【正文】 。單晶硅產(chǎn)業(yè)的發(fā)展對國外技術(shù)的依賴性較高，技術(shù)風(fēng)險和市場風(fēng)險較大，甚至影響到國家經(jīng)濟(jì)安全。三、項(xiàng)目建設(shè)的可行性該項(xiàng)目建設(shè)符合國家產(chǎn)業(yè)政策要求國家發(fā)展和改革委員會第40號令，發(fā)布了《產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)調(diào)整指導(dǎo)目錄（2005年本）》。國民經(jīng)濟(jì)和社會發(fā)展十一五規(guī)劃精神，符合經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)入園企業(yè)條件。經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)對該項(xiàng)高度重視，全力支持該項(xiàng)目的上馬建設(shè)。因此，從總體上看，該項(xiàng)目是可行的。在地殼中，硅的含量僅次于氧，居第二位，%。元素硅的原子結(jié)構(gòu)和化學(xué)性質(zhì)與元素碳很相似，單質(zhì)硅是重要的合金和半導(dǎo)體原料。單晶硅是由許多硅原子以金剛石晶格結(jié)構(gòu)排列成晶核長成晶面取向相同的晶粒并平行結(jié)合變成單晶硅。硅是地球上儲藏最豐富的材料之一，從19世紀(jì)科學(xué)家們發(fā)現(xiàn)了晶體硅的半導(dǎo)體特性后，它幾乎改變了一切，甚至人類的思維。硅材料因其具有耐高溫和抗輻射性能較好，特別適宜制作大功率器件的特性而成為應(yīng)用最多的一種半導(dǎo)體材料，目前的集成電路半導(dǎo)體器件大多數(shù)是用硅材料制造的。硅的主要用途是取決于它的半導(dǎo)體性。目前世界年產(chǎn)量約為3106千克。由于當(dāng)前信息工程的發(fā)展，硅主要用于微電子技術(shù)。如果1平方米鋪滿硅太陽能電池，就可以得到100W電力。美國的大型航天器太空實(shí)驗(yàn)室上就安裝有4塊太陽能電池帆板，它們是由147840塊8平方厘米大小的單晶硅太了腎電池排列組成的，發(fā)電功率大約為12KW。本世紀(jì)50年代以來，隨著半導(dǎo)體工業(yè)的需要而迅速發(fā)展。多晶硅、單晶硅已滲透到國民經(jīng)濟(jì)和國防科技中各個領(lǐng)域，當(dāng)今全球超過2000億美元的電子通訊半導(dǎo)體市場中95%以上的半導(dǎo)體器件及99%以上的集成電路用硅。單晶硅太陽電池。這種太陽電池以高純的單晶硅棒為原料，％。有的也可使用半導(dǎo)體器件加工的頭尾料和廢次單晶硅材料，經(jīng)過復(fù)拉制成太陽電池專用的單晶硅棒。這種硅錠可鑄成立方體，以便切片加工成方形太陽電池片，可提高材料利用率和方便組裝。現(xiàn)在，我們的生活中處處可見“硅”的身影和作用，晶體硅太陽能電池是近15年來形成產(chǎn)業(yè)化最快的。（二）主要技術(shù)規(guī)范和一般工藝過程單晶硅的制法通常是先制得多晶硅或無定形硅，然后用直拉法或懸浮區(qū)熔法從熔體中生長出棒狀單晶硅。單晶硅太陽電池：單晶硅太陽電池是當(dāng)前開發(fā)最快的一種太陽電池，它的結(jié)構(gòu)和生產(chǎn)工藝已定型，產(chǎn)品已廣泛用于空間和地面。為了降低生產(chǎn)成本，現(xiàn)在地面應(yīng)用的太陽電池等采用太陽能級的單晶硅棒，材料性能指標(biāo)有所放寬。 　　