微電子器件劉剛前三章課后答案-在線瀏覽
2024-07-31 05:30本頁面
【正文】 雜質電離后，價帶頂?shù)碾娮榆S遷進入受主能級，其結果向價帶提供傳導電流的空穴。解：對同種材料制作的不同型號的半導體來說，具有以下相同點：二者都具有相同的晶格結構，相同的本征載流子濃度，都對溫度很敏感。 從能帶的角度說明雜質電離的過程。因此，雜質能級與主能帶之間的電子躍遷也比較容易完成。它在室溫下吸收晶格振動的能量或光子的能量（只要其能量高于雜質的電離能）后，就可以掙脫施主原子核對它的束縛，躍遷進入導帶成為準自由電子。電離以后的雜質帶有正電荷，電離以前的雜質是電中性的。二者可以通過以下愛因斯坦關系建立聯(lián)系： 說明載流子的兩種輸運機制，并比較它們的異同。擴散運動是在半導體中存在載流子的濃度梯度時，高濃度一邊的載流子將會向低濃度一邊輸運。擴散運動的強弱與濃度梯度的大小成正比，即與載流子的分布梯度有關。其強弱只與電場的大小成正比，與載流子的分布沒有關系。它是一個描述半導體電子系統(tǒng)中電子填充能帶水平的標志性參數(shù)，也稱為熱平衡系統(tǒng)的化學勢。其大小也反映了電子和空穴填充能帶的水平。所以，在非平衡載流子存在的絕大部分時間內主能帶的電子都處于平衡分布。擴散長度與非平衡少數(shù)載流子壽命的關系如下： 簡述半導體材料的導電機理。金屬中只有一種載流子（電子）參與導電，而半導體中同時有兩種載流子（電子和空穴）參與導電。它們是同時出現(xiàn)的，且，兩種載流子對電流的貢獻相同。所以，多數(shù)載流子對電流的貢獻占據(jù)主要地位，而少數(shù)載流子對電流的貢獻卻可以忽略不計。解： 如果在單晶硅中分別摻入的磷和的硼，試計算300K時，電子占據(jù)雜質能級的概率。解：查表可知，磷作為硅晶體中的施主雜質，其電離能為, 硼作為硅晶體中的受主雜質，其電離能為。能級為EA 的量子態(tài)被空穴占據(jù)的幾率為上述計算結果說明受主能級上
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