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2025-05-09 08:31本頁面
【正文】 RN“表示 ,并聯(lián)排阻用字母 “ RP“表示 ﹒ 一 . 常用電子元件介紹 (2) 電阻值的讀取 : 如下圖 ( 3 ) ( 4 ) 圖 3和圖 4的阻值均為 1k 歐姆 , 但其中圖 3為普通電阻 , 而圖 4的為精密電阻 ( 4位數(shù) ). 圖 3電阻阻值計算 : 10＊ 10^2?＝ 1K? 精密度為 5%, 圖 4電阻阻值計算 : 100＊ 10^1?＝ 1K? 精密度為 1%. 102 1001 (3) SMD 電阻類型 : A. Carbon (碳膜 ): 5% ( J ) , 10% ( K ). 種類 : 06031/16W ,08051/10W, 12061/4W, 25121W. B. Metal film (金屬薄膜 ): 1% , % . C. R sense 1~ 100m ? , 1W ~2W. (4) 0 ? 電阻作用 : A. 抗 EMI 電磁干擾 . B. 保險絲 . 2. 電容 ( C ): 電容是一種可儲存電荷的元件 ,從理論上講 ,它是不耗電的 . 但實際上存在各種的損耗 ,電容還是會對信號存在一定的損耗 .它主要的特性有 : 直流電不能通過電容器 , 其阻抗呈現(xiàn)無窮大 ,交流電可以通過 ,這是電容的最重要的特性之一 . 對交流電有阻尼作用 , 其呈現(xiàn)的容抗為Xc=1/(2π fc) , 它與通過的交流電頻率有關 . 兩端的電壓不能突變 (V=Q/C ). 電容在電路中的應用主要有 : A. 信號耦合 , 隔直 . B. 旁路 ,退耦 , 濾波 ,諧振 ,自舉和補償?shù)?. (MLCC) : 介質材料 工作溫度 ( oC ) 代碼+ B+ C+ D+ 1% F+ 5% J+ 10% KKMX 5R 55 ~ +85Y 5U 30 ~ +85Z 5U +10 ~ +85 M , ZY 5V 30 ~ +85 Z+ 20%誤差百分比10pF 以下10pF 以上+ 10%+80% 20%+ 20% ( M ) ,+80% 20% 55 ~ +125C O G , N P O X 7R 55 ~ +125(1).MLCC介質材料按溫度穩(wěn)定性分成三類： a. 超穩(wěn)定級的介質材料為 COG或 NPO (under 2200pf )。 c. 能用級的介質材料為 Y5V (1000pf ~ 100uf )。 耐壓值 。 精度等級 。 整數(shù)后不注明單位的是皮法 (PF),如 100 。 5. 晶體三極管 (Q): (1)類型 : PNP 與 NPN . (2) 三極管由兩個 PN接構成 , 其具有以下特性 : a. 電流放大 , 要使三極管具有電流放大作用 ,必須 使三極管工作于放大狀態(tài) , 即須滿足使集電結反 向偏置 , 使發(fā)射結正向偏置 . b. 三極管有三個工作區(qū) : 截止區(qū) , 放大區(qū) , 飽和區(qū) . 其中在放大區(qū)其特性是線性的 , 其他兩區(qū)特性都 是非線性的 . c. 開關特性 , 用三極管可以構成開關電路 , 此時 管子主要工作在截止與飽和區(qū) 。 當管子處于飽和狀態(tài)時 , 集 電極與發(fā)射極之間的阻抗很少 , 相當于開關的接 通狀態(tài) . (3) 三種連接方式 : 共基極 , 共集電極 , 共發(fā)射極 . 6. 場效應管 ( MOS 管 ) : (1)場效應管的分類 : NMOSVGS正向壓降導通 . PMOSVGS反向壓降導通 . (2)場效應管是利用輸入電壓產(chǎn)生的電場效應來控制輸出電流 .(晶體三極管為電流控制型 ,場效應管則為電壓控制型 .) (3)三極管相比 ,場效應管的源極 S相當于發(fā)射 極 e,漏極 D相當于集電極 c,柵極 G相當于基極 b. (4)MOS管在電路中的應用 : PWM電路中的開關管 (大功率的 MOS管 ). 一般的開關電路 . (X 或 Y): 作用 :作為一個基準的時鐘 ,為電路提供一個 穩(wěn)定的工作時鐘頻率 . 8. 集成電路 IC ( U ) : IC的封裝形式 (1)TQFP
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