【正文】 散而形成 PN 結(jié)， POCl3為電子級純度，在過程中所起作用是為擴散提供磷源，各反應化學式如下： 5POCl3=3PCl5+P2O5 2P2O5+O2+6Si=4P+6SiO2 4PCl5+5O2=2P2O5+10Cl2 4POCl3+3O2=2P2O5+6Cl2 因而硅片擴散工序 ,有廢氣產(chǎn)生，該廢氣成分有 P2O Cl2等。 （ PSG）： 主要是用氫氟酸腐蝕硅片表面的氧化層，即清除硅片表面的 SiO2層，反應生成為為微量的 SiF4和 [H2SiF6]2少量的絡合物，其一起進入酸性廢水處理。 ： 利用硅烷、氨氣之間的反應在硅片表面形成一層加減反射膜， N2不發(fā)生反 應，作為保護氣體，此工序會有少量的氨氣和硅烷揮發(fā)。主要是使用銀漿，鋁漿，銀鋁漿，一般由金屬粉末和有機溶劑以及固體樹脂構(gòu)成，經(jīng)過燒結(jié)后有機溶劑和固體樹脂都被揮發(fā)，剩余金屬與硅形成合金層。 燒結(jié)自然冷卻后即為成品單晶硅太陽能電池片。 蘇州阿特斯陽光電力科技有限公司年產(chǎn)太陽能電池片 100MW二期擴建 項目目前正在進行試生產(chǎn)。 在該試生產(chǎn)期間，建設單位中水回用水量達到 60t/h，已滿足環(huán)評批復（ 蘇環(huán)建【 2020】 415 號） 要求的 60%中水回用率。 現(xiàn)有項目主要存在的環(huán)保問題 a. 未按照《江蘇省排污口設置及規(guī) 范整治管理辦法》（蘇環(huán)控【 1997】 122號）的規(guī)定規(guī)范排污口標志牌 ； b. 需進一步完善事故應急預案和應急措施； 三、本項目工程分析 本項目 主體工程及產(chǎn)品方案 建設項目（技改、擴建項目）主體工程及產(chǎn)品方案 序號 工程名稱（車間、生產(chǎn)裝置或生產(chǎn)線） 產(chǎn)品名稱 及規(guī)格 設計能力 年運行時數(shù) 擴建前 擴建后 增量 1 太陽能電池片 多晶硅有鉻 生產(chǎn)線 （ 6 條線） 太陽能電池片 100MW/a （ 6 條線） 260MW/a（ 10 條線） 160MW/a （ 4 條線） 4800 太陽能電池片 單晶硅無鉻 生產(chǎn) 線 （ 4 條線） 太陽能電池片 100MW/a （ 4 條線） 100MW/a （ 4 條線） 0 4800 2 太陽能電池片 多晶硅 無鉻 生產(chǎn)線（ 4 條線） 太陽能電池片 0 40MW/a （ 1 條線） 40MW/a（ 1 條線） 4800 本項目公用配套工程 本項目公用配套工程一覽表 項目 建設名稱 設計能力 備注 貯運工程 原料等 由供應商負責送貨 按實際情況貯運 產(chǎn)品 由本單位用專車輛負責送貨 公用 工程 排水 雨污分流 廠房建設實施 給水 輸送最大管徑 25cm 由高新區(qū)統(tǒng)一供水 供電 變壓器 最大輸送 500KVA 由高新區(qū)統(tǒng)一供電 綠化 不變 廠房施工時已實施 純水設施 膜過濾 （設計規(guī)模 200t/h） 依托二期擴建項目 設施 含 N 廢水膜過濾純水設施 1套 （ 100t/d） 新建，委托專門單位 設計施工“三同時”實施 含 P 廢水膜過濾純水設施 1套 (10t/d) 環(huán)保、輔助工程 廢氣處理 酸堿廢氣洗滌塔處理系統(tǒng) 1套 新建，委托專門單位設計施工“三同時”實施 鉻酸霧廢氣洗滌塔處理系統(tǒng)1 套 有機廢氣活性炭吸附系統(tǒng) 1套 硅烷燃燒塔 1 套 含 N 廢氣洗滌塔 1 套 含 P 廢氣洗滌塔 1 套 廢水處理 酸堿廢水處理 +混凝沉淀系統(tǒng) 1 套（設計規(guī)模 200t/h） 依托 一、 二期擴建項目 設施 含氫氟酸廢水處理設施 1 套 （設計規(guī)模 50t/h） 含鉻酸廢水處理設施 1 套 （設計規(guī)模 50t/h） 廢水（尾水）深度處理系統(tǒng)1 套（設計規(guī)模 200t/h） 含磷廢水處理系統(tǒng)（ 10t/d） 新建，委托專門單位設計施工“三同時”實施 含氮廢水處理系統(tǒng)（ 100t/d） 噪聲治理 噪音隔音設施、合理布局、 廠界綠化隔音 新建，“三同時”實 施 固廢處置 零排 放 由資質(zhì)單位回收處理不產(chǎn)生二次污染 危廢臨時貯存場所 50㎡ 依托一、二期項目已建設施 