多晶硅太陽電池：目前太陽電池使用的多晶硅材料，多半是含有大量單晶顆粒的集合體，或用廢次單晶硅材料和冶金級硅材料熔化澆鑄而成，然后注入石墨鑄模中，待慢慢凝固冷卻后，即得多晶硅錠。多晶硅太陽電池的制作工藝與單晶硅太陽電池差不多，其光電轉(zhuǎn)換效率約12％左右，稍低于單晶硅太陽電池，但其材料制造簡便，節(jié)約電耗，總的生產(chǎn)成本較低，因此得到大量發(fā)展。直徑越大的圓片，所能刻制的集成電路越多，芯片的成本也就越低。單晶硅按晶體生長方法的不同，分為直拉法（CZ）、區(qū)熔法（FZ）和外延法。直拉法生長的單晶硅主要用于半導(dǎo)體集成電路、二極管、外延片襯底、太陽能電池。區(qū)熔法單晶主要用于高壓大功率可控整流器件領(lǐng)域，廣泛用于大功率輸變電、電力機(jī)車、整流、變頻、機(jī)電一體化、節(jié)能燈、電視機(jī)等系列產(chǎn)品。外延片主要用于集成電路領(lǐng)域。在IC工業(yè)中所用的材料主要是CZ拋光片和外延片。邏輯電路一般使用價格較高的外延片，因其在IC制造中有更好的適用性并具有消除Latch－up的能力。硅片的直徑越大，技術(shù)要求越高，越有市場前景，價值也就越高?，F(xiàn)在，硅片直徑正從5英寸迅速升級，12英寸硅片技術(shù)正日益成熟。日本、美國和德國是主要的硅材料生產(chǎn)國。中國消耗的大部分集成電路及其硅片仍然依賴進(jìn)口。（三）產(chǎn)品運(yùn)營條件及經(jīng)濟(jì)優(yōu)點(diǎn) ： 　?。?）高電耗，其生產(chǎn)過程中電價占整個成本的30%左右； 　　高投入，建一家年產(chǎn)1000噸的多晶硅工廠，；（2）高技術(shù)，國內(nèi)外技術(shù)差別較大，目前國內(nèi)生產(chǎn)技術(shù)還比較落后，如果依靠國外先進(jìn)技術(shù)建本項(xiàng)目，能夠降低成本，提高產(chǎn)品的產(chǎn)量和質(zhì)量。 　二、市場需求分析和預(yù)測市場需求初步預(yù)測和生產(chǎn)能力分析山東大學(xué)蔣民華院士作了題為“電子材料光子材料和人工晶體的發(fā)展”，他從歷史和現(xiàn)實(shí)情況出發(fā)，密切結(jié)合當(dāng)前科學(xué)技術(shù)的發(fā)展，提出了對新世紀(jì)人工晶體的展望。”事實(shí)證明，盡管經(jīng)過科學(xué)技術(shù)飛速發(fā)展的四分之一個世紀(jì)，當(dāng)前社會已全面進(jìn)入了以計(jì)算機(jī)、通信和光網(wǎng)絡(luò)等以信息技術(shù)為代表的信息時代，光子繼電子以后也成了信息的主要載體。斗導(dǎo)體單晶作為電子材料的主體，隨著集成電路尺寸的縮小、集成度的進(jìn)高及芯片面積的增大，對硅單晶的尺寸完整性及生長提出了更高的要求，單晶仍然是今天電子材料的主角。在電子材料、光子材料、光子材料之間沒有清楚的界面，隨著微光子技術(shù)的發(fā)展，光子材料也會逐步的成熟起來，人工晶體在目前電子光子材料中仍然起著重要的作用。（1）市場需求分析作為光電子及信息產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)材料和太陽能板及光伏電池的核心材料 ，單晶硅產(chǎn)品被廣泛的應(yīng)運(yùn)于計(jì)算機(jī)芯片（IC）、能源、航天、電子、微電子等各個領(lǐng)域，具有非常廣闊的產(chǎn)業(yè)前景。晶硅、單晶硅主要用于制作電力電子行業(yè)所需的大功率元件、紅外探測器件、太陽能電池、半導(dǎo)體元件等領(lǐng)域。