【摘要】填空題1.在常溫下,硅二極管的門檻電壓約為,導(dǎo)通后在較大電流下的正向壓降約為;鍺二極管的門檻電壓約為,。2、二極管的正向電阻小;反向電阻大。3、二極管的最主要特性是單向?qū)щ娦?。PN結(jié)外加正向電壓時(shí),擴(kuò)散電流大于漂移電流,耗盡層變窄。4、二極管最主要的電特性是單向?qū)щ娦裕€(wěn)壓二極管在使用時(shí),穩(wěn)壓二極管與負(fù)載并聯(lián),
2025-05-13 01:56
【摘要】第2章放大電路基礎(chǔ)第2章放大電路基礎(chǔ)基本放大電路的組成及工作原理放大電路的分析方法靜態(tài)工作點(diǎn)的穩(wěn)定共集電極和共基極電路場效應(yīng)管放大電路簡介第2章放大電路基礎(chǔ)基本放大電路的組成及工作原理基本放大電路的組成和工作原理第2章放大電路基礎(chǔ)
2025-04-10 12:47
【摘要】模電復(fù)習(xí)資料第一章半導(dǎo)體二極管(如硅Si、鍺Ge)。、熱敏和摻雜特性。。4.兩種載流子----帶有正、負(fù)電荷的可移動(dòng)的空穴和電子統(tǒng)稱為載流子。。體現(xiàn)的是半導(dǎo)體的摻雜特性。*P型半導(dǎo)體:在本征半導(dǎo)體中摻入微量的三價(jià)元素(多子是空穴,少子是電子)。*N型半導(dǎo)體:在本征半導(dǎo)體中摻入微量的五價(jià)元素(多子是電子,少子是空穴)。
2025-06-04 04:47
【摘要】模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)復(fù)習(xí)試題填空題1.在常溫下,硅二極管的門檻電壓約為,導(dǎo)通后在較大電流下的正向壓降約為;鍺二極管的門檻電壓約為,導(dǎo)通后在較大電流下的正向壓降約為。2、二極管的正向電阻?。环聪螂娮璐?。3、二極管的最主要特性是單向?qū)щ娦?。PN結(jié)外加正向電壓時(shí),擴(kuò)散
2025-01-01 08:43
【摘要】1模擬電子電路B黃麗亞2兩種信號?模擬信號Analogsignal?數(shù)字信號Digitalsignal3模擬信號?是連續(xù)的、平滑的周期或非周期函數(shù)信號。?如語音(音頻)信號、圖像(視頻)信號、模擬溫度、壓力的物理量檢測信號等。4數(shù)字信號?是間斷的
2025-03-08 11:27
【摘要】《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》面向21世紀(jì)課程教材清華大學(xué)電子學(xué)教研組編第三版童詩白華成英主編嘉應(yīng)學(xué)院物理系教材:《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》(第三版,童詩白華成英,高等教育出版社)《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)實(shí)驗(yàn)》(楊剛,電子工業(yè)出版社)
2025-03-01 03:07
【摘要】模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)安徽理工大學(xué)電氣工程系主講:黃友銳第十二講負(fù)反饋對放大電路性能的影響負(fù)反饋是改善放大電路性能的重要技術(shù)措施,廣泛應(yīng)用于放大電路和反饋控制系統(tǒng)之中。負(fù)反饋對增益穩(wěn)定性的影響負(fù)反饋對輸入電阻的影響負(fù)反饋對輸出電阻的影響負(fù)反饋對通頻帶的影響負(fù)反饋對非線性失真的影響
2024-08-29 20:34
【摘要】半導(dǎo)體三極管放大電路的分析方法放大電路靜態(tài)工作點(diǎn)的穩(wěn)定問題共集電極放大電路和共基極放大電路共射極放大電路的工作原理組合放大電路放大電路的頻率響應(yīng)半導(dǎo)體三極管BJT的結(jié)構(gòu)簡介放大狀態(tài)下BJT的工作原理BJT的V-I特性曲線BJT的主要參數(shù)BJT的
2024-11-10 15:56
【摘要】清華大學(xué)華成英模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)?本課程是入門性質(zhì)的技術(shù)基礎(chǔ)課清華大學(xué)華成英一、電子技術(shù)的發(fā)展?47年貝爾實(shí)驗(yàn)室制成第一只晶體管?58年集成電路?69年大規(guī)模集成電路?75年超大規(guī)模集成電路?第一片集成電路只有4個(gè)晶體管,而97年一片集成電路上有40億
2024-11-10 15:00
【摘要】第一篇:模擬電子技術(shù)總結(jié) 《模擬電子技術(shù)》院精品課程建設(shè)與實(shí)踐 成果總結(jié) 模擬電子技術(shù)是一門在電子技術(shù)方面入門性質(zhì)的技術(shù)基礎(chǔ)課程,它既有自身的理論體系,又有很強(qiáng)的實(shí)踐性;是高等院校工科電子信息、...
2024-11-15 22:27
【摘要】《模擬電子技術(shù)》綜合復(fù)習(xí)資料第一章常用半導(dǎo)體器件一、選擇1、在晶體管放大電路中,測得晶體管的各個(gè)電極的電位如下圖所示,該晶體管的類型是[A]A.NPN型硅管B.PNP型硅管C.NPN型鍺管
2025-07-23 21:32
【摘要】半導(dǎo)體二極管第1章半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識本征半導(dǎo)體雜質(zhì)半導(dǎo)體PN結(jié)(SemiconductorDiode)本征半導(dǎo)體半導(dǎo)體—導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間的物質(zhì)。本征半導(dǎo)體—純凈的半導(dǎo)體。如硅、鍺單晶體。載流子—自由運(yùn)動(dòng)的帶電粒子。共價(jià)鍵—相鄰原子共有價(jià)電子所形成的束縛。
2024-12-21 23:17
【摘要】半導(dǎo)體器件的種類及發(fā)展半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)知識PN結(jié)半導(dǎo)體二極管基本要求DiodeandDiodeCircuits半導(dǎo)體器件的種類及發(fā)展1、種類:二極管、三極管、場效應(yīng)管、集成電路(IC)
2025-03-03 23:03
【摘要】電力電子技術(shù)試題第1章電力電子器件__開關(guān)__狀態(tài)。,電力電子器件功率損耗主要為__通態(tài)損耗__,而當(dāng)器件開關(guān)頻率較高時(shí),功率損耗主要為__開關(guān)損耗__。,一般由__控制電路__、_驅(qū)動(dòng)電路_、_主電路_三部分組成,由于電路中存在電壓和電流的過沖,往往需添加_保護(hù)電路__。,電力電子器件可分為_單極型器件_
2025-01-10 18:25
【摘要】《模擬電子期末練習(xí)題》填空題:1、PN結(jié)正偏時(shí)(導(dǎo)通),反偏時(shí)(截止),所以PN結(jié)具有(單向)導(dǎo)電性。2、漂移電流是(反向)電流,它由(少數(shù))載流子形成,其大小與(溫度)有關(guān),而與外加電壓(無關(guān))。3、所謂理想二極管,就是當(dāng)其正偏時(shí),結(jié)電阻為(零),等效成一條直線;當(dāng)其反偏時(shí),結(jié)電阻為(無窮大),等效成斷開;4、三極管是(電流)控制元件,場效應(yīng)管是(電壓)控制元件
2024-08-04 23:32