間常數(shù)越大，導(dǎo)通角越小。4. 電容濾波電路的外特性（指UL與IL之間的關(guān)系）和脈動(dòng)特性（指S與IL 之間的關(guān)系）比較差，如圖 3所示。當(dāng)IL＝0（即RL= ∞ ）時(shí)，UL = U2（電容充電到最大值后不再放電），S = 0。所以，電容濾波一般適用于負(fù)載電流變化不大的場(chǎng)合。如果電容濾波電路的放電時(shí)間常數(shù)按式上式（脈動(dòng)系數(shù)）算的話，則輸出電壓分別為：UL＝（～）U2 （半波）UL＝（～）U2 （全波） 去耦（退耦）電容去耦電容用在放大電路中不需要交流的地方，用來消除自激，使放大器穩(wěn)定工作。如果從電源引出一個(gè)較小的電阻，該電阻串聯(lián)一個(gè)電容到地，該阻容節(jié)點(diǎn)就可以為需要退耦的電子元器件供電了。這是RC積分網(wǎng)絡(luò)的典型應(yīng)用實(shí)例。有時(shí)我們從電路上看不到這個(gè)從電源引出的小電阻，那是因?yàn)橛须娐钒邈~箔在當(dāng)作小電阻使用。由此可見，去耦是為了盡可能的獲得穩(wěn)定的供電電壓的。關(guān)于去耦電容蓄能作用的理解：1） 去耦電容主要是去除高頻如RF信號(hào)的干擾，干擾的進(jìn)入方式是通過電磁輻射。 你可以把總電源看作密云水庫，我們大樓內(nèi)的家家戶戶都需要供水，這時(shí)候，水不是直接來自于水庫，那樣距離太遠(yuǎn)了，等水過來，我們已經(jīng)渴的不行了。如果微觀來看，高頻器件在工作的時(shí)候，其電流是不連續(xù)的，而且頻率很高，而器件VCC到總電源有一段距離，即便距離不長(zhǎng)，在頻率很高的情況下，阻抗Z＝i*wL+R，線路的電感影響也會(huì)非常大，會(huì)導(dǎo)致器件在需要電流的時(shí)候，不能被及時(shí)供給。這也是為什么很多電路板在高頻器件VCC管腳處放置小電容的原因之一。）2） 有源器件在開關(guān)時(shí)產(chǎn)生的高頻開關(guān)噪聲將沿著電源線傳播。關(guān)于去耦電容的容值：。它的并行共振頻率大約在7MHz左右，也就是說，對(duì)于10MHz以下的噪聲有較好的去耦效果，對(duì)40MHz以上的噪聲幾乎不起作用。每10片左右集成電路要加一片充放電電容，或1個(gè)蓄能電容，可選10μF左右。要使用鉭電容或聚碳酸酯電容。 旁路電容旁路電容用在有電阻連接時(shí)，接在電阻兩端使交流信號(hào)順利通過。 這樣，有用的信號(hào)順利通過，而無用的高頻信號(hào)卻被“旁路”到地了。 去耦電容和旁路電容的區(qū)別 去耦：去除在器件切換時(shí)從高頻器件進(jìn)入到配電網(wǎng)絡(luò)中的RF能量。（去耦是針對(duì)供電電源的）旁路：從元件或電纜中轉(zhuǎn)移出