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2025-06-22 18:16本頁面
【正文】 thVGS3Vth轉移特性曲線 ? 在一個固定的 VDS下的 MOS管飽和區(qū)的漏極電流與柵源電壓之間的關系稱為 MOS管的轉移特性。 39。 0 thth VV ? 39。 0thV轉移特性曲線 ? 從轉移特性曲線可以得到導電因子 KN（或KP），根據飽和薩氏方程可知： ? 即有： ? 所以 KN即為轉移特性曲線的斜率。 ? 飽和區(qū)： ? 線性區(qū)： ? 深三極管區(qū)： 2)(1thGSDSNDSDSon VVVKIVR???DSthGSNDSDSon VVVKIVR???? )(211? ?thGSNDDSon VVKIVR??? 21飽和區(qū) MOS管的 跨導 與導納 ? 工作在飽和區(qū)的 MOS管可等效為一壓控電流源，故可用跨導 gm來表示 MOS管的電壓轉變電流的能力，跨導越大則表示該 MOS管越靈敏，在同樣的過驅動電壓 （ VGS－ Vth）下能引起更大的電流，根據定義，跨導為漏源電壓一定時，漏極電流隨柵源電壓的變化率，即： ? ? 2 2 2thGSDDNthGSNCVGSDmVVIIKVVKVIgDS????????? 飽和區(qū)跨導的倒數等于深三極管區(qū)的導通電阻 Ron 飽和區(qū) MOS管的 跨導 與導納 討論 1： ? 在 KN（ KP） 為常數（ W/L為常數）時，跨導與過驅動電壓成正比，或與漏極電流 ID的平方根成正比。 ? 為了提高跨導，可以通過 增大 KN（增大寬長比，增大 Cox等），也可以通過增大 ID來實現(xiàn)，但以增大寬長比為最有效 。 TCCVBECmVIdVdIgCE ?? ?飽和區(qū) MOS管的跨導與 導納 ? 對于 MOS管的交流小信號工作還引入了導納的概念，導納定義為：當柵源電壓與襯底電壓為一常數時的漏極電流與漏源電壓之比，即可表示為： CVVDSDSd SBGSVIg ???? ,MOS管的最高工作頻率 ? 定義：當柵源間輸入交流信號時，由源極增加（減?。┝魅氲碾娮恿?，一部分通過溝道對電容充（放）電，一部分經過溝道流向漏極，形成漏源電流的增量，當變化的電流全部用于對溝道電容充放電時， MOS管就失去了放大能力，因此 MOS管的最高工作頻率定義為： 對柵輸入電容的充放電電流和漏源交流電流值相等時所對應的工作頻率 。 ? MOS管的最高工作頻率與溝道長度的平方成反比，因此， 減小 MOS管的溝道長度就能很顯著地提高工作頻率 。這種由于 VBS不為 0而引起閾值電壓的變化的效應就稱為 “ 襯底效應 ” ，也稱為 “ 背柵效應 ” 。 oxs u bsi CNq ?? 2?)2(2 BSfs u bsib VNqQ ??? ??????? ?????? fBSfthth VVV 220 ?襯底偏置效應（體效應） ?對于 PMOS管，考慮體效應后的閾值電壓為： ?對于襯底效應表明其襯底勢能 Vsub不需改變：如果其源電壓相對于 Vsub發(fā)生了改變，會發(fā)生同樣的現(xiàn)象。 ? 因此為了衡量體效應對 MOS管的 I/V的影響，定義一襯底跨導 ? 襯底跨導：在源漏電壓與柵源電壓為常量時漏極電流隨襯底電壓的變化關系： BSDmb VIg ???襯底偏置效應（體效應） ?則襯底電位對漏極電流的影響可用一個電流源 gmbVBS表示。上式表明當較大時，不斷增大的襯底效應的變化就不明顯了。 2 12 BSfBSthVΦVV????? ? 22 mBSfmmbgVgg ?? ????溝道調制效應
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