【摘要】1一、填空題(共20小題,每題1分,共20分)1、在PWM整流電路的控制方法中,如果引入了交流電流反饋稱為________。2、對(duì)用晶閘管組成的整流電路常用的控制方式是________。3、電阻性負(fù)載三相半波可控整流電路中,晶閘管所承受的最大正向電壓UFm等于__
2025-02-23 17:18
【摘要】裝訂線專業(yè)班級(jí):
2024-08-24 01:09
2025-02-24 22:08
【摘要】電力電子技術(shù)試題(第五章)一、填空題1、整流是把電變換為電的過程;逆變是把電變換為電的過程。1、交流、直流;直流、交流。2、逆變電路分為逆變電路和逆變電路兩種。2、有源、無源。3、逆變角β與控制角α之間的關(guān)系為。3、α=π-β4、逆變
2024-07-11 07:18
【摘要】電力電子技術(shù)試題(第二章)一、填空題1、觸發(fā)電路送出的觸發(fā)脈沖信號(hào)必須與晶閘管陽(yáng)極電壓,保證在管子陽(yáng)極電壓每個(gè)正半周內(nèi)以相同的被觸發(fā),才能得到穩(wěn)定的直流電壓。1、同步、時(shí)刻。2、晶體管觸發(fā)電路的同步電壓一般有同步電壓和電壓。2、正弦波、鋸齒波。3、正弦波觸發(fā)電路的同步移相一般都是采用
2024-07-11 07:23
【摘要】第1章電力電子器件習(xí)題答案?關(guān)斷的條件是什么?答:晶閘管導(dǎo)通的條件:①應(yīng)在晶閘管的陽(yáng)極與陰極之間加上正向電壓。②②應(yīng)在晶閘管的門極與陰極之間也加上正向電壓和電流。晶閘管關(guān)斷的條件:要關(guān)斷晶閘管,必須使其陽(yáng)極電流減小到一定數(shù)值以下,或在陽(yáng)極和陰極加反向電壓。?答:因?yàn)榫чl管在導(dǎo)通瞬間,電流集中在門極附近,隨著時(shí)間的推移,導(dǎo)通區(qū)才逐漸擴(kuò)大,直到全部結(jié)面
2024-07-29 13:42
【摘要】....電力電子技術(shù)答案2-1與信息電子電路中的二極管相比,電力二極管具有怎樣的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)才使得其具有耐受高壓和大電流的能力?答:,使得硅片中通過電流的有效面積增大,顯著提高了二極管的通流能力。,也稱漂移區(qū)。低摻雜N區(qū)由于摻雜濃度低而接近于無摻雜的純半導(dǎo)體材料即本征半導(dǎo)體,由于摻雜濃度低,低摻雜N區(qū)就可
2024-08-03 20:09
【摘要】電力電子技術(shù)試題1、請(qǐng)?jiān)诳崭駜?nèi)標(biāo)出下面元件的簡(jiǎn)稱:電力晶體管GTR;可關(guān)斷晶閘管GTO;功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管MOSFET;絕緣柵雙極型晶體管IGBT;IGBT是MOSFET和GTR的復(fù)合管。2、晶閘管對(duì)觸發(fā)脈沖的要求是要有足夠的驅(qū)動(dòng)功率
2025-01-10 18:17
【摘要】電力電子技術(shù)試題(第四章)一、填空題1、GTO的全稱是,圖形符號(hào)為;GTR的全稱是,圖形符號(hào)為;P-MOSFET的全稱是,圖形符號(hào)為;IGBT的全稱是,圖形符號(hào)為。33、門極可關(guān)斷晶閘管、大功率晶體管、功率場(chǎng)效應(yīng)管、絕緣門極
2024-07-11 07:20
【摘要】電力電子技術(shù)試題(第三章)一、填空題1、某半導(dǎo)體器件的型號(hào)為KS50—7的,其中KS表示該器件的名稱為,50表示,7表示。1、雙向晶閘管、額定電流50A、額定電壓100V。2、某半導(dǎo)體器件的型號(hào)為KN100/50—7,其中KN表示該器件的名稱為
2024-12-24 15:48
【摘要】誠(chéng)信應(yīng)考,考試作弊將帶來嚴(yán)重后果!?華南理工大學(xué)期末考試《數(shù)字電子技術(shù)》試卷A注意事項(xiàng):1.考前請(qǐng)將密封線內(nèi)填寫清楚;?????????2.所有答案請(qǐng)直接答在試卷上(或答題紙上);???????
2024-08-04 21:26
【摘要】電力電子技術(shù)習(xí)題集標(biāo)*的習(xí)題是課本上沒有的,作為習(xí)題的擴(kuò)展習(xí)題一*試說明什么是電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)及其作用。答:當(dāng)PN結(jié)通過正向大電流時(shí),大量空穴被注入基區(qū)(通常是N型材料),基區(qū)的空穴濃度(少子)大幅度增加,這些載流子來不及和基區(qū)的電子中和就到達(dá)負(fù)極。為了維持基區(qū)半導(dǎo)體的電中性,基區(qū)的多子(電子)濃度也要相應(yīng)大幅度增加。這就意味著,在大注入的條件下原始基片的電阻率實(shí)際上大大
2024-08-07 16:13
【摘要】《數(shù)字電子技術(shù)》試卷五一、填空題(12分)1、(3FF)16=()2=()10=()8421BCD2、OC門稱為()門,多個(gè)OC門輸出端并聯(lián)到一起可實(shí)現(xiàn)()功能。3、消除組合邏輯電路中競(jìng)爭(zhēng)冒險(xiǎn)的方法有()、()等。
2025-01-11 00:11
【摘要】一、單項(xiàng)選擇題(每小題1分,共15分)在下列每小題的四個(gè)備選答案中選出一個(gè)正確的答案,并將其字母標(biāo)號(hào)填入題干的括號(hào)內(nèi)。1.一位十六進(jìn)制數(shù)可以用多少位二進(jìn)制數(shù)來表示?(C)A.1B.2C.4D.162.以下電路中常用于總線應(yīng)用的是(A)C.漏極開路門
2024-08-02 17:27
【摘要】好文檔盡在阿燈免費(fèi)目錄第1章電力電子器件 1第2章整流電路 4第3章直流斬波電路 20第4章交流電力控制電路和交交變頻電路 26第5章逆變電路 31第6章PWM控制技術(shù) 35第7章軟開關(guān)技術(shù) 40第8章組合變流電路 42第1章電力電子器件