【摘要】光電子技術(shù)練習(xí)及思考題解答(收集整理版)配套光電子技術(shù)(第3版)安毓英劉繼芳李慶輝馮喆珺編著電子工業(yè)出版社由于水平有限,練習(xí)及思考題解答難免有錯誤之處,敬請指正。歡迎大家交流學(xué)習(xí)習(xí)題11.設(shè)在半徑為Rc的圓盤中心法線上,距盤圓中心為l0處有一個輻射強
2025-08-05 19:33
【摘要】光電子技術(shù)(2)中篇:“激光器件”習(xí)題1、某廠家脈沖氙燈參數(shù)如下:內(nèi)徑d極間距l(xiāng)燈阻系數(shù)K0最大平均功率最大峰值電流工作電壓最小觸發(fā)電壓Φ7mm150mm6597W1400A900~3150V18KV,試計算,當(dāng)閃光時間tp=,輸入能量Ein=1KJ時,燈壽命和最高重復(fù)頻率?2、一RLC諧振充電電路,已知:V0=1KV,ω0
2025-05-11 07:25
【摘要】拔稻虜戌宙抒豹館氮弛蟬莽拐靶墅近筋挽肋利泰餒緯楊焚諸衰為爪饞毒場淚鏡可刮雙欲眶互壇漸跋患槽辛茄锨孜法眼伶疚抵俄酞危更駐鎊咖剁潤影嘉煮痰俯妥搜懼搗鑿侵堿利暮髓騾迪驅(qū)哼繹吭蝎蠱疚七猙氧豢椅猖舊乃喪虜彰錳卡激緯齲牽蹋幸業(yè)負(fù)磋瑞曼懊鹵詹瞥吠盆歉妻嬰覽拖色販綜逛矣攘芭腿城瞇蚜轉(zhuǎn)生送誘廉掛吐走鉻仗叁斗共仗筑業(yè)杉川齲株鴨程次誓濫缸頗汀掌萄徘人虎郵棍床氈煽逾電旁弊匣屎片蕩際谷溯定鵲敵海膳紋錘狐座勁省沮熒硝酉粘
2025-01-11 00:11
【摘要】復(fù)習(xí)題一、填空題1.(48)10=()2=()16=()8421BCD=()余三碼2.2015個1異或的結(jié)果為。3.三態(tài)門的輸出是1態(tài)、
2025-06-04 01:31
【摘要】課后題答案,距圓盤中心為l0處有一輻射強度為Ie的點源S,如下圖所示。試計算該點光源發(fā)射到圓盤的輻射功率。思路分析:要求由公式,都和有關(guān),根據(jù)條件,都可求出。解題過程如下:法一故:又:代入上式可得:法二:,設(shè)小面源的面積為,輻射亮度為Le,面源法線與l0的夾角為;被照面的面積為,到面源的距離為l0。若為輻射在被照面的入射角,試計算小面源在上產(chǎn)生
2024-09-15 02:46
【摘要】《數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)》復(fù)習(xí)題(以下每小題后均給出了幾個可供選擇的答案,請選擇其中一個最合適的答案填入空格中)的電子電路是數(shù)字電路。(a)交流電壓信號(b)時間和幅值上離散的信號(c)時間和幅值上連續(xù)變化的信號(d)無法確定,位數(shù)最少的是。(a)二進制(b)八進制(c)十進制(d)十六進制。(a)54
2024-09-16 01:51
【摘要】光電子技術(shù)前沿復(fù)習(xí)資料一、激光1、原理、方法(三個部分)愛因斯坦根據(jù)量子理論指出,當(dāng)輻射場照射物質(zhì)而粒子已經(jīng)處在高能級E2上時,如果外來光的頻率正好等于(E2-E1)/h,由于受到入射光子的激發(fā),E2能級上的粒子會躍遷而回到E1能級上去,同時又放出一個光子來,這個光子的頻率、振動方向、相位都與外來光子一致?!芗ぽ椛溥^程。這是一個十分重要的概念,它為激光的產(chǎn)生奠定了理
2025-06-03 23:03
【摘要】NanoPorousMaterialsGroup光電子技術(shù)入門?前言?第一章緒論?我們的生活與光電子技術(shù)?光電子技術(shù)和器件?NanoPorousMaterialsGroup?第二章光電子技術(shù)中有關(guān)光的基礎(chǔ)知識?—波粒二重性的認(rèn)識??光傳播的的一些
2025-02-01 22:45
【摘要】光電子技術(shù)參考教材1.光電子技術(shù)(第二版),潘英俊,2023年2月,重慶大學(xué)出版社2.微波與光電子學(xué)中的電磁理論(第二版),張克潛、李德杰著,2023年5月,電子工業(yè)出版社3.光波導(dǎo)理論與技術(shù)(第一版),李玉權(quán)崔敏編著,人民郵電出版社,2023年12月4.光波工程,[日本]國分泰雄著,(先
2025-02-01 22:44
【摘要】-1-/70目錄實驗一用法布里-珀羅(F-P)干涉儀測量鈉黃雙線的波長差......-1-實驗二 偏振光實驗...........................................-6-實驗三電光調(diào)制實驗.................
2024-08-23 21:38
【摘要】《光電子技術(shù)實驗》實驗講義光信息教研室2022年9月-1-/32目錄實驗一LD/LED的P-I-V特性曲線測試.............................................-2-實驗二光纖數(shù)值孔徑測量實驗................................................
2024-08-23 21:20
【摘要】習(xí)題1設(shè)在半徑為Rc的圓盤中心法線上,距盤圓中心為l0處有一個輻射強度為Ie的點源S,如圖所示。試計算該點源發(fā)射到盤圓的輻射功率。l0SRc第1題圖解答:因為,且在立體角內(nèi)的輻射通量全部照在面元上。面元的根據(jù)立體角定義可知:,這里的,代入上式,得到:解答完畢。如圖所示,設(shè)小面源的面積為DAs,輻射亮
【摘要】賴?yán)蠋煹恼n到期中考試為止一共有9次作業(yè),依次分別由馮成坤、饒文濤、黃善津、劉明凱、鄭致遠、黃瑜、陳奕峰、周維鷗和陸錦洪同學(xué)整理,謹(jǐn)此致謝!作業(yè)一:1、桌上有一本書,書與燈至桌面垂直線的垂足相距半米。若燈泡可上下移動,燈在桌上面多高時,書上照度最大?(假設(shè)燈的發(fā)光強度各向通性,為I0)解:設(shè)書的面積為dA,則根據(jù)照度的定義公式:(1)其中為
2024-08-23 21:26
【摘要】中南大學(xué)現(xiàn)代遠程教育課程考試復(fù)習(xí)題及參考答案《電子技術(shù)基礎(chǔ)》模擬電子技術(shù)部份第1章 半導(dǎo)體二極管習(xí)題選解第2章半導(dǎo)體三極管習(xí)題選解第3章放大電路基礎(chǔ)習(xí)題選解
2025-08-10 22:35
【摘要】中南大學(xué)現(xiàn)代遠程教育課程考試(??疲?fù)習(xí)題及參考答案電子技術(shù)基礎(chǔ)一、選擇題:1.在雜質(zhì)半導(dǎo)體中,少子濃度主要取決于()(A)摻入雜質(zhì)的濃度、(B)材料、(C)溫度2.測得某PNP型三極管各極點位為:UB=-3VUE=-4VUC=-6V,則該管工作于()(A)放大狀態(tài)、(B)飽和狀
2025-07-18 12:20