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led電子芯片封裝及l(fā)ed光源智能化控制系統(tǒng)研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目資金申請(qǐng)報(bào)告-在線瀏覽

2025-07-16 22:04本頁(yè)面
  

【正文】 研制方面,達(dá)到了國(guó)際領(lǐng)先或先進(jìn)水平。上海光機(jī)所系統(tǒng)研究了提拉法、溫梯法、導(dǎo)模法和泡生法生長(zhǎng)藍(lán)寶石晶體的技術(shù),藍(lán)寶石晶體的研究多次獲得國(guó)家“863”和國(guó)防科工委的項(xiàng)目支持,大尺寸藍(lán)寶石晶體研發(fā)獲得2003年國(guó)家科技進(jìn)步二等獎(jiǎng)。新疆理化所已經(jīng)成為我區(qū)在光電功能材料領(lǐng)域的高水平研究基地和高層次人才培養(yǎng)基地。(四)主要科研帶頭人情況 姓名、年齡、學(xué)歷、職稱、業(yè)績(jī)以及主要科研成果等。近幾年來,帶領(lǐng)技術(shù)團(tuán)隊(duì)自主研發(fā)成功泡生法生長(zhǎng)大尺寸藍(lán)寶石晶體(重量35kg,直徑和長(zhǎng)度大于200mm)。1986年聘為助理研究員,擔(dān)任課題組長(zhǎng),198892年任安徽省政協(xié)委員,1991年被中科院特批為副研究員,1993年起享受國(guó)務(wù)院政府特殊津貼,1993年獲第二屆安徽青年科技獎(jiǎng),19962000年擔(dān)任晶體材料研究室副主任,1997年被中科院特批為研究員,19972000年創(chuàng)辦合肥科晶材料技術(shù)有限公司(安徽光機(jī)所與美國(guó)MTI公司合資)并擔(dān)任總經(jīng)理、董事。200102年被上海光機(jī)所委派創(chuàng)辦上光富晶光電材料有限公司(上海光機(jī)所與富士康集團(tuán)合資)并擔(dān)任總經(jīng)理,200305年在激光與光電子材料研發(fā)中心擔(dān)任課題組長(zhǎng),200510年擔(dān)任上海光機(jī)所激光與光電子材料研發(fā)中心主任。2002年7月于中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)獲理學(xué)博士學(xué)位,2004年中國(guó)科學(xué)院理化技術(shù)研究所博士后出站后,到美國(guó)西北大學(xué)化學(xué)系做博士后。先后在J. Am. Chem. Soc.。 Chem. Commun.。 Inorg. ,申請(qǐng)美國(guó)發(fā)明專利3項(xiàng),申請(qǐng)中國(guó)發(fā)明專利37項(xiàng)。 Chem. Mater.。 Cryst. Growth Des.。已培養(yǎng)博士研究生5名,碩士研究生7名。主要從事功能晶體材料的研究。在國(guó)際上首次生長(zhǎng)出了大尺寸的SrBPOBaBPO5單晶。獲得“新世紀(jì)百千萬人才工程”國(guó)家級(jí)人選稱號(hào)、第五屆新疆青年科技獎(jiǎng)。到目前為止已在J. Am. Chem. Soc.、Chem. Mater.、Inorg. Chem.、Crystal Growth amp。(五)財(cái)務(wù)狀況須附經(jīng)會(huì)計(jì)事務(wù)所審計(jì)的審計(jì)報(bào)告復(fù)印件(2014年度審計(jì)報(bào)告或項(xiàng)目專項(xiàng)審計(jì)報(bào)告),審計(jì)報(bào)告須帶條碼。