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工業(yè)x射線探傷儀系統(tǒng)設(shè)計(jì)_輻射劑量與防護(hù)課程設(shè)計(jì)-在線瀏覽

2024-11-01 17:10本頁面
  

【正文】 下,射線探傷是不易發(fā)現(xiàn)裂紋的,或者說,射線探傷對(duì)裂紋是不敏感的。即射線探傷適宜用于體積型缺陷探傷,而不適宜面積型缺陷探傷,另射線探傷價(jià)格一般較貴。頻率低于 20 Hz 的稱為次聲波,高于 20 kHz 的稱為超聲波。超聲波頻率高,則傳播的直線性強(qiáng),又易于在固體中傳播,并且 遇到兩種不同介質(zhì)形成的界面時(shí)易于反射,這樣就可以用它來探傷。根據(jù)超聲波在介質(zhì)中傳播的速度 (常稱聲速 )和傳播的時(shí)間,就可知道缺陷的位置。常用的探傷波形有縱波、橫波、表面波等,前二者適用于探測(cè)內(nèi)部缺陷,后者適宜于探測(cè)表面缺陷,但對(duì)表面的條件要求高。該法適用于光滑或粗糙表面,能對(duì)物體表面作全場(chǎng)檢測(cè),而且設(shè)備比較簡(jiǎn)單。近代航空工業(yè)中廣泛應(yīng)用的鋁合金蜂窩板采用迭層結(jié)構(gòu),以減輕重量,增大強(qiáng)度,但在制造過程中會(huì)出現(xiàn)脫膠等缺陷而影響強(qiáng)度 .如采用全息術(shù)對(duì)蜂窩板進(jìn)行無損檢測(cè),即可檢測(cè)出脫膠、板層厚度不均勻等缺陷,并能顯示出這些缺陷的位置及區(qū)域大 小。另外,陶瓷、玻璃及耐火材料的質(zhì)量檢驗(yàn)也已借助于全息術(shù)而得到改進(jìn)??茖W(xué)工作者利用局部加熱和兩次曝光全息圖檢測(cè)了春秋時(shí)期的編鐘,漢代陶峨等青銅器及陶瓷文物中的裂紋、修復(fù)區(qū)域等缺陷,為文物保護(hù)提供了珍貴的科學(xué)資料 .近年來,許多新的無損探傷方法如微波、紅外、光彈顯示及介電常數(shù)檢測(cè)等不斷得以開發(fā)應(yīng)用。 磁粉探傷 磁粉探傷是建立在漏磁原理基礎(chǔ)上的一種磁力探傷方法。此時(shí)撒上干磁粉或澆上磁懸液,磁極就會(huì)吸附磁粉,產(chǎn)生用肉眼能直接觀察的明顯磁痕。磁粉探傷法可探測(cè)露出表面,用肉眼或借助于放大鏡也不能直接觀察到的微小缺陷,也可探測(cè)未露出表面,而是埋藏在表面下幾毫米的近表面缺陷。磁力探傷中對(duì)缺陷的顯示方法有多種,有用磁粉顯示的,也有不用磁粉顯示的。不用磁粉顯示的,習(xí)慣上稱為漏磁探傷,它常借助于感應(yīng)線圈、磁敏 管、霍爾元件等來反映缺陷,它比磁粉探傷更衛(wèi)生,但不如前者直觀。磁粉探傷廣泛用于汽車發(fā)動(dòng)機(jī)零部件的檢測(cè) ??煞譃閿y帶式,移動(dòng)式兩類,移動(dòng)式 X射線 探傷機(jī) 用在透照室內(nèi)的射線探傷,它具有較 高的管電壓和管電流,管電壓可達(dá) 450kv,管電流可達(dá) 20mA,最大透厚度約 100mm,它的高壓發(fā)生裝置、冷卻裝置與 X 射線機(jī)頭都分別獨(dú)立安裝。機(jī)頭可通過帶有輪子的支架在小范圍內(nèi)移動(dòng),也可固定在支架上。其高壓發(fā)生裝置和射線管 探傷機(jī) 在一起組成機(jī)頭,通過低壓電纜與控制箱連接 。 該機(jī)采用逆變技術(shù)及國(guó)外最新半導(dǎo)體功率元件 (IGBT ) 設(shè)計(jì)制造,微機(jī)控制,具有國(guó)際先進(jìn)水平,是一代集電力電子器件、整流逆變技術(shù)、微機(jī)控制、模糊技術(shù)等高科技于一體的新型射線探傷機(jī)。 2)采用微機(jī)控制,自動(dòng)化程度高,功能多,但操作卻很簡(jiǎn)單。 3)采用高亮度 LED 顯示,顯示清晰,適合野外使用。 5)電源部分采用 IGBT 做主功率器件,大大減少了重量和體積,便于攜帶。 7)發(fā)生器重點(diǎn)解決了 X 射線管的散熱問題。 ( 2) XXQ3005型 X 射線探傷機(jī) XXQ3005X射線探傷機(jī)由 XXQ3005 X 射線發(fā)生器 XXQ3005 控制器及一系列附件組成。內(nèi)裝 X 射線管、高壓變壓器等部件,并充有 SF6 絕緣氣體,在發(fā)生器底部裝有風(fēng)機(jī)作為強(qiáng)迫冷卻裝置。 