【正文】 H/L 數(shù)據(jù) 3 11 DB4 H/L 數(shù)據(jù) 4 12 DB5 H/L 數(shù)據(jù) 5 13 DB6 H/L 數(shù)據(jù) 6 14 DB7 H/L 數(shù)據(jù) 7 15 PSB H/L 并 /串行接口選擇： H并行； L串行 16 NC 空腳 17 /RET H/L 復位 低電平有效 18 NC 空腳 19 LED_A 背光源正極（ LED+5V） 20 LED_K 背光源負極（ LEDOV） 邏輯工作電壓 (VDD)： ～ 電源地 (GND)： 0V 工作溫度 (Ta)： 0～ 60℃ (常溫 ) / 20～ 75℃（寬溫） 接口時序 模塊有并行和串行兩種連接方法 ，本文采用并行接法 （時序如下）： 8 位并行連接時序圖 MPU寫資料到模塊 程序?qū)崿F(xiàn)如下： /******************************************************************** * 名 稱： send_i() * 功 能：寫一個字節(jié)命令到 LCD * 入口參數(shù)： unsigned char x 字符 *******************************************************************/ void send_i(unsigned char x) { chk_busy()。 //設置該字節(jié)數(shù)據(jù)為控制命 令 rw = 0。 //送數(shù)據(jù)口 PORTD e = 1。 nop()。 e = 0。 chk_busy() 。 //設置 PD 口為輸入狀態(tài) PORTD = 0xff 。 // 讀置高 rw=1。 // 使能置低 e=1。 // 讀數(shù)據(jù) e=0。 // 恢復 PD 口為輸出 return byReturnValue 。顯示起始行是由 Z 地址計數(shù)器控制的，該命令自動將 A0A5 位地址送入 Z 地址計數(shù)器，起始地址可以是 063 范圍內(nèi)任意一行。 顯示狀態(tài) 開 /關(guān) CODE： RW RS DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0 L L L L L L H D C B 功能： D=1；整體顯示 ON C=1；游標 ON B=1；游標位置 ON 游標或顯示移位控制 CODE： RW RS DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0 L L L L L H S/C R/L X X 功能：設定游標的移動與顯示的移位控制位：這個指令并不改變 DDRAM 的內(nèi)容 功能設定 CODE： RW RS DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0 L L L L H DL X 0 RE X X 功能： DL=1（必須設為 1） RE=1；擴充指令集動作 RE=0：基本指令集動作 設定 CGRAM 位址 CODE： RW RS DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0 L L L H AC5 AC4 AC3 AC2 AC1 AC0 功能：設定 CGRAM 位址到位址計數(shù)器（ AC） 設定 DDRAM 位址 CODE： RW RS DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0 L L H AC6 AC5 AC4 AC3 AC2 AC1 AC0 功能：設定 DDRAM 位址到位址計數(shù)器（ AC） 讀取忙碌狀態(tài)（ BF）和位址 CODE： RW RS DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0 L H BF AC6 AC5 AC4 AC3 AC2 AC1 AC0 功能：讀取忙碌狀態(tài)（ BF）可以確認內(nèi)部動作是否完成，同時可以讀出位址計數(shù)器（ AC）的值 寫資料到 RAM CODE： RW RS DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0 H L D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0 功能：寫入資料到內(nèi)部的 RAM（ DDRAM/CGRAM/TRAM/GDRAM） 1讀出 RAM 的值 CODE： RW RS DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0 H H D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0 功能 ：從內(nèi)部 RAM 讀取資料（ DDRAM/CGRAM/TRAM/GDRAM） 1 待命模式（ 12H） CODE： RW RS DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0 L L L L L L L L L H 功能：進入待命模式，執(zhí)行其他命令都可終止待命模式 1卷動位址或 IRAM 位址選擇（ 13H） CODE： RW RS DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0 L L L L L L L L H SR 功能： SR=1；允許輸入卷動位址 SR=0；允許輸入 IRAM 位址 1反白選擇（ 14H） CODE： RW RS DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0 L L L L L L L H R1 R0 功能：選擇 4 行中的任一行作反白顯示，并可決定反白的與否 1睡眠模式（ 015H） CODE： RW RS DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0 L L L L L L H SL X X 功能： SL=1；脫離睡眠模式 SL=0；進入睡眠模式 1擴充功能設定（ 