【正文】 XTAL2：來自反向振蕩器的輸出 。當 P1口的管腳第一次寫 1時，被定義為高阻輸入。在 FIASH編程時， P0 口作為原碼輸入口，當 FIASH 進行校驗時，P0輸出原碼，此時 P0外部必須被拉高。 P1 口管腳寫入 1 后，被內(nèi)部上拉為高，可用作輸入， P1 口被外部下拉為低電平時，將輸出電流，這是由于內(nèi)部上拉的緣故。 P2 口： P2 口為一個內(nèi)部上拉電阻的 8 位雙向 I/O 口， P2 口緩沖器可接收，輸出 4 個TTL 門電流，當 P2 口被寫 “1” 時，其管腳被內(nèi)部上拉電阻拉高，且作為輸入。這是由于內(nèi)部上拉的緣故。在給出地址 “1” 時，它利用內(nèi)部上拉優(yōu)勢，當對外部八位地址數(shù)據(jù)存儲器進行讀寫時， P2口輸出其特殊功能寄存器的內(nèi)容。 P3口： P3口管腳是 8個帶內(nèi)部上拉電阻的雙向 I/O口，可接收輸出 4個 TTL門電流。作為輸入，由于外部下拉為低電平， P3口將輸出電流（ ILL）這是由于上拉的緣故。 P3口也可作為 AT89C51 的一些特殊功能口，如下表 ： 表 P3口功能 RXD（串行輸入口） TXD（串行輸出口） /INT0（外部中斷 0） /INT1（外部中斷 1） T0（記時器 0外部輸入） T1（記時器 1外部輸入） /WR（外部數(shù)據(jù)存儲器寫選通） /RD（外部數(shù)據(jù)存儲器讀選通） 南昌工程學(xué)院本科畢業(yè)（論文） 9 4）極限參數(shù) ? 工作溫度： 55℃ — +125℃ ? 儲藏溫度： 65℃ — +15℃ ? 任一引腳對地電壓： — + ? 最高工作電壓： ? 直流輸出電流： MAX197 的概述 MAX197 是 Maxim 公司推 出的具有 12 位測量精度的高速 A/D 轉(zhuǎn)換芯片，只需單一電源供電，且轉(zhuǎn)換時間很短 (6ms)，具有 8路輸入通道，還提供了標準的并行接口 —— 8位三態(tài)數(shù)據(jù) I/O口，可以和大部分單片機直接接口，使用十分方便。 CS：片選腳，低電平有效。當 CS為低電平時，在外部采集模式下， WR的第一個上升沿啟動一次采集， WR的第二個上升沿結(jié)束采集并開始一次轉(zhuǎn)換。 HBEN:輸入腳，控制數(shù)據(jù)總線復(fù)用，以得到 12 位轉(zhuǎn)換結(jié)果，當 HBEN 為高電平時，數(shù)據(jù)總線上輸出高 4位數(shù)據(jù)；當 SHDN為低電平時，器件進入掉 電工作狀態(tài)。 D3/D11~D0/D8：三態(tài)數(shù)據(jù) I/O口。 AGND:模擬地。 INT:中斷輸出腳，當轉(zhuǎn)換完畢，輸出數(shù)據(jù)準備就緒， INT變?yōu)榈碗娖?。當?REF第三章 各芯片的概述 10 腳上采用外部基準電壓時，此管腳連到 VDD上。在內(nèi)部基準電壓模式下，基 準緩沖器提供。 VDD： +5V電源，通過 電容旁路至地。 MAX197的控制字 MAX197的控制字格式如表 D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0 PD1 PD0 ACQMOD RNG BIP A2 A1 A0 表 MAX197的控制字格式 表中的各個控制位如下： 1） PD PD0：選擇時鐘和低功耗模式，其設(shè)置如表 PD1 PD0 說明 0 0 正常工作，外部時鐘模式 0 1 正常工作，內(nèi)部時鐘模式 1 0 后備低功耗模式，不影響時鐘模式 1 1 低功耗模式，不影響時鐘模式 表 PD PD0 位設(shè)置 MAX197 可以以內(nèi)部或外部時鐘模式工作。一旦選擇了所要求的時鐘模式，改變這些位編程選擇低功耗模式時，不會影響時鐘模式。內(nèi)部時鐘模式設(shè)置控制字節(jié)的 D7 位為 0， D6位為 1可以選擇這種模式。外部時鐘模式設(shè)置控制字節(jié)的 D7 位為 0,D6 位 =0 選擇外部時鐘模式。當工作時鐘頻率低于 100KHz時，在保持電容上將產(chǎn)生一個電壓降導(dǎo)致性能降低。 通過寫控制字節(jié)的 ACQMOD 位為 0，選擇內(nèi)部采集方式。當六個時鐘周期采集間隔結(jié)束時，轉(zhuǎn)換開始。 外部采集方式可以更精確的控制采南昌工程學(xué)院本科畢業(yè)設(shè)計（論文） 11 樣間隔和轉(zhuǎn)換。在第一個寫脈沖中，要使 ACQMOD位 =1，它將啟動一次采集開始。