電路和電路元ppt課件-在線瀏覽
2025-06-21 07:13本頁面
【正文】 名 稱 符 號 基 本 單 位 常用工程單位 電 流 I 直流） i 交流） A kA、 mA、 μA、nA 電 壓 U 直流） u 交流） V kV、 mV、 μV 功 率 P(平均功率 ) W kW、 mW 安全用電小常識 對于電氣設(shè)備來說，為了安全起見，都有其額定功率、額定電壓和額定電流，使用時(shí)不注意不能超過其額定值，否則會(huì)損壞設(shè)備。 電流通過 一匝 線圈產(chǎn)生 (磁通 ) Φ電流通過 N匝 線圈產(chǎn)生 (磁鏈 ) N Φψ ?i (t) i (t) + u (t) )()( tLit ??電感 L——表征元件儲(chǔ)存電磁能能力的參數(shù)，是不隨電路情況變化的量。 單位： H (亨利 )，常用 ?H， mH表示。 功率 itiLuip ???dd儲(chǔ)能 ?? pdttW L )( )(21 2 tLi= 當(dāng)電流增大時(shí)，磁場能增大，電感元件從電路吸收能量；當(dāng)電流減小時(shí)，磁場能減小，電感元件向電路提供給電路。 _ + q q ? U 電容元件 C ＋ － u +q q 電路符號 部分電容器的照片 電解電容器 普通電容器 電力電容器 單相電動(dòng)機(jī)電容器 Cuq ? 其中： C為電容，常數(shù)，恒大于 0，單位為法拉 F ，常用 ?F， pF等表示。極板電容的大小取決于介電常數(shù)、極板相對的面積及極板間距。隔斷直流，通交流 tuCuuipdd??? 功率 儲(chǔ)能 ?? pd tW C )(21 2 tCu? 當(dāng)電壓增大時(shí)，電場能增大，電容元件從電路吸收電能；當(dāng)電壓減小時(shí)，電場能減小，電容元件向電路提供能量。 電組的串 /并聯(lián) 電容的串 /并聯(lián) 電容的串聯(lián) u??i1C2C nC1u??2u nu??S 1 21 1 1 1nC C C C? ? ? ?Siu??等效電容 1C 2C nC1i 2i niiu??電容的并聯(lián) Piu??等效電容 P 1 2 nC C C C? ? ? ?電感的串 /并聯(lián) 1L 2L nL SL??u??ui i電感的串聯(lián)等效 S 1 2 nL L L L? ? ? ?1L 2L nL??u i PL??u i121 1 1 1PnL L L L? ? ? ?電感的并聯(lián)等效 電路模型 : + u s i i + U s 電壓源 (一般 ) 直流電壓源 a, 直流電壓源： SS Utu ?)( b, 正弦電壓源 ： )2s i n()( ?? ?? tTUtu smS性質(zhì) 電壓源兩端電壓由電源本身決定 ， 與端子電流及外電路 無關(guān) ， 該電壓稱為激勵(lì)電壓 。 電壓源和電流源 (內(nèi)阻等于 0 的理想情況 ) 獨(dú)立電源元件 理想電壓源 電路模型 可由穩(wěn)流電子設(shè)備產(chǎn)生 ， 如晶體管的集電極電流與負(fù)載無關(guān)；光電池在一定光線照射下光電子被激發(fā)產(chǎn)生一定值的電流等 。 性質(zhì) 電流源的兩端電壓由激勵(lì)電流及外電路共同決定 。 Is U=? ＋ － I US + R 所以： I = Is， U = I R+U實(shí)際電源baIU = Us RI 實(shí)際電壓源 U O I US 輸出電壓隨端電流的增加而減小 ， R越小，越接近理想電壓源。 I + _ US R + U _ I= Is U/R 實(shí)際電流源 U O I IS 輸出電流隨端電壓的增加而 減小 ， R越大，越接近理想 電流源。 I R + U _ IS 練習(xí) B + u i C + u i B A C A （ 1）概念：對 A電路中的電流、電壓和功率而言，滿足： 等效 1?1 1 1 ??等效變換 等效電路可以具有完全不同的結(jié)構(gòu)，但對任一外電路 來說，它們卻具有完全相同的影響，適合用來求解外電路中的相關(guān)物理量。 B + u i C + u i u=f(i) u=g(i) f(i)=g(i) 3. 兩種實(shí)際電源模型的等效互換 I + _ US R + U _ I R/ + U _ IS U = Us RI I= Is U/R/ ——— ——— / RRIRU SS ??? , 等效條件： 等效電路特點(diǎn) ： （ 1）兩電源模型的內(nèi)阻相等； （ 2）電壓源電壓參考方向與電流源電流參考方向相反 . RUIIRU SSSS / , ??I + _ US R + U _ I R/ + U _ IS + 15V _ + 8V 7? 7? 5A 3? 4? 7? 2A I＝？ 例 . U = Us RI U= R/Is IR/ 二極管 PN結(jié)及其單向?qū)щ娦? 二極管的特性和主要參數(shù) 二極管的工作點(diǎn)和理想特性 穩(wěn)壓二極管 發(fā)光二極管和光電二極管 一、本征半導(dǎo)體 純凈 的 晶體結(jié)構(gòu) 的半導(dǎo)體為本證半導(dǎo)體 。 晶體結(jié)構(gòu)： 以 硅原子 (Si)為例：硅原子在空間形成排列整齊的點(diǎn)陣，稱為晶格。形成 電子空穴對。 本征半導(dǎo)體中的電流時(shí)是兩個(gè)電流之和。 二、本征半導(dǎo)體中的兩種載流子 本征激發(fā)： 半導(dǎo)體在熱激發(fā)下產(chǎn)生自由電子空穴對的現(xiàn)象。 在動(dòng)態(tài)平衡時(shí)載流子濃度一定。 5? 含有的粒子：自由電子（多子） 空穴（少子），不能移動(dòng)的正離子。 三、 N型半導(dǎo)體 空穴 P型半導(dǎo)體主要靠空穴導(dǎo)電，摻入硼元素越多，導(dǎo)電性越強(qiáng)。 3? 含有的粒子：自由電子（少子） 空穴（多子），不能移動(dòng)的硼負(fù)離子。 氣體、液體、固體均有之。擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)使交界面形成空間電荷區(qū)，產(chǎn)生內(nèi)電場。 二、 PN結(jié)的單向?qū)щ娦? PN結(jié)加正向電壓： 內(nèi)外電場方向相反，耗盡層變窄，擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)加劇，由于外電源的作用，形成擴(kuò)散電流， PN結(jié)處于導(dǎo)
教學(xué)課件相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號-1