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2025-06-24 01:36本頁面
【正文】 半導(dǎo)體接觸 1。如何確定勢壘高度？兩種極限情況是什么？如何測量？ 如何調(diào)節(jié)勢壘高度？ 6。熱電子發(fā)射理論和擴(kuò)散理論的適用情況？需要考慮隧穿輸運(yùn)的條件？熱電子發(fā)射理論的推導(dǎo)。 3。 2。 金屬 半導(dǎo)體接觸 1。 2。 第二章 pn結(jié) 第二章 異質(zhì)結(jié) ,金屬 半導(dǎo)體接觸 異質(zhì)結(jié) 1。 6。 5。 4。 大致過程 3。 2。 1。 。 。 , Si， GaAs能帶結(jié)構(gòu)示意圖及主要特點(diǎn)。半導(dǎo)體器件物理總結(jié) 2022冬 第一章 。 、半導(dǎo)體和絕緣體能帶特點(diǎn)。 ，本征費(fèi)米能級(jí)。 ， Hall遷移率。 。突變結(jié)的電荷、電場、電勢分布，耗盡區(qū)寬度和電容。 Pn結(jié)的理想電流電壓特性 — 肖克萊方程。耗盡區(qū)產(chǎn)生復(fù)合、大注入、串聯(lián)電阻效應(yīng)等造成偏離理想情況的定性分析。了解擴(kuò)散電容的形成和起作用的情況。各種擊穿過程的基本原理與規(guī)律特點(diǎn)。瞬態(tài)特性，形成原因， 如何提高開關(guān)速度。 n
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