隨著國家經(jīng)濟(jì)實(shí)力的發(fā)展，如舊電網(wǎng)的改造，新電網(wǎng)的建設(shè)，電力機(jī)車的提速等基礎(chǔ)設(shè)施投資將會加大力度，與之相應(yīng)的電力電子元件及裝置需求將有一個大幅度增長，多晶硅、單晶硅市場前景廣闊。到2003年，單晶硅年需量將超過50噸。從經(jīng)濟(jì)和生產(chǎn)實(shí)際需要看，只要工藝可行，硅片直徑越大，越能滿足市場需要。由于我國多晶硅生產(chǎn)技術(shù)相當(dāng)落后，生產(chǎn)不斷萎縮，目前國內(nèi)多晶硅產(chǎn)量還不足100噸，%，與國際先進(jìn)水平比至少落后15年以上。單晶硅平均年增長率達(dá)22%以上。我國多晶硅工業(yè)起步于50年代，到了70年代曾一度盲目發(fā)展，企業(yè)發(fā)展到20余家。據(jù)預(yù)測，按國內(nèi)單晶硅生產(chǎn)的需求計(jì)算，2000年國內(nèi)多晶硅需求量為750噸，缺口約為700噸，到2010年國內(nèi)多晶硅需求將達(dá)1300噸，如果沒有新建的多晶硅企業(yè)，需求缺口將更加巨大。截止到2004年底，中國擁有已投產(chǎn)的12英寸生產(chǎn)線1條，8英寸生產(chǎn)線9條，6英寸生產(chǎn)線6條。%的增長。 此近年來，中國單晶硅需求量明顯穩(wěn)步增長，增長的原因是一方面來自國際上對低檔和廉價硅材料需求的增加。為了滿足這種巨大的需求，國內(nèi)外廠家紛紛在中國建立和準(zhǔn)備建立晶片和IC生產(chǎn)線。在硅單晶拉制和硅片加工方面，硅單晶主流產(chǎn)品是100150m，也建立了直徑100150mm的硅片生產(chǎn)線。中國的有研硅股和峨嵋半導(dǎo)體材料廠有200mm直拉硅單晶的生產(chǎn)能力，浙大海納在寧波投資建立200mm直拉硅單晶生產(chǎn)廠。 中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，拉動了對拋光硅片需求的快速增長，國內(nèi)生產(chǎn)遠(yuǎn)遠(yuǎn)無法滿足市場的需求，拋光硅片需要大量的進(jìn)口。單晶硅產(chǎn)業(yè)的發(fā)展依靠國外的事實(shí)不能長期下去，為了改變這樣的境地，國內(nèi)企業(yè)應(yīng)走“產(chǎn)、學(xué)、研”之路，加強(qiáng)與高等院校、科研院所的合作，因?yàn)閲鴥?nèi)很多的技術(shù)成果掌握在科研單位里，通過將這些技術(shù)成果產(chǎn)業(yè)化，降低企業(yè)成本，提高產(chǎn)品質(zhì)量，獲得客戶認(rèn)可，進(jìn)而切入國內(nèi)6英寸和8英寸材料市場，改變依靠國外硅片生產(chǎn)的現(xiàn)狀。生產(chǎn)多晶硅的只有四川峨眉、河南洛陽兩家。三、企業(yè)市場競爭態(tài)勢分析政策優(yōu)勢。技術(shù)優(yōu)勢。管理和資本優(yōu)勢（1）公司已按最優(yōu)經(jīng)營體制組建了一個由專家型領(lǐng)導(dǎo)人參加的企業(yè)管理階層。（2）項(xiàng)目前期工作進(jìn)展迅速，截至2009年8月，項(xiàng)目已完成廠區(qū)總體規(guī)劃設(shè)計(jì)，其中包括電力給排水系統(tǒng)、 水循環(huán)系統(tǒng)、控制系統(tǒng)、消防系統(tǒng)、園林、道路、倉儲、辦公等。累計(jì)完成投資達(dá)4000萬元。第四章 場址選擇（一）項(xiàng)目選址的原則符合國家、地區(qū)和城鄉(xiāng)規(guī)劃的要求。