XXQ3005X射線探傷機(jī)主要零部件有: 1) X射線管( 200kV 5mA 定向) 2)高壓變壓器 3)溫度繼電器 4)行燈插座(二芯) 5)冷卻風(fēng)扇 6)低壓電纜插座 7)壓力表 8)端環(huán) XXQ3005 型 X射線探傷機(jī)基本參數(shù)如下: 輸出電壓( kV): 170300 輸入( kW): 焦點(diǎn)尺寸( mm): 輻射角度: 40+5176。 尺寸 (mm)發(fā)生器Φ 340 340 830;控制器 320 280 150。當(dāng) X 射線或γ射線在穿透被檢 物時(shí) ,射線被吸收的程度也將不同。這種方法稱為 X射線照相法(見圖)。如用光敏元件逐點(diǎn)測(cè) 輻射劑量與防護(hù)課程設(shè)計(jì) 9 定透過后的射線強(qiáng)度而加以記錄或顯示,則稱為儀器測(cè)定法。γ射線是放射性同位素在原子蛻變過程中放射出來的。例如由 X 射線管發(fā)出的 X 射線( 當(dāng)電子的加速電壓為 400 千伏時(shí)),放射性同位素60Co 所產(chǎn)生的γ射線和由 20兆電子伏直線加速器所產(chǎn)生的 X 射線,能穿透最大鋼材厚度分別約為 90 毫米、 230 毫米和 600 毫米。主要檢測(cè)焊接缺陷(裂紋、氣孔、夾渣、未溶合、未焊透等)。因上支桿與下支桿的長(zhǎng)度相等,而下支桿 截面比上支桿小,故只需對(duì)下支桿的穩(wěn)定性進(jìn)行計(jì)算校核。 β =42176。442 2 2 2222 2 91 61()116430 2644()42 595120210 10280 1086DdSi D dFDdmmlidy Edx p???????????? ? ? ? ? ????? ? ???????﹥2 2 9 6222222 2 6 62 1 0 1 0 1 01201 4 4 ( / ). ( )4( 3 0 2 6 ) 1 0 1 4 4 1 042 5 3 3 3 ( )EljM N mP lj lj F D d ljN??????????? ? ????? ? ?? ? ? ? ??25333 1 8 6136P ljn P? ? ? ?? 輻射劑量與防護(hù)課程設(shè)計(jì) 12 射線防護(hù) 及 X 探傷室設(shè)計(jì) 探傷室的總布置 該探傷室總占地面積為 ㎡,建在車間外面得 雙 層獨(dú)立房間。曝光室和操縱室之間采用迷宮式擋墻,供工作人員進(jìn)出曝光室 和操縱室。從照片上顯示材料或焊縫內(nèi)部的缺陷;分析其缺陷的太小,形狀和部位、性質(zhì)等從而評(píng)定它的質(zhì)量。 X射線的強(qiáng)度 (P)為: P=KZV2I/ R2 式中: K— — 為比倒系數(shù) Z— — 為 X射線機(jī)陽極靶材料的原子序數(shù) y — 管電壓 I— — 管電流 R— — 距 X射線機(jī)耙之距離 由上公式可知。我們必須使操作人員及附近人員身體的任何部位都避免受 x射線的直接照射。 (2)臭氧 探傷室內(nèi), 由于空氣受 x射線的輻射而分解,生產(chǎn)毒性較高的臭氧,當(dāng)空氣中臭氧含量的重量百分比超過 9. 2 l04 100%時(shí),會(huì)使人明顯中毒。 (3)廢水 x射線拍片后要進(jìn)行底片沖冼,定影和顯影溶液是污染環(huán)境的三廢之一,必須加于治理,不能直接排放。 ② 距離防護(hù) : 離輻射源距離越遠(yuǎn),射線的劑量率越 小。使射線穿透屏蔽物而入射到人體的 X射線減弱至國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的安全劑量之內(nèi)。 (2)對(duì)臭氧的治理 采用通風(fēng)排氣消除臭氧的危害。 (3)廢水治 理 因?yàn)楸緩S的無損檢測(cè)已經(jīng)外包,不需要洗片沒有廢水,只需要有存放 保證底片沖洗質(zhì)量和底片保存的基本條件。我廠新建探傷室已經(jīng)做到了單獨(dú)建造。故探 傷 室的高度不能小于 4 m,對(duì)管電流 10mA以下的 X射線機(jī)的探傷室其曝光室的面積不得小于 24㎡ 。 (3)從操縱室進(jìn)出曝光室的小門須有迷官式遮襠墻。
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