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2025-06-29 12:14本頁面
【正文】 時截止 。 半導體二極管及其應(yīng)用電路 P N( 陽極 )外殼陰極引線陽極引線＋ － ＋ －( 陽極 ) ( 陰極 )( 陰極 )( a ) ( b )V半導體二極管及其應(yīng)用電路 2 A P2 C P2 C Z 5 4 2 C Z 1 3 2 C Z 3 0( c )圖 二極管結(jié)構(gòu) 、 (a)結(jié)構(gòu)； (b)符號； (c)外形 半導體二極管及其應(yīng)用電路 2． 類型 (1） 按材料分 :有硅二極管 ,鍺二極管和砷化鎵二極管等 。 (3） 按用途分 :有整流 、 穩(wěn)壓 、 開關(guān) 、 發(fā)光 、 光電 、變?nèi)?、 阻尼等二極管 。 (5） 按功率分 :有大功率 、 中功率及小功率等二極管 。其型號組成部分的符號及其意義見附錄一 。 半導體二極管及其應(yīng)用電路 用字母表示規(guī)格號用數(shù)字表示序號用字母表示類型用字母表示材料和極 性用數(shù)字表示電極數(shù)目 圖 半導體器件的型號組成 半導體二極管及其應(yīng)用電路 半導體二極管的伏安特性 半導體二極管的核心是 PN結(jié) ,它的特性就是 PN結(jié)的特性 ——單向?qū)щ娦?。 若以電壓為橫坐標 ,電流為縱坐標 ,用作圖法把電壓 、電流的對應(yīng)值用平滑的曲線連接起來 ,就構(gòu)成二極管的伏安特性曲線 ,如圖 （ 圖中虛線為鍺管的伏安特性 ,實線為硅管的伏安特性 ） 。 半導體二極管及其應(yīng)用電路 0 . 2 0 . 4 0 . 6 0 . 8O51015－ 30－ U(B R )CC ′D ′DIRA ′ AB ′ B硅鍺iV / m AuV / V( ? A)－ 5 圖 二極管伏安特性曲線 半導體二極管及其應(yīng)用電路 1. 二極管兩端加正向電壓時 ,就產(chǎn)生正向電流 ,當正向電壓較小時 ,正向電流極小 （ 幾乎為零 ） ,這一部分稱為死區(qū) ,相應(yīng)的 A(A′)點的電壓稱為死區(qū)電壓或門檻電壓(也稱閾值電壓 ),硅管約為 ,鍺管約為 ,如圖 OA(OA′)段 。 這時硅管的正向?qū)▔航导s為 ~,鍺管約為 ~,如圖 AB(A′B′)段 。 2. 二極管兩端加上反向電壓時 ,在開始很大范圍內(nèi) ,二極管相當于非常大的電阻 ,反向電流很小 ,且不隨反向電壓而變化 。 半導體二極管及其應(yīng)用電路 3. 反向擊穿特性 二極管反向電壓加到一定數(shù)值時 ,反向電流急劇增大 ,這種現(xiàn)象稱為反向擊穿 。 4. 由于二極管的核心是一個 PN結(jié) ,它的導電性能與溫度有關(guān) ,溫度升高時二極管正向特性曲線向左移動 ,正向壓降減小 。 半導體二極管及其應(yīng)用電路 半導體二極管的主要參數(shù) 1. 最大整流電流 IF 2. 最大反向工作電壓 URM 3. 反向飽和電流 IR 4. 二極管的直流電阻 R 5. 最高工作頻率 fM 半導體二極管及其應(yīng)用電路 二極管的簡易測試 將萬用表置于 R 100或 R 1k(Ω)擋 （ R 1擋電流太大 ,用 R 10k(Ω)擋電壓太高 ,都易損壞管子 ） 。 (2)使用二極管時 ,正 、 負極不可接反 。 (3)更換二極管時 ,應(yīng)用同類型或高一級的代替 。 半導體二極管及其應(yīng)用電路 整流濾波電路 1. 單相半波整流電路 1） 圖 (a)所示為單相半波整流電路。 半導體二極管及其應(yīng)用電路 ＋－＋－u1u2 RLuOABiViOT( a )＋ －V半導體二極管及其應(yīng)用電路 ? 2 ? 3 ? 4 ? ?? t22 Uu2?? t22 UuO00?? tiV＝ iO0?? t22 U?uV0( b )圖 單相半波整流電路及 (a)電路圖； (b)波形圖 半導體二極管及其應(yīng)用電路 2） 直流電壓是指一個周期內(nèi)脈動電壓的平均值 。 由圖 (a)可見 ,四個二極管接成了橋式 ,在四個頂點中 ,相同極性接在一起的一對頂點接向直流負載 RL,不同極性接在一起的一對頂點接向交流電源 。 半導體二極管及其應(yīng)用電路 ＋－＋－RLu1u2T ABV4V3V2V1( a )＋－＋－V1V2V3V4＋－uOu1u2( b )＋－RL＋－ABT半導體二極管及其應(yīng)用電路 ＋－＋－RLu1u2T ABV1 ~ V4( c )uO＋－ 圖 (a)電路畫法一； (b)電路畫法二； (c)電路畫法三 半導體二
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