ftlcd工藝制程簡介-在線瀏覽
2025-07-17 08:05本頁面
【正文】 1000V PVD原理 ACLS T/C P/C P/C P/C PECVD (即等離子體增強化學(xué)氣相沉積 ) ? 工作原理 :采用等離子輔助對化合物進行催化分解 ? 目的 : 利用等離子體輔助活化反應(yīng)氣體 ,降低反應(yīng)溫度 ,改善薄膜質(zhì)量 PECVD原理 Layer Feed gas Material Temp Function 3 Layer SiH4, N2, NH3 ASiNx 320~350℃ Gate insulator SiH4, H2 aSi Semiconductor SiH4, PH3, H2 n+ aSi Contact layer at source and drain 1 Layer SiH4, N2, NH3 ASiNx 270~290 ℃ passivation ? 溫度 ? 氣體流量比 (Si:H,N:H,Si:N) ? RF ? Pressure ? Spacing (上下電極間距 ) 影響成膜工藝的主要參數(shù) 周剛 09419編寫 M/A EUV MAINT EXT/COL4 U/C U/C U/C U/C C/S SCR HP3 HP3 HP1 HP3 HP1 COL1 COL1 M/A DP DEVELOPER EXT PS PS EXT M/A HP2 HP2 I/F BUF COL3 TITLER /EE EXT EXT HP2 COL2 EXT PS PS PS PS OUT IN OUT IN OUT 30600mm 6000mm Height:2450mm 5585mm TFT ARRAY PROCESS___PHOTO SLIT COATER EXPOSURE CANON MPA6000 JUMP stage Nozzle Slit Coater amp。 aSi TFT array process – step 4 ? Deposition and patterning of passivation SiN by PECVD ? Function: – Passivate TFT C C39。 Crosssection CC’ aSi TFT array process – step 1 aSi TFT array process – step 2 ? Deposition of SiN/aSi/n+ by PECVD, patterning of aSi ? SiN is gate dielectric and storage capacitor dielectric
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