節(jié)約項(xiàng)目用地，盡量不占或少占農(nóng)田。注意環(huán)境保護(hù)，以人為本，減少對生態(tài)和環(huán)境的影響。公用工程聯(lián)接方便（如各種管網(wǎng)系統(tǒng)）等。第五章 建設(shè)內(nèi)容和規(guī)模及產(chǎn)品方案一、確定方案的依據(jù)和原則（一）確定建設(shè)方案的一般原則符合產(chǎn)業(yè)政策。針對市場需求。專業(yè)化協(xié)作。資源綜合利用。環(huán)境保護(hù)?？紤]原材料燃料供應(yīng)。適應(yīng)技術(shù)設(shè)備條件。對生產(chǎn)、包裝、運(yùn)輸、儲存有特殊要求的，應(yīng)考慮滿足這些要求。分三期完成項(xiàng)目設(shè)計(jì)規(guī)劃，達(dá)到完全生產(chǎn)設(shè)計(jì)能力。第二期建設(shè)完成高規(guī)格硅拋光正片進(jìn)口切片機(jī)4臺套生產(chǎn)線，生產(chǎn)用廠10000平方米及設(shè)備、監(jiān)測系統(tǒng)和相關(guān)配套設(shè)施。本項(xiàng)目一期達(dá)到設(shè)計(jì)能力的100%時，年產(chǎn)350噸單晶硅棒。其中一期建設(shè)1幢為10000平方米?？偟墓o工程量是：（1）電：（工業(yè)用電）；變壓器1600KV/A四臺、630KV/A一臺；高壓柜6臺、低壓柜28臺。氣：專用氬氣站一座。景觀、廣場5000平方米左右。（5）亮化：草皮燈、路燈、景觀燈等若干。圍墻：全長1300米；26臺紅外監(jiān)近代探頭。（8）環(huán)保：沈陽環(huán)境科學(xué)研究所出具的環(huán)評報(bào)告。（二）設(shè)備購置主要設(shè)備選型的原則和技術(shù)要求（1）主要設(shè)備選型的原則應(yīng)與項(xiàng)目建設(shè)規(guī)模、產(chǎn)品方案和技術(shù)方案相適應(yīng)，滿足項(xiàng)目的要求，可獲得最大出力。（3）提高連續(xù)化、大型化、自動化程度，降低勞動強(qiáng)度，提高勞動生產(chǎn)率。（5）強(qiáng)調(diào)設(shè)備的可靠性、成熟性，保證生產(chǎn)和質(zhì)量穩(wěn)定。（7）在滿足機(jī)械功能和生產(chǎn)過程的條件下，力求經(jīng)濟(jì)合理，不僅要引進(jìn)先進(jìn)設(shè)備，盡可能立足于國內(nèi)，搞好配套。方案的確定《單晶硅棒、太陽能板項(xiàng)目》的設(shè)備購置按照項(xiàng)目的總體設(shè)計(jì)規(guī)劃，共分三期完成生產(chǎn)配套設(shè)備的投放，一期主要購置設(shè)備為單晶硅棒生產(chǎn)用JDR800型晶體生長爐，單晶爐50臺套及相應(yīng)的監(jiān)測和配套設(shè)施。購置設(shè)備620臺/套，其中一期購置50臺套，5500萬元。（2）生產(chǎn)綱領(lǐng)年產(chǎn)各種規(guī)格型號的單晶硅棒350噸。這些參數(shù)在單晶成型后即定型，無法在此后的加工中進(jìn)行改變。本項(xiàng)目產(chǎn)品單晶硅棒的直徑主要執(zhí)行6英寸、8英寸、12英寸（300毫米），在三期工程建設(shè)完成后，再研制大尺寸的單晶硅棒產(chǎn)品。第六章 項(xiàng)目工程技術(shù)方案　一、土建工程方案選擇（一）工程方案選擇的基本要求滿足生產(chǎn)使用功能要求。適應(yīng)已選定的場址。