在發(fā)第一個第二個寫脈沖時，多路輸入通道的地址位值必須一樣。 3） RNG,BIP:RNG位是選擇輸入端的滿量程電壓范圍， BIP位選擇單極性式和雙極性轉(zhuǎn)換模式，這兩位設(shè)置如表 。器件輸出的數(shù)據(jù)一共是 12 位，當 HBEN為低電平時，讀低 8位；當 HBEN為高電平時，讀取較高的 4個 MSB位，輸出數(shù)據(jù)的 D4~D7位。 第三章 各芯片的概述 12 數(shù)據(jù)位 HBEN=0 HBEN=1 D0 B0(LSB) B8 D1 B1 B9 D2 B2 B10 D3 B3 B11(MSB) D4 B4 B11 D5 B5 B11 D6 B6 B11 D7 B7 B11 表 數(shù)據(jù)讀取格式 LCD12864 的概述 HS1286415芯片 HS1286415芯片是 LCD12864實際產(chǎn)品中的一種，本文通過該芯片來介紹 LCD12864。 ST7920 同時作為控制器和驅(qū)動器，它可提供 33 路 輸出和 64 路 seg 輸出。 1） HS1286415 系列產(chǎn)品硬件特性如下： 提供 8 位， 4 位并行接口及串行接口可選 并行接口適配 M6800 時序 自動電源啟動復(fù)位功能 內(nèi)部自建振蕩源 64 16 位字符顯示 RAM（ DDRAM 最多 16 字符 4 行， LCD 顯示范圍 16 2 行） 2M 位中文字型 ROM（ CGROM） ， 總共提供 8192 個中文字 型 （ 16 16 點陣） 16K 位半寬字型 ROM(HCGROM)， 總共提供 126 個西文字 型 （ 16 8 點陣） 64 16 位字符產(chǎn)生 RAM（ CGRAM） 2） HS1286415 系列產(chǎn)品軟件特性如下： 文字與圖形混合顯示功能 畫 面 清 除 功 能 南昌工程學(xué)院本科畢業(yè)設(shè)計（論文） 13 名稱 引腳 型態(tài) 功能描述 并口 串口 VCC 2 I 模塊電源輸入（未注明為 5V） GND 1 I 電源地 V0 3 I 對比度調(diào)節(jié)端 VEE 18 I 液晶驅(qū)動電壓輸出端 (或名 Vout) PSB 15 I 并口 /串口選擇： H 并口 。 L 指令 片選，低有效 R/W(SID) 5 I 讀 /寫選擇端： H 讀 。 第三章 各芯片的概述 14 圖 HS1286415 系列產(chǎn)品的原理 ST7920內(nèi)部硬說明 1）中文字型產(chǎn)生 ROM（ CGROM）及半寬字型 ROM(HCGROM) ST7920 的字型產(chǎn)生 ROM 通過 8192 個 16 16 點陣的中文字型，以及 126 個 16 8 點陣的西文字符 ， 它用 2 個字節(jié)來提供編碼選擇，將要顯示的字符的編碼 寫到 DDRAM 上 ， 硬件將依照編碼自動從 CGROM 中選擇將要顯示的字型顯示再屏幕上。 3）顯示 RAM(DDRAM) 顯示 RAM 提供 64 2 字節(jié)的空間 ， 最多可以控制 4 行 16 字的中文字型顯示。 三種字型的選擇： 1) 顯示半寬字型 將一個字節(jié)的編碼寫入 DDRAM 中，范圍是 02～ 7FH 2) 顯示 CGRAM 字型 將 2 個字節(jié)的編碼寫入 DDRAM 中，共有 0000H， 0002H,0004H 及 0006H 四種編碼 3) 顯示中文字型 將 2 字節(jié)的編碼寫入 DDRAM 中 ， 先寫高 8 位 ， 后寫低 8 位范圍是 A140H～ D75FH(BIG5),A1A0H～ F7FFH(GB) 4） 繪圖 RAM 提供 64 32 個字節(jié)的空間（由擴充指令設(shè)定繪圖 RAM 地址），最多可以控制 25664 點陣的二維繪 圖緩沖空間，在更改繪圖 RAM 是，由擴充指令設(shè)置 GDRAM 地址先垂直地址后水平地址（連續(xù) 2 個字節(jié)的數(shù)據(jù)來定義垂直和水平地址），再 2 個字節(jié)的數(shù)據(jù)給繪圖 RAM（先高 8 位后低 8 位）。 