一、項(xiàng)目國(guó)際國(guó)內(nèi)現(xiàn)狀和技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)半導(dǎo)體發(fā)光二極管簡(jiǎn)稱LED,從上世紀(jì)六十年代研制出來并逐步走向市場(chǎng)化,LED封裝技術(shù)不斷改進(jìn)和發(fā)展。從上世紀(jì)九十年代開始,由于LED 外延、芯片技術(shù)上的突破,四元系A(chǔ)lGaInP 和GaN 基的LED相繼問世,實(shí)現(xiàn)了LED 全色化,發(fā)光亮度大大提高,并可組合各種顏色和白光。目前單芯片1W大功率LED這使得超高亮度LED由于LED 芯片輸入功率的不斷提高,對(duì)這些功率型LED 的封裝技術(shù)提出了更高的要求。(一)、功率型LED 封裝技術(shù)現(xiàn)狀由于功率型LED 的應(yīng)用面非常廣,不同應(yīng)用場(chǎng)合下對(duì)功率LED 的要求不一樣。輸入功率小于1W 的LED(幾十mW 功率LED除外)為普通功率LED;輸入功率等于或大于1W 的LED 為W 級(jí)功率LED。1.國(guó)外功率型LED 封裝技術(shù):(1)普通功率LED根據(jù)報(bào)導(dǎo),最早是由HP 公司于1993 年推出“食人魚”封裝結(jié)構(gòu)的LED,稱“Super flux LED”,并于1994年推出改進(jìn)型的“Snap LED”,其外形如圖1 所示。Osram 公司推出“Power TOP LED”是采用金屬框架的PLCC 封裝結(jié)構(gòu)。其中一種PLCC4 結(jié)構(gòu)封裝形式,其功率約200~300mW,這些結(jié)構(gòu)的熱阻一般為75~125℃/W。(2)W 級(jí)功率LEDW 級(jí)功率LED 是未來照明的核心部分,所以世界各大公司投入很大力量,對(duì)W 級(jí)功率封裝技術(shù)進(jìn)行研究開發(fā),并均已將所得的新結(jié)構(gòu)、新技術(shù)等申請(qǐng)各種專利。根據(jù)報(bào)導(dǎo),該封裝結(jié)構(gòu)的特點(diǎn)是采用熱電分離的形式,將倒裝芯片用硅載體直接焊接在熱沉上,并采用反射杯、光學(xué)透鏡和柔性透明膠等新結(jié)構(gòu)和新材料,提高了器件的取光效率并改善了散熱特性。該公司近期推出Luxeon III LED 產(chǎn)品,由于對(duì)封裝和芯片進(jìn)行改善,可在更高的驅(qū)動(dòng)電流下工作,在700mA 電流工作50000 小時(shí)后仍能保持70%的流明,在1A 電流工作20000 小時(shí)能保持50%的流明。我國(guó)臺(tái)灣UEC 公司(國(guó)聯(lián))采用金屬鍵合(Metal Bonding)技術(shù)封裝的MB 系列大功率LED其特點(diǎn)是用Si 代替GaAs 襯底,散熱好,并以金屬黏結(jié)層作光反射層,提高光輸出。多芯片組合封裝的大功率LED,其結(jié)構(gòu)和封裝形式較多,幾種典型的結(jié)構(gòu)封裝形式主要有:①美國(guó)UOE 公司于2001 年推出多芯片組合封裝的Norlux 系列LED,其結(jié)構(gòu)是采用六角形鋁板作為襯底,如圖5 所示,鋁層導(dǎo)熱好,中央發(fā)光區(qū)部分可裝配40 只芯片,封裝可為單色或多色組合,也可根據(jù)實(shí)際需求布置芯片數(shù)和金線焊接方式,該封裝的大功率LED 其光通量效率為20lm/W,發(fā)光通量為100lm。另一種是134 元LED 陣列,光通量為360lm,功率134W。③日本松下公司于2003 年推出由64 只芯片組合封裝的大功率白光LED,光通量可達(dá)120lm,采用散熱性能優(yōu)良的襯底,把這些芯片封裝在2cm2 的面積中,其驅(qū)動(dòng)電流可達(dá)8W,這種封裝中每1W ℃。2.