獨(dú)石電容器瓷ppt課件-在線瀏覽
2025-03-06 18:23本頁(yè)面
【正文】 ，但 Tc向工作溫區(qū)移動(dòng) 。 52 獨(dú)石瓷的主要系列 ? 采用 PbCd1/2W1/2O3 作為助熔劑 ： 反鐵電體 Tc=400℃ ε （ 常溫 ） =90 tgδ＜ αε = +5000x10－ 6/℃ 燒成溫度 750℃ ， 860℃ 熔融 ? 特點(diǎn)：瓷料燒結(jié)溫度在 920℃ 左右 ， 可配合 Ag電極的使用 ， 可微調(diào) Tc。 52 獨(dú)石瓷的主要系列 ? 為進(jìn)一步改善瓷料的介電性能 ， 在上述配方基礎(chǔ)上外加 PbOBi2O3SiO2低溫玻璃 。 （ ～ ％ ） ? 過(guò)多玻璃相會(huì)導(dǎo)致介電系數(shù)極大地下降 ， 損耗增加 。 52 獨(dú)石瓷的主要系列 ? 工藝問(wèn)題：在 Pb(Mg1/3Nb2/3)O3的合成過(guò)程中 ， 由于PbO的揮發(fā) ， 在 500℃ 以上易生成低介電常數(shù)的焦綠石相 （ 3PbO b. 兩步合成法 (1) MgO+ Nb2O5→MgNb2O6 (2) PbO+MgNb2O6→Pb(Mg1/3Nb2/3)O3 167。 167。 ? 常用的移動(dòng)劑： Pb(Fe2/3W1/3)O3 PFW Tc=95℃ Pb(Ni1/3Nb2/3)O3 PNN Pb(Zn1/3Nb2/3)O3 PZN Pb(Mg1/3Nb2/3)O3 PMN Pb(Co1/3Nb2/3)O3 PCN 167。 PFWPFN 瓷料存在缺點(diǎn)： 167。 167。 52 獨(dú)石瓷的主要系列 ? 改性： 1) 添加 La2O3或 Y2O3 ， 使燒結(jié)溫度 ↓， aε 向正溫方向移動(dòng) 2） 添加 BiMg2/3Nb1/3O3玻璃相 ， 使致密度 ↑、 機(jī)械強(qiáng)度 ↑、 aε 為 750～ 130ppm/℃ 167。 缺點(diǎn)： tgδ仍較大 ， 104。 52 獨(dú)石瓷的主要系列 4． 鈮鋅酸鉛系 （ PZN） Tc=140℃ ? 特點(diǎn)： PZN9mol﹪ PT固溶體 在室溫下具有準(zhǔn)同型相界 （ MPB） 。 （ 可加入 SrTiO PbTiO BaTiO3減少焦綠石相 ） 167。 ? 我國(guó)清華大學(xué)研究了低溫?zé)Y(jié)的上述瓷料 ， 可與 Ag電極或含 Pd為 5﹪ 的 Ag電極相匹配 ， 大大的降低了MLCC生產(chǎn)成本 。 52 獨(dú)石瓷的主要系列 ? 1. 含鉍層狀結(jié)構(gòu)化合物的結(jié)構(gòu)特點(diǎn) ? 2. Bi化合物的特點(diǎn) ? 3. Bi化合物在 MLCC瓷料中的應(yīng)用 167。 52 獨(dú)石瓷的主要系列 含鉍層狀結(jié)構(gòu)化合物是由前蘇聯(lián) Smolensky在 PbBi2Nb2O9中發(fā)現(xiàn)的 ， 是又一大類材料 ， 其化合物通式為 (特征為各向異性 )： (Bi2O2)2+(Mn－ 1RnO3n＋ 1)2﹣ 其中： M為一種或一種以上的 Na+、 K+、 Pb2+、 Sr2+、Ba2+、 Bi3+等 2和 3價(jià)離子 。 M、 R均處于氧八面體中心 ， n為整數(shù) 5。 1. 含鉍層狀結(jié)構(gòu)化合物的結(jié)構(gòu)特點(diǎn) 167。 52 獨(dú)石瓷的主要系列 2. Bi化合物的特點(diǎn) ? ε小 ? 高品質(zhì)因數(shù) ? 高穩(wěn)定性，高居里溫度，適合作高頻獨(dú)石瓷料； ? 對(duì)稱性低，可采用適當(dāng)?shù)亩ㄏ蚬に?，如定向固化、定向反?yīng)以及熱壓、熱鍛、熱壓延等熱加工處理制備與單晶相仿的各向異性陶瓷材料，即織構(gòu)陶瓷； ? 由于存在 (Bi2O2)2＋ 的滑移面 (001)，且熔點(diǎn)低，易于在壓力作用下發(fā)生大的蠕變； 167。cm ? 晶粒均勻，大小為 5~10μm ? 抗電強(qiáng)度高：約 45KV/mm 總之是一種較理想的不含鉛的低溫?zé)Y(jié)、高頻MLCC瓷料。 52 獨(dú)石瓷的主要系列 ? 鈮鉍鎂系 MgOBi2O
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