光檢測器ppt課件-在線瀏覽
2025-03-03 07:53本頁面
【正文】 ~1650 1100~1700 響應(yīng)度 R A/W ~ ~ ~ 暗電流 ID nA 1~10 50~500 ~ 上升時間 ?r ns ~ ~ ~ 帶寬 B GHz ~ ~ ~ 偏置電壓 VB V 5 5~10 5 Si、 Ge、 InGaAs pin光電二極管的通用工作特性參數(shù) 光檢測器的比較（ 2） 參數(shù) 符號 單位 Si Ge InGaAs 波長范圍 ? nm 400~1100 800~1650 1100~1700 雪崩增益 M —— 20~400 50~200 10~40 暗電流 ID nA ~1 50~500 10~50 M=10 上升時間 ?r ns ~2 ~ ~ 增益帶寬積 M?B GHz 100~400 2~10 20~250 偏置電壓 VB V 150~400 20~40 20~30 Si、 Ge、 InGaAs 雪崩光電二極管的通用工作特性參數(shù) 光檢測器的比較（ 3） ?在短距離的應(yīng)用中，工作在 850nm的 Si器件對于大多數(shù)鏈路是個相對比較廉價的解決方案。 ?APD檢測器與 PIN檢測器相比，具有載流子倍增效應(yīng)，其探測靈敏度特別高，但需要較高的偏置電壓和溫度補償電路。 ? 光檢測器的作用與要求 ? 兩種典型的光檢測器 ? PIN光電二極管 ? 雪崩光電二極管 APD ? 光接收機 小結(jié) ? 光電
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