國(guó)內(nèi)功率型LED 封裝技術(shù)國(guó)內(nèi)功率型LED 的封裝,早在上世紀(jì)九十年代就開始,封裝產(chǎn)品的品種較齊全,據(jù)初步估計(jì),2014年全國(guó)LED 封裝企業(yè)1000余 家,2013年封裝產(chǎn)量大約3000億只。但是,很多封裝廠為私營(yíng)企業(yè),目前來看規(guī)模偏小。國(guó)內(nèi)的大學(xué)、研究所很少對(duì)大功率LED 封裝技術(shù)開展研究,信息產(chǎn)業(yè)部第13 研究所對(duì)功率型LED 封裝技術(shù)開展研究工作,并取得很好的研究成果,具體開發(fā)出功率LED 產(chǎn)品。如“食人魚”和PLCC 封裝結(jié)構(gòu)的產(chǎn)品,均可批量生產(chǎn),并已研制出單芯片1W 級(jí)的大功率LED 封裝的樣品。對(duì)大功率LED 封裝技術(shù)的研究開發(fā),目前國(guó)家尚未正式支持投入,國(guó)內(nèi)研究單位很少介入,封裝企業(yè)投入研發(fā)的力度(人力和財(cái)力)還很不夠,形成國(guó)內(nèi)對(duì)封裝技術(shù)的開發(fā)力量薄弱的局面,其封裝的技術(shù)水平與國(guó)外相比還有相當(dāng)?shù)牟罹唷9β市蚅ED 所用的外延材料采用MOCVD現(xiàn)有的功率型LED 的設(shè)計(jì)采用了倒裝焊新結(jié)構(gòu)來提高芯片的取光效率,改善芯片的熱特性,并通過增大芯片面積,加大工作電流來提高器件的光電轉(zhuǎn)換效率,從而獲得較高的發(fā)光通量。關(guān)鍵的封裝技術(shù)工藝有:散熱技術(shù)傳統(tǒng)的指示燈型LED 封裝結(jié)構(gòu),一般是用導(dǎo)電或非導(dǎo)電膠將芯片裝在小尺寸的反射杯中或載片臺(tái)上,由金絲完成器件的內(nèi)外連接后用環(huán)氧樹脂封裝而成,其熱阻高達(dá)250~300℃/W,新的功率型芯片若采用傳統(tǒng)式的LED 封裝形式,將會(huì)因?yàn)樯岵涣级鴮?dǎo)致芯片結(jié)溫迅速上升和環(huán)氧碳化變黃,從而造成器件的加速光衰直至失效,甚至因?yàn)檠杆俚臒崤蛎浰a(chǎn)生的應(yīng)力造成開路而失效。采用低電阻率、高導(dǎo)熱性能的材料粘結(jié)芯片;在芯片下部加銅或鋁質(zhì)熱沉,并采用半包封結(jié)構(gòu),加速散熱;甚至設(shè)計(jì)二次散熱裝置,來降低器件的熱阻。零件材料也應(yīng)充分考慮其導(dǎo)熱、散熱特性,以獲得良好的整體熱特性。功率型LED 白光技術(shù)常見的實(shí)現(xiàn)白光的工藝方法有如下三種:1)藍(lán)色芯片上涂上YAG該方法制備相對(duì)簡(jiǎn)單,效率高,具有實(shí)用性。2)RGB 三基色多個(gè)芯片或多個(gè)器件發(fā)光混色成白光;或者用藍(lán)+黃綠色雙芯片補(bǔ)色產(chǎn)生白光。3)在紫外光芯片上涂RGB 熒光粉,利用紫光激發(fā)熒光粉產(chǎn)生三基色光混色形成白光。積累了一定的經(jīng)驗(yàn)和體會(huì),我們認(rèn)為照明用W 級(jí)功率LED 產(chǎn)品要實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化還必須解決如下技術(shù)問題:①粉涂布量控制:LED 芯片+熒光粉工藝采用的涂膠方法通常是將熒光粉與膠混合后用分配器將其涂到芯片上。②芯片光電參數(shù)配合:半導(dǎo)體工藝的特點(diǎn),決定同種材料同一晶圓芯片之間都可能存在光學(xué)參數(shù)(如波長(zhǎng)、光強(qiáng))和電學(xué)(如正向電壓)參數(shù)差異。這是產(chǎn)業(yè)化必須要解決的關(guān)鍵技術(shù)之一。上述參數(shù)的控制涉及產(chǎn)品結(jié)構(gòu)、工藝方法、材料等多方面因素的配合。