符合工程標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范要求。經(jīng)濟(jì)合理。本項(xiàng)目屬技術(shù)改造項(xiàng)目，應(yīng)合理利用現(xiàn)場地、設(shè)施，并力求新增的設(shè)施與原有設(shè)施相協(xié)調(diào)。鋼混全框架結(jié)構(gòu)，鋼構(gòu)屋面。（2）水、電、氣的管網(wǎng)連接：按技術(shù)規(guī)范要求施工。設(shè)備安裝就位，應(yīng)符合設(shè)備安裝工程施工及驗(yàn)收規(guī)范要求，然后組織試運(yùn)行生產(chǎn)，把安全第一，保證質(zhì)量放在重要地位。B、檢測手段包括試車前、運(yùn)轉(zhuǎn)時檢測及運(yùn)轉(zhuǎn)一段時間后再進(jìn)行復(fù)查等手段。工藝技術(shù)的先進(jìn)性單晶硅制備（拉單晶）是在專用設(shè)備——單晶爐內(nèi)進(jìn)行，單晶爐內(nèi)配備適合晶體生長的高純石墨熱系統(tǒng)。將單晶硅棒切成片。加工太陽電池片，首先要在硅片上摻雜和擴(kuò)散，一般摻雜物為微量的硼、磷、銻等。這樣就硅片上形成P/FONT＞N結(jié)。因此，單晶硅太陽電池的單體片就制成了。最后用框架和裝材料進(jìn)行封裝。目前單晶硅太陽電池的光電轉(zhuǎn)換效率為15%左右，實(shí)驗(yàn)室成果20%以上。四、總圖布置方案（一）總平面布置總圖布置原則和技術(shù)要求：（1）新廠區(qū)內(nèi)交通運(yùn)輸便捷。（2）各種動力設(shè)施盡量靠近負(fù)荷中心，以縮短管線，節(jié)約能源。（4）建（構(gòu)）筑物的布置符合防火、衛(wèi)生規(guī)范及各種安全規(guī)定和要求，滿足地上、地下工程管線的敷設(shè)、綠化布置以及施工的要求。（二）豎向布置：保證土方工程量最小，并盡量使填挖量達(dá)到或接近平衡。保證廠區(qū)內(nèi)交通方便，防火間距要滿足最小防火間距要求。主要任務(wù)是使廠區(qū)管線之間以及管線與建筑物、道路及環(huán)衛(wèi)、綠化設(shè)施之間在平面和豎向上相互協(xié)調(diào)，既滿足施工、檢修、安全等要求，又貫徹節(jié)約用地原則。給水管、排水管、煤氣管、電力電纜、電訊電纜采用地下埋設(shè)，埋設(shè)深度應(yīng)大于各種管線的最小覆土深度。地下管線最小水平凈距表單位：米序號管線名稱1234567建筑物給水管排水管煤氣管電力電纜電信電纜道路邊石1建筑物基礎(chǔ)邊緣2給水管3排水管4煤氣管5電力電纜6電信電纜7道路邊牙石（四）廠區(qū)照明：廠區(qū)照明的設(shè)計(jì)原則是保證照明供電安全可靠，照明的照度、均勻度達(dá)到國家標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定，經(jīng)濟(jì)合理，節(jié)省能源，維修方便，美觀適用。路燈供電采用10kv高壓進(jìn)線的箱式變電站形式進(jìn)行全夜制控制。廠區(qū)的綠化率最低不小于20%。綠化設(shè)計(jì)遵循安全性、美觀性、生態(tài)防護(hù)性、經(jīng)濟(jì)實(shí)用性的原則。道路綠化應(yīng)符合行車視線和行車凈空要求。綠化不應(yīng)遮擋路燈照明，當(dāng)樹木枝葉遮擋路燈照明時，應(yīng)合理修剪。綠化設(shè)計(jì)采用道路兩側(cè)布置行道樹和分隔帶種植灌木和草坪，行道樹樹種建議采用香樟、金合歡或廣玉蘭，干