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正文內(nèi)容

電阻電容電感測試儀畢業(yè)設(shè)計-在線瀏覽

2025-05-13 02:57本頁面
  

【正文】 電容量程選擇模塊 電源模塊 : 電源模塊2 軟件部分 主程序流程圖:初始化鍵掃描鍵分析,置狀態(tài)yesR測試狀態(tài)C測試狀態(tài)L測試狀態(tài)開中斷定時器設(shè)置通道及指示燈的設(shè)置采值并計算顯示是否語音播報放音yesNono 主程序流程圖 程序清單include include include define ICM7218 XBYTE[0x00ff]//7218A地址unsigned char Tab[] ={ 0xFB,0xB0,0xED,0xF5,0xB6, 0xD7,0xDF,0xF0,0xFF,0xF7 }。//ISD1420播放地址代碼表 //(0,1,2,3,4,5,6,7,8,9, 乘以10的,次方,歐,皮法,微亨)unsigned char P_tab[7] ={ 0xFF,0xFF,0xFF,0xFF,0xFF,0xFF,0xFF }。//最終結(jié)果unsigned char count = 0, counter = 0, bai = 0, shi = 0, ge = 0, cifang = 0。sbit Mode = P1^2。//電阻測量選擇按鍵sbit C_select = P3^3。//電感測量選擇按鍵sbit R_led = P2^2。//電容指示燈sbit L_led = P2^0。//電阻量程轉(zhuǎn)變sbit C_change = P2^3。//模擬開關(guān)sbit F_A = P1^3。//語音播放sbit Feedback = P2^7。 for(a=0。 a++)。//定時器0工作方式1,計數(shù)器1工作方式1 TH0 = 0x3c。//50ms定時 TH1 = 0。//計數(shù)器清零 EA = 1。 ET1 = 1。 TR1 = 1。//3秒測頻 count = 0。//頻率換算 counter = 0。//停止計時計數(shù)器 TR1 = 0。 TL0 = 0xb0。}void t1(void) interrupt 3 using 0//計數(shù)器中斷子程序{ counter++。//100~10k歐姆 if (R_change == 0) { result = (6557705 / pinlv 20000) / 2。amp。 } else { result = result * 891 / 1000。//100~1000PF if (C_change == 0)//1000~10000PF { result = 2540851 / pinlv。 } if (result = 277 amp。 result 288) { result = result * 430 / 1000。amp。 } if (result = 318 amp。 result 450) { result = result * 614 / 1000。amp。 } if (result = 470 amp。 result 1455) { result = result * 72 / 100。amp。 }}/****************************** 感值公式換算(單位:uH)******************************/void L_deal(void){ pinlv = pinlv * 100。 if (result = 3600)//修正 { result = result * 2。amp。 } if (result = 1245 amp。 result 2445) { result = result * 100 / 80。amp。 } if (result = 465 amp。 result 552) { result = result * 100 / 84。amp。 } if (result 328) { result = result * 100 / 79。 flag = result。 i++。 } else cifang = 0。 jcifang。 } bai = result / 100。 ge = result % 10。 