測(cè)試技術(shù)與標(biāo)準(zhǔn)隨著W 級(jí)功率芯片制造技術(shù)和白光LED 工藝技術(shù)的發(fā)展,LED 產(chǎn)品正逐步進(jìn)入(特種)照明市場(chǎng),顯示或指示用的傳統(tǒng)LED 產(chǎn)品參數(shù)檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)及測(cè)試方法已不能滿足照明應(yīng)用的需要。我國(guó)光學(xué)光電子行業(yè)協(xié)會(huì)光電子器件分會(huì)行業(yè)協(xié)會(huì)根據(jù)LED 產(chǎn)品發(fā)展的需要,于2003 年發(fā)布了“發(fā)光二極管測(cè)試方法(試行)”,該測(cè)試方法增加了LED 色度參數(shù)的規(guī)定。篩選技術(shù)與可靠性保證由于燈具外觀的限制,照明用LED 的裝配空間密封且受到局限,密封且有限的空間不利于LED 散熱,這意味著照明LED 的使用環(huán)境要劣于傳統(tǒng)顯示、指示用LED 產(chǎn)品。在產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)中,針對(duì)不同的產(chǎn)品用途,制定適當(dāng)?shù)臒崂匣?、溫度循環(huán)沖擊、負(fù)載老化工藝篩選試驗(yàn),剔除早期失效品,保證產(chǎn)品的可靠性很有必要。因此,在產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)中,靜電的防范是否得當(dāng),直接影響到產(chǎn)品的成品率、可靠性和經(jīng)濟(jì)效益。②芯片上設(shè)計(jì)靜電保護(hù)線路。我國(guó)LED 封裝產(chǎn)品主要是普通小功率LED,同時(shí)還具有一定的功率型LED 封裝技術(shù)和水品。二、國(guó)家和自治區(qū)相關(guān)產(chǎn)業(yè)政策、規(guī)劃有關(guān)內(nèi)容,為推動(dòng)我國(guó)半導(dǎo)體照明節(jié)能產(chǎn)業(yè)健康有序發(fā)展,培育新的經(jīng)濟(jì)增長(zhǎng)點(diǎn),擴(kuò)大消費(fèi)需求,促進(jìn)節(jié)能減排,2013年2月17日,國(guó)家發(fā)展改革委、科技部、工業(yè)和信息化部、財(cái)政部、住房城鄉(xiāng)建設(shè)部、國(guó)家質(zhì)檢總局聯(lián)合制定了《半導(dǎo)體照明節(jié)能產(chǎn)業(yè)規(guī)劃》,《規(guī)劃》明確“圍繞產(chǎn)業(yè)發(fā)展需求,加快LED照明核心材料、裝備和關(guān)鍵技術(shù)的研發(fā)。積極發(fā)揮企業(yè)技術(shù)研發(fā)中心作用,提升LED照明節(jié)能產(chǎn)業(yè)的整體創(chuàng)新能力”。三、項(xiàng)目所處產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展?fàn)顩r,以及產(chǎn)業(yè)鏈上下游配套情況LED產(chǎn)業(yè)鏈總體分為上、中、下游,分別是LED外延芯片、LED封裝及LED應(yīng)用?;贚ED器件的各類應(yīng)用產(chǎn)品大量使用LED器件,如大型LED顯示屏、液晶顯示器的LED背光源、LED照明燈具、LED交通燈和LED汽車燈等,LED器件在應(yīng)用產(chǎn)品總成本上占了40%至70%,且LED應(yīng)用產(chǎn)品的各項(xiàng)性能往往70%以上由LED器件的性能決定。LED由于芯片在LED近幾年國(guó)內(nèi)上游LED芯片產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展是LED封裝產(chǎn)業(yè)迅速崛起的強(qiáng)力后盾,全球最大制造基地的優(yōu)勢(shì)將為中國(guó)下游照明產(chǎn)業(yè)提供強(qiáng)有力的產(chǎn)品出??