016H） CODE： RW RS DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0 L L L L H H X 1 RE G L 功能： RE=1；擴充指令集動作 RE=0；基本指令集動作 G=1；繪圖顯示ON G=0；繪圖顯示 OFF 1設定 IRAM 位址或卷動位址（ 017H） CODE： RW RS DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0 L L L H AC5 AC4 AC3 AC2 AC1 AC0 功能： SR=1； AC5~AC0 為垂直卷動位址 SR=0； AC3~AC0 寫 ICONRAM位址 1設定繪圖 RAM 位址（ 018H） CODE： RW RS DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0 L L H AC6 AC5 AC4 AC3 AC2 AC1 AC0 功能：設定 GDRAM 位址到位址計數(shù)器（ AC） 備注 、 當模塊在接受指令前，微處理順必須先確認模塊內(nèi)部處于非忙碌狀態(tài)，即讀取 BF 標志時 BF 需為 0，方 可接受新的指令；如果在送出一個指令前并不檢查BF 標志，那么在前一個指令和這個 指令中間必須延遲一段較長的時間，即是等待前一個指令確實執(zhí)行完成，指令執(zhí)行的時間請參考指令表中的個別指令說明。 本次設計液晶初始化如下： void lcd_init() { rst = 0。 //保證復位所需要的時間 （ 1ms） rst = 1。 // psb = 1。 //基本指 令操作 send_i(0x01)。 //指定在寫入或讀取時，光標的移動方向 send_i(0x0c)。 send_i(0x34)。 for(j = 0。j++) { send_i(i++)。 for(k = 0。k++) { send_d(*ptr++)。 for(j = 0。j++) { send_i(i++)。 for(k = 0。k++) { send_d(*ptr++)。 //打開繪圖顯示 send_i(0x30)。 //發(fā)送數(shù)據(jù)給 lcd } // 應用如下 const uchar table1[ ]={ 基 PIC 單片機 }。 const uchar table3[ ]={ 巡回檢測系統(tǒng) }。 send_i(0x80)。 // 寫：基 PIC 單片機 send_i(0x90)。 // 寫：多路溫度 send_i(0x88)。 // 寫：巡回檢測系統(tǒng) send_i(0x98)。 // 寫： 2021 年 12月 01日 與單片機的接口實現(xiàn) 12864 液晶的電路連線圖如圖 1 所示，實物位置如圖 2 所示 圖 1 12864 液晶電路連接圖 圖 2 12864 液晶模塊實物圖 設計心得總結(jié) LCD12864 與 1602 相比需要較大的電流驅(qū)動，如果出現(xiàn)圖片模糊不清晰或者灰暗，除了檢查背光燈外應考慮電源問題?；掘?qū)動跟 1602 相似難度不大。整屏畫圖可以使用 PCtoLCD2021 把圖片轉(zhuǎn)換成 16 進制數(shù)，局部畫曲線、直線、圓等需要一些算法，比較復雜 4 DS18B20 原理介紹及接口實現(xiàn) DS18B20 簡介 DS18B20 是 DALLAS 半導體 公司 推出 的 第一片支持“一線總線”接口的溫度傳感器，他它具有微型化、低功耗、高性能、抗干擾能力強、易配微處理器等優(yōu)點，可直接將溫度轉(zhuǎn)化成串行數(shù)字信號供處理器處理。 （ 2） 獨特的單線接口方式，與微處理器連接時只需要一條口線即可實現(xiàn)微處理器與 DS18B20 的雙向通信。 （ 4） 在使用中不需要任何外圍元件，全部傳感元件以及轉(zhuǎn)換電路集成在形如一直三極管的集成電路內(nèi)。 ℃ （ 6） 可編程分辨率為 9~12 位，對應的可分辨溫度分別為 ℃、℃、 ℃和 ℃，可實現(xiàn)高精度測溫。電源極性接反時，芯 片不會因為過熱而燒毀，但不能正常工作。由此我們可以看出 DS18B20 主要由 4部分組成： 64位 ROM、溫度傳感器、非揮發(fā)的溫度報警觸發(fā)器 TH和 TL、配置寄存器。 圖 DS18B20引腳和封裝 每顆 DS18B20在出廠前都有一個 64位光刻 ROM，它可以看作該 DS18B20的地址序列碼。光刻 ROM 的作用是使每一個 DS18B20 都各不相同，這樣就可以實現(xiàn)一條總線 掛接多個 DS18B20 的目的。 DS18B20 有嚴格的通信協(xié)議來保證各位數(shù)據(jù)傳輸?shù)恼_性和完整性。所有時序都是將主機作為主設備，單總線器件作為從設備。數(shù)據(jù)和命令的傳輸都是低位在先。DQ=0 void reset() { uchar st=1。 // 先拉至高電平 NOP()。 while(st) { DQ_LOW()。 // 延時 503us DQ_HIGH()。 //延時 60us if(DQ==1) //沒有接收到應答信號，繼續(xù)復位 st=1。 delayus(50,10)。 對于 DS18B20 的讀時隙是從主機把單總線拉低之后，在 15uS 之內(nèi)釋放單總線，以讓 DS18B20把數(shù)據(jù)傳輸?shù)絾慰偩€上。 圖 DS18B20讀時序圖 /******************************************************************** * 名 稱： read_byte() * 功 能： 18b20 讀字節(jié) * 出口參數(shù)：讀出 18B20 的內(nèi)容 ********************************************************************/ uch read_byte() { uch i。 //讀出溫度 static bit j。i 0。 DQ_LOW()。NOP()。NOP()。NOP()。 //拉至高電平 NOP()。NOP()。NOP()。 if (j) value |= 0x80。 //63us } return (value)。 對于 DS18