SaveData[1] = Tab[shi]。 SaveData[3] = Tab[cifang]。 Mode = 1。//十六進制非譯碼正常工作,后跟顯示數(shù)據(jù) Mode = 0。 i8。 }}/***************************** ISD1420語音播放 ******************************/void play(void){ unsigned char i。//給表賦值 P_tab[1] = Addr[shi]。 P_tab[3] = Addr[10]。 P_tab[5] = Addr[11]。 } if (C_led == 0)//電容皮法 { P_tab[6] = Addr[13]。 } for (i=0。 i++) { P0 = P_tab[i]。 Play = 0。 while (Feedback == 1)。 delay(20000)。//初始化 C_select = 1。 R_led = 1。 L_led = 1。 Feedback = 1。//去抖動 if (R_select == 0) { R_led = 0。 L_led = 1。//模擬開關(guān)電阻頻率輸出 F_A = 0。 C_change = 1。//低量程 delay(50000)。 pl()。 delay(50000)。 pl()。//結(jié)果 daima()。//顯示 //play()。//去抖動 if (C_select == 0) { C_led = 0。 L_led = 1。//模擬開關(guān)電容頻率輸出 F_A = 1。 C_change = 1。 delay(50000)。 pl()。 delay(50000)。 pl()。//結(jié)果 daima()。//顯示 //play()。//去抖動 if (L_select == 0) { L_led = 0。 C_led = 1。 R_change = 1。//模擬開關(guān)電感頻率輸出 F_A = 0。 pl()。//結(jié)果 daima()。//顯示 //play()。單片機由芯片內(nèi)僅有CPU的專用處理器發(fā)展而來。INTEL的Z80是最早按照這種思想設(shè)計出的處理器,從此以后,單片機和專用處理器的發(fā)展便分道揚鑣。其中最成功的是INTEL的8031,因為簡單可靠而性能不錯獲得了很大的好評?;谶@一系統(tǒng)的單片機系統(tǒng)直到現(xiàn)在還在廣泛使用。90年代后隨著消費電子產(chǎn)品大發(fā)展,單片機技術(shù)得到了巨大的提高。而傳統(tǒng)的8位單片機的性能也得到了飛速提高,處理能力比起80年代提高了數(shù)百倍。當代單片機系統(tǒng)已經(jīng)不再只在裸機環(huán)境下開發(fā)和使用,大量專用的嵌入式操作系統(tǒng)被廣泛應用在全系列的單片機上。 單片機比專用處理器最適合應用于嵌入式系統(tǒng),因此它得到了最多的應用。現(xiàn)代人類生活中所用的幾乎每件電子和機械產(chǎn)品中都會集成有單片機。而個人電腦中也會有為數(shù)不少的單片機在工作。單片機的數(shù)量不僅遠超過PC機和其他計算的綜合,甚至比人類的數(shù)量還要多。*8K字節(jié)在系統(tǒng)可編程Flash存儲器。*全靜態(tài)操作:0Hz~33Hz。*32個可編程I/O口線。*八個中斷源。*低功耗空閑和掉電模式。*看門狗定時器。*掉電標識符。使用Atmel公司高密度非易失性存儲器技術(shù)制造,與工業(yè)80C51產(chǎn)品指令和引腳完全兼容。在單芯片上,擁有靈巧的8位CPU和在系統(tǒng)可編程Flash,使得AT89S52為眾多嵌入式控制應用系統(tǒng)提供高靈活、超有效的解決方案。另外,AT89S52可降至 0Hz 靜態(tài)邏輯操作,支持2種軟件可選擇節(jié)電模式。掉電保護方式下,RAM內(nèi)容被保存,振蕩器被凍結(jié),單片機一切工作停止,直到下一個中斷或硬件復位為止。GND 地。作為輸出口,每位能驅(qū)動8個TTL邏輯電平。當訪問外部程序和數(shù)據(jù)存儲器時,P0口也被作為低8位地址/數(shù)據(jù)復用。在flash編程時,P0口也用來接收指令字節(jié);在程序校驗時,輸出指令字節(jié)。