凇N磥韼啄?,三安光電、華燦光電等中國(guó)LED芯片大廠將繼續(xù)擴(kuò)產(chǎn),如三安計(jì)劃在2018年前再引進(jìn)200臺(tái)MOCVD機(jī)臺(tái),擴(kuò)張的產(chǎn)能將主要圍繞照明應(yīng)用。LED應(yīng)用產(chǎn)品,應(yīng)用產(chǎn)品領(lǐng)域廣泛,生產(chǎn)廠家眾多。應(yīng)用市場(chǎng)的快速發(fā)展同時(shí)促進(jìn)了LED(二)項(xiàng)目建設(shè)的意義和作用重點(diǎn)分析對(duì)自治區(qū)相關(guān)產(chǎn)業(yè)發(fā)展的帶動(dòng)作用,以及對(duì)本地區(qū)社會(huì)、經(jīng)濟(jì)發(fā)展的貢獻(xiàn)等。為加快發(fā)展新疆LED產(chǎn)業(yè),在新疆培育新的經(jīng)濟(jì)增長(zhǎng)點(diǎn),促進(jìn)產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)優(yōu)化升級(jí),實(shí)現(xiàn)節(jié)能減排目標(biāo),都具有重大意義。新疆及中亞地區(qū)的特殊地環(huán)境,早就了夏季的高熱關(guān)鍵;被太陽直曬的戶外照明燈具表面溫度高達(dá)6070攝氏度,加上正常的燈具散熱,溫度高得驚人,而普通型LED光源,不能適應(yīng)新疆的“熱”,導(dǎo)致LED光源的故障率增高,發(fā)光效率、使用壽命大幅度降低。因此,本項(xiàng)目針對(duì)本項(xiàng)目針對(duì)新疆及中亞地區(qū)特殊地理環(huán)境對(duì)LED照明用大功率LED燈珠的特殊需求,開展LED照明用大功率LED燈珠關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化。面對(duì)新疆及中亞地區(qū),有著巨大的市場(chǎng)前景和經(jīng)濟(jì)社會(huì)效益。半導(dǎo)體照明是繼白熾燈、熒光燈之后照明光源的又一次革命。半導(dǎo)體照明亦稱固態(tài)照明,是指用固態(tài)發(fā)光器件作為光源的照明,包括發(fā)光二極管(LED)和有機(jī)發(fā)光二極管(OLED),具有耗電量少、壽命長(zhǎng)、色彩豐富、耐震動(dòng)、可控性強(qiáng)等特點(diǎn)。近幾年,全球LED照明節(jié)能產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值年增長(zhǎng)率保持在20%以上。到2020年全球照明市場(chǎng)規(guī)模將超過1500億美元,LED照明市場(chǎng)有望達(dá)到750億美元,占全球照明市場(chǎng)份額50%。專利、標(biāo)準(zhǔn)、人才競(jìng)爭(zhēng)白熱化,產(chǎn)業(yè)整合速度明顯加快。這些年在國(guó)家政策引導(dǎo)環(huán)境下,加上技術(shù)創(chuàng)新的不斷發(fā)展,國(guó)內(nèi)整個(gè)LED產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)高景氣度增長(zhǎng),LED封裝行業(yè)也伴隨整個(gè)LED產(chǎn)業(yè)同步增長(zhǎng)。根據(jù)中國(guó)LED產(chǎn)業(yè)研究中心匯總的數(shù)據(jù)顯示2013年全球LED封裝企業(yè)總收入達(dá)130億美元,%。