一般工業(yè)固廢貯存場所 50㎡ 成品倉庫 100㎡ 一般原料倉庫 100㎡ 氣罐區(qū) 30㎡ 危險品倉庫 100㎡ 辦公 建筑面積 1174m2 用餐地點 面積 100m2 門衛(wèi)室 1 個 廢水事故及消防應急共用池 4000m31 個 依托工程 蘇州新區(qū)第二污 水處理廠 設計日處理 8萬噸 /天，一期 4 萬噸 /天，運營穩(wěn)定 本項目生產(chǎn)工藝流程及簡述 （ 1）含鉻多晶硅生產(chǎn)工藝 流程 本項目有鉻生產(chǎn)工藝流程圖 簡述： 由于本項目有鉻生產(chǎn)線在工藝、設備上基本與現(xiàn)有項目同相，只委外加工多晶 硅片 硅片腐蝕（制絨）清洗 硅片甩干 刻蝕 硅片擴散 去硅玻璃 硅片甩干 加減反射膜 硅片背面印刷銀鋁漿 烘干 硅片背面印刷鋁漿 烘干 硅片正面印刷銀漿 燒結(jié) 太陽能電池片 三氧化鉻、 HF、 HCl、 純水 G1 鉻酸霧 G2 HCl G3 HF W1 含鉻、 HF、 HCl 廢水 S1 含鹽酸、氫氟酸、鉻酸廢液 純水、 N2 W2 清排水 POCl N O2 G4 Cl2 G5 P2O5 CF O2 G6 CF SiF4 S3 含 CF4廢液 HF、純水 G7 HF、 SiF4 W5 含 HF 廢水 純水、 N2 W6 清排水 SiH NH N2 G8 NH SiH4 銀鋁漿 S4 少量廢鋁銀漿 G9 少量有機物 鋁漿 S5 少量廢鋁漿 G10 少量有機物 銀漿 S6 少量廢銀漿 G11 有機物 （多晶電池片） 純水設備 純2 水1324 蘇制純水廢水579.62 州損耗 6 制純水廢水579.62 . 損耗 2 洗滌塔 1 純含P廢水 2 水 回用 循環(huán)量240 W3 清排水 W4 含磷廢水 有在原輔料上不在使用異丙醇（經(jīng)工藝探索可不用該異丙醇，不會影響產(chǎn)品品質(zhì)），因此本項目有鉻生產(chǎn)線工藝簡述可見本報告書現(xiàn)有項目有鉻生產(chǎn)線工藝簡述。噴淋清洗處理制絨后的硅片表面，使其凈化；然后再用氫氧化鉀（濃度65%）腐 蝕并噴淋清洗，接著用氫氟酸、鹽酸的混合酸（按一定比例配比）去除表面殘留的物質(zhì)，最后再用純水噴淋清洗。經(jīng)以上清洗后進行空氣干燥。 ： 本工藝分為三段腐蝕，先用硝酸、氫氟酸、硫酸的混合酸（按一定比例配比）腐蝕硅片表面的氧化層，再用純水噴淋清洗，再用氫氧化鉀（濃度 45%）腐蝕后純水噴淋清洗，最后用氫氟酸、硫酸的混合酸（按一定比例配比）腐蝕后純水噴淋清洗，以上工序為清除硅片表面的 SiO2層，反應生成為為微量的 SiF4和 [H2SiF6]2少量的絡合物，以上清洗廢水分別進入含 N 廢水處理 設施處理及酸堿廢水處理設施處理。 ： 利用硅烷、氨氣之間的反應在硅片表面形成一層加減反射膜， N2不發(fā)生反應，作為保護氣體，此工序會有少量的氨氣和硅烷揮發(fā)。主要是使用銀漿，鋁漿，銀鋁漿，一般由金屬粉末和有機溶劑以及固體樹脂構(gòu)成，經(jīng)過燒結(jié)后有機溶劑和固體樹脂都被揮發(fā)，剩余金屬與硅形成合金層。 燒結(jié)自然冷卻后即為成品單晶硅太陽能電池片。 （ 4）噪音 本項目主 要噪聲源源強表 編號 噪聲源名稱 源強 dB (A) 數(shù)量 聲源所在位置 1 PECVD 鍍膜機 75～ 85 5 車間內(nèi) 2 清洗機 75～ 80 14 車間內(nèi) 3 冷凍機 75～ 80 2 車間內(nèi) 4 水處理設施泵 75～ 85 10 車間外 5 風機 75～ 85 48 車間外 為降低噪聲污染，公司將通過選用低噪聲設備，采取一系列噪聲污染控制措施等方式來降低噪音。 本 項目實施后污染物“三本帳” 本項目實施后污染物 “三本帳” 污染物種類 污染物名稱 現(xiàn)有項目排放量 t/a 本項目 “以新帶老”消減量*t/a 排放總量 t/a 排放增減量 t/a 產(chǎn)生量 t/a 削減量 t/a 排放量 t/a 廢氣 鉻酸霧 0 氟化物 * 0 HCl 0 異 丙醇 * 0 0 0 0 * 0 硫酸霧 0 0 *氟化物、異丙醇由于在一期項目“三同時”驗收時未檢出，因此按照檢出限的一半計算其排放量；廢水“以新帶老”消減量中各污染物濃度在一期項目驗收監(jiān)測數(shù)據(jù)基礎(chǔ)上核算； 環(huán)保措施投資 環(huán)保措施投資清單 Cl2