P1口P1 口是一個具有內(nèi)部上拉電阻的8位雙向I/O 口,P1輸出緩沖器能驅(qū)動4個TTL邏輯電平。作為輸入使用時,被外部拉低的引腳由于內(nèi)部電阻的原因,將輸出電流(IIL)。在flash編程和校驗時,P1口接收低8位地址字節(jié)。對P2端口寫“1”時,內(nèi)部上拉電阻把端口拉高,此時可以作為輸入口使用。在訪問外部程序存儲器或用16位地址讀取外部數(shù)據(jù)存儲器(例如執(zhí)行MOVXDPTR)時,P2口送出高八位地址。在使用8 位地址(如 MOVX RI)訪問外部數(shù)據(jù)存儲器時,P2 口輸出 P2 鎖存器的內(nèi)容。P3口P3 口是一個具有內(nèi)部上拉電阻的8位雙向 I/O 口,p2 輸出緩沖器能驅(qū)動 4 個TTL 邏輯電平。作為輸入使用時,被外部拉低的引腳由于內(nèi)部電阻的原因,將輸出電流(IIL)。在flash編程和校驗時,P3口也接收一些控制信號。晶振工作時,RST 腳持續(xù) 2 個機器周期高電平將使單片機復位。特殊寄存器AUXR(地址8EH)上的DISRTO位可以使此功能無效。ALE/PROG地址鎖存控制信號(ALE)是訪問外部程序存儲器時,鎖存低8位地址的輸出脈沖。在一般情況下,ALE以晶振六分之一的固定頻率輸出脈沖,可用來作為外部定時器或時鐘使用。如果需要,通過將地址為8EH的SFR的第0位置“1”,ALE操作將無效。否則,ALE 將被微弱拉高。PSEN外部程序存儲器選通信號(PSEN)是外部程序存儲器選通信號。EA/VPP訪問外部程序存儲器控制信號。為了執(zhí)行內(nèi)部程序指令,EA應該接VCC。XTAL1振蕩器反相放大器和內(nèi)部時鐘發(fā)生電路的輸入端。特殊功能寄存器并不是所有的地址都被定義了。讀這些地址,一般將得到一個隨機數(shù)據(jù);寫入的數(shù)據(jù)將會無效。由于這些寄存器在將來可能被賦予新的功能,復位后,這些位都為“0”。中斷寄存器各中斷允許位在IE寄存器中,六個中斷源的兩個優(yōu)先級也可在IE中設(shè)置。特殊寄存器AUXR1中DPS=0選擇 DP0;DPS=1 選擇 DP1。掉電標志位掉電標志位(POF)位于特殊寄存器PCON的第四位()。POF可以軟件控制使用與否,但不受復位影響。外部程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器都可以64K 尋址。對于89S52,如果EA接VCC,程序讀寫先從內(nèi)部存儲器(地址為0000H~1FFFH)開始,接著從外部尋址,尋址地址為:2000H~FFFFH。高128字節(jié)與特殊功能寄存器重疊。當一條指令訪問高于7FH的地址時,尋址方式?jīng)Q定CPU訪問高128字節(jié)RAM還是特殊功能寄存器空間。例如,下面的直接尋址指令訪問0A0H(P2口)存儲單元MOV 0A0H , data使用間接尋址方式訪問高128字節(jié) RAM。MOV R0, data堆棧操作也是簡介尋址方式??撮T狗定時器WDT 是一種需要軟件控制的復位方式。WDT 在默認情況下無法工作;為了激活WDT,戶用必須往 WDTRST 寄存器(地址:0A6H)中依次寫入 01EH 和 0E1H。WDT 計時周期依賴于外部時鐘頻率。當WDT溢出,它將驅(qū)動RSR引腳一個高個電平輸出。當WDT激活后,用戶必須向WDTRST寫入01EH和0E1H喂狗來避免WDT溢出。晶振正常工作、WDT激活后,每一個機器周期WDT都會增加。WDT 計數(shù)器不能讀或?qū)憽榱撕芎玫厥褂肳DT,應該在一定時間內(nèi)周期性寫入那部分代碼,以避免WDT復位。在這種方式下,用戶不必喂狗。通過硬件復位退出掉電模式后,用戶就應該給 WDT 喂狗,就如同通常AT89S52 復位一樣。中斷應持續(xù)拉低很長一段時間,使得晶振穩(wěn)定。為了防止WDT在中斷保持低電平的時候復位器件,WDT直到中斷拉低后才開始工作。為了確保在離開掉電模式最初的幾個狀態(tài)WDT不被溢出,最好在進入掉電模式前就復位WDT。默認狀態(tài)下,在待機模式下,WDIDLE=0,WDT繼續(xù)計數(shù)。UART在AT89S52中
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