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2025-03-03 07:18本頁面
  

【正文】 ss xdxd?? )(22 ???耗盡近似 21 ?????? ????Wxs表面勢 s?SAsWqN?22 2??1 2 3 2022/2/11 29 強(qiáng)反型判據(jù) ????????????iABs nNqkTi nv ln22)(最大耗盡層寬度 AiAsABsmqNnNkTqNW???????????ln2)2(2??表面電荷 )2(2 BAssc NqQ ??? ?4 5 6 2022/2/11 30 閾值電壓 BOXmmCWW??? 2qNV,ATN理想條件下所以寬度達(dá)到最大的荷區(qū)達(dá)到強(qiáng)反型時(shí),空間電電壓。 若令 GMdVdQC ?MsMMGdQddQdVdQdVC???? 0100 dVdQC M?SSSMS ddQddQC?? ???2022/2/11 36 則 = 絕緣層單位面積上的電容 , = 半導(dǎo)體表面空間電荷區(qū)單位面積電容 。 SCCC1110??0CSCSCCCC00 11??0CC00000 xkdVdQC M ???2022/2/11 37 Ptype subst rate Accumulation )2e x p ( kTqQ ss ???????????????????sgoxsSox VqkTCddQCC211111oxCVQC ????SiCoxCQ?Q??2022/2/11 38 積累區(qū) ( 0) MOS系統(tǒng)的電容 C基本上等于絕緣體電容 。 總電容 C也就變小 。xkxkCCxkddQCSdOXdSSSS???????SSSG CQVV ?? ?????00daBS xqN ???022 ??sdaS kxqN?20000 0 021S S GdSak k VXCC C q k N???? ? ? ?21212020002002121????????????
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