表 DDRAM 內(nèi)容、 CGRAM 地址以及 CGRAM 內(nèi)容的對照關(guān)系 第三章 各芯片的概述 16 6） CGRAM 與中文字型的編碼只能出現(xiàn)在 adress counter 的起始位置（見下表） 表 CGRAM 與中文字型的編碼 7） 16 8 半寬字型表 表 16 8 半寬字型表 南昌工程學(xué)院本科畢業(yè)設(shè)計（論文） 17 時序 1） 8 位并口寫操作時序圖 圖 8 位并口寫操作時序圖 2） 8 位并口讀操作時序圖 圖 8 位并口讀操作時序圖 3） 4 位并口時序圖圖 圖 4 位并口時序圖圖 第三章 各芯片的概述 18 4） 4位串口時序圖 圖 4位串口時序圖 5）外部復(fù)位時序圖 圖 外部復(fù)位時序圖 指令說明 1）指令表 1（ RE=0,基本指令集） 指 令 名 控制信號 控 制 代 碼 執(zhí)行 時間 RS R/W D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0 清除顯示 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 ms 地址歸 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 X 72us 進入設(shè)定點 0 0 0 0 0 0 0 1 I/D S 72us 顯示開關(guān)設(shè)置 0 0 0 0 0 0 1 D C B 72us 移位控制 0 0 0 0 0 1 S/C R/L X X 72us 南昌工程學(xué)院本科畢業(yè)設(shè)計（論文） 19 2）指令表 2（ RE=1,擴充指令集） 指 令 名 稱 控制信號 控制代 碼 執(zhí)行 時間 RS R/W D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0 待命模式 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 72us 卷動地址或 RAM 地址選擇 0 0 0 0 0 0 0 0 1 SR 72us 反白顯示 0 0 0 0 0 0 0 1 R1 R0 72us 睡眠模式 0 0 0 0 0 0 1 SL X X 72us 擴充功能設(shè)定 0 0 0 0 1 DL X 1/RE G 0 72us 設(shè)定繪圖 RAM 地址 0 0 1 0 0 0 A3 A2 A1 A0 72us A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 備注：當 ST7920 在接受指令前， MCU 必須先確認 ST7920 處于非忙狀態(tài)。 “ RE”是基本指令集與擴充指令集的選擇控制位，當變更 “ RE”的狀態(tài)后，以后的指 令維持在最后的狀態(tài)。 功能設(shè)定 0 0 0 0 1 DL X 0/RE X X 72us 設(shè)定 CGRAM 地址 0 0 0 1 A5 A4 A3 A2 A1 A0 72us 設(shè)定 DDRAM 地址 0 0 1 0 A5 A4 A3 A2 A1 A0 72us 讀忙標志和地址 0 1 BF A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 72us 寫顯示數(shù)據(jù) 1 0 顯示數(shù)據(jù) 72us 讀顯示數(shù)據(jù) 1 1 顯示數(shù)據(jù) 72us 第三章 各芯片的概述 20 0 0 0 0 0 0 0 1 0 0 0 0 0 0 1 X 0 0 0 0 0 1 I/D S 0 0 0 0 1 D C B 0 0 0 1 S/C R/L X X 3）基本指令詳細說明表 （ CLEAR） 格 式 將 DDRAM 填滿“ 20H” （空格）代碼，并且設(shè)定 DDRAM 的地址計數(shù)器（ AC）為 00H；更新設(shè)置進入設(shè)定點將 I/D 設(shè)為 1，游標右移 AC 加 1。 （ ENTRY MODE SET） 初始值： 06H 格 式 指定在顯示數(shù)據(jù)的讀取與寫入時，設(shè)定游標的移動方向及指定顯示的移位 I/D＝ 1，游標 右移， DDRAM 地址計數(shù)器（ AC）加 1； I/D＝ 0，游標左移， DDRAM 地址計數(shù)器（ AC）減 1。 (CURSOR AND DISPLAY SHIFT CONTORL) 初始值： 0001 XXXX B （ X＝ 0,1） 格 式 這條指令不改變 DDRAM 的內(nèi)容 S/C R/L 方向 AC 的值 L L 游標向左移動 AC=AC1 南昌工程學(xué)院本科畢業(yè)設(shè)計（論文） 21 0 0 1 DL X 0/RE X X 0 1 A5 A4 A3 A2 A1 A0 1 0 A5 A4 A3 A2 A1 A0 BF A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 D7 D6 D5 D4 D3