從地區(qū)分布來看,日本企業(yè)收入仍然排名第一,占全球的29%,但份額逐年下降;臺(tái)灣位居第二,占全球的24%, 近年來,我國(guó)LED封裝能力提高較快,封裝品種較全,相對(duì)于外延和芯片產(chǎn)業(yè),中國(guó)大陸的LED封裝產(chǎn)業(yè)最具競(jìng)爭(zhēng)力、最具規(guī)模,技術(shù)水平也最接近國(guó)際先進(jìn)水平。LED封裝企業(yè)積極過會(huì)上市,在資本市場(chǎng)及下游應(yīng)用產(chǎn)業(yè)持續(xù)增長(zhǎng)的需求助力下,企業(yè)規(guī)模擴(kuò)張速度加快,產(chǎn)能高速增長(zhǎng),國(guó)內(nèi),2014年,國(guó)內(nèi)LED封裝產(chǎn)值達(dá)到465億元,較2013年的404億元增長(zhǎng)28%;其中高亮度LED產(chǎn)值達(dá)到186億元,占LED封裝總產(chǎn)值的90%。伴隨當(dāng)前LED市場(chǎng)的強(qiáng)勢(shì),LED封裝市場(chǎng)也將隨之進(jìn)入高速增長(zhǎng)階段。國(guó)內(nèi)LED封裝產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值高速增長(zhǎng)主要是因?yàn)槎鄶?shù)國(guó)際LED封裝廠家因看好中國(guó)國(guó)內(nèi)應(yīng)用市場(chǎng),紛紛在國(guó)內(nèi)設(shè)立生產(chǎn)基地,已實(shí)現(xiàn)了大批量生產(chǎn),正在成為世界重要的中低端LED封裝基地。  國(guó)內(nèi)的封裝企業(yè)在區(qū)域分布上呈現(xiàn)產(chǎn)業(yè)鏈完整集中分布優(yōu)勢(shì),形成了完整的LED封裝產(chǎn)業(yè)鏈。珠三角地區(qū)是中國(guó)大陸LED封裝企業(yè)最集中,封裝產(chǎn)業(yè)規(guī)模最大的地區(qū),企業(yè)數(shù)量超過了全國(guó)的2/3,占全國(guó)企業(yè)總量的68%,除上游LED外延芯片領(lǐng)域稍微欠缺外,匯聚了眾多的封裝物料與封裝設(shè)備生產(chǎn)商與代理商,配套最為完善。二、國(guó)內(nèi)LED封裝的市場(chǎng)發(fā)展分析當(dāng)前國(guó)內(nèi)共有規(guī)模以上LED封裝企業(yè)1000余家,其中2/3分布在珠三角地區(qū)。同時(shí),一些大型的下游應(yīng)用企業(yè)設(shè)立有自己的封裝產(chǎn)線,如真明麗集團(tuán)、洲明科技、德豪潤(rùn)達(dá)、勤上光電等。隨著擁有資金實(shí)力、技術(shù)實(shí)力的廠商不斷擴(kuò)展規(guī)模,增加研發(fā)投入,國(guó)內(nèi)LED封裝企業(yè)之間梯次將逐步成型,小型封裝企業(yè)的生存空間受到一定的壓縮。單純就封裝環(huán)節(jié)而言,國(guó)內(nèi)企業(yè)已經(jīng)具有與國(guó)際LED企業(yè)不相上下的實(shí)力。2012年8月6日,國(guó)務(wù)院以國(guó)發(fā)〔2012〕40號(hào)印發(fā)《節(jié)能減排“十二五”規(guī)劃》,計(jì)劃形成節(jié)能能力3億噸標(biāo)準(zhǔn)煤,新增化學(xué)需氧量、二氧化硫、氨氮、氮氧化物削減能力分別為420萬噸、277萬噸、40萬噸、358萬噸。由此,為L(zhǎng)ED大功率路燈的普及發(fā)展創(chuàng)造了極好的市場(chǎng)環(huán)境。2012年,LED戶外照明將逐步實(shí)現(xiàn)從政府引導(dǎo)向市場(chǎng)主導(dǎo)的轉(zhuǎn)型過渡,鑒于十城萬盞的示范作用,目
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