吉爾伯特電流增益單元-在線瀏覽
2025-07-13 15:13本頁面
【正文】 區(qū)，所以環(huán)中第 j 個晶體管的電流傳輸方程可表示為：)VVe x p (IITBEjsjcj ??其中 V T= k T / q上式也可寫成 sjCjTBEj IIlnVV ?? ( 7 1 1 )這是環(huán)中第 j 個晶體管正偏發(fā)射結的電壓表達式，那么沿環(huán)一周各正偏結的電壓之和應為零，既有VBE ???n1jB E j 0V （ 7 1 2 ）將式 （ 7 1 1 ）代入 （ 7 12 ），可有 ???n1j sjcjT 0IIlnV因為在環(huán)內(nèi)，順時針方向 （ CW ）的正偏結數(shù)必定等于反時針方向 （ C C W ）的正偏結數(shù)，則有?? ?c c w sjcjTsjcjcwT IIlnVIIlnV2 跨導線性原理 ?? ?c c w sjcjTsjcjcwT IIlnVIIlnV利用對數(shù)的性質 ? ??cw ccw sjCjsjcjIIII （ 71 3 ）由于在 TL 環(huán)路中發(fā)射結反向飽含電流 I sj 與發(fā)射結的面積成正比，在 TL 環(huán)路的制造工藝中可控制發(fā)射區(qū)的幾何尺寸來實現(xiàn)所需的發(fā)射區(qū)面積之比。由式 （ 7 1 3 ）可導出有用的理論公式 ? ??cw ccw jCjjcjAIAI ( 7 1 4 )上式中jcjAI恰好是發(fā)射極電流密度，于是就能以最簡明緊湊的形式來表達 TL 回路原理 ? ??cw cc wcjcj JJ ( 7 1 5)2 跨導線性原理 當考慮 TL 環(huán)路中發(fā)射區(qū)面積之比時，式 （ 7 1 4 ）和 （ 715 ）可分別表示為? ? ?? ? c c wcjjcwcjj)IA 1()IA 1( ? ???cw c c w cjcjII ?式中 λ 為發(fā)射區(qū)面積比例系數(shù)： ???ccw jcw jAA /? ；稱為發(fā)射結面積因子 另外在 TL 環(huán)路的設計和制造工藝中，發(fā)射結面積因子 λ 應盡可能接近 1 ，但這并不要求所有發(fā)射結面積都相等。這就會引起集成電路芯片內(nèi)的熱梯度，導致 V BE 失調(diào)的溫度漂移。 最后陳述跨導線性環(huán)原理如下： 在含有偶數(shù)個正偏發(fā)射結，且順時針方向結的數(shù)目與反時針方向結的數(shù)目相等的閉環(huán)回路中，順時針方向發(fā)射極電流密度之積等于反時針方向發(fā)射極電流密度之積。 解：圖中 T 1 ， T 2 ， T 3 ， T 4 的發(fā)射結構成一個跨導線性環(huán)，如虛線所示，其中順時針方向的晶體管為 T 3 ， T 4 ，反時針方向的為 T 1 ， T 2 。 I C2 =I C3 2 跨導線性原理 例 8 2 電路如圖 7 1 3 所示，假設全部管子匹配，且處在放大區(qū)，試利用跨導線性原理，列出 I out (t) 的表達式。 I C2 =I C3 Io 在目前由 BJT 、 FET 、 G a AS （砷化鎵） FET 組成的各種各樣的電流模電路中，應用 TL回路原理的電流模電路占有相當大的比重。167。當 i 1 ≠ 0 時 （動態(tài)） 的狀況，這時電路中的電流關系 i c2 =i c1 +i 1 或 i c1 =i c2 i 1利用式 （ 731 ）可得)( 11c1c2B iiiI ?? 或 )( 12c2c2B iiiI ??IB+ IB 167。 TL環(huán)路構成的電路模電路 1)I2 i(Ii21i 2B1B12c ???對 （ 7 3 2 ）式進行分析與討論1)I2 i(Ii21i 2B1B11c ????① 如果當 | i 1 |I B 條件下，即交流分量 靜態(tài)電流，這顯然屬于甲類工作狀態(tài)，可以看出1B1c i21Ii ?? 1B2c i21Ii ?? 故，在 | i 1 |I B 條件下，圖 731 所示電路工作在甲類狀態(tài)下。圖 甲乙類互
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