年產(chǎn)5000噸太陽(yáng)能多晶硅項(xiàng)目建議書-在線瀏覽
2025-04-09 07:00本頁(yè)面
【正文】 司大都采用改良型西門子法生產(chǎn) 11N 級(jí)多晶硅，此法屬化學(xué)法范疇，其優(yōu)點(diǎn)是可一次性淀積 11N 純度的 U型多晶硅棒；缺點(diǎn)是非環(huán)保、高耗電、且具腐能性爆炸性，以及 U型棒還必須經(jīng)過(guò)檢測(cè)分棟破碎，然后重新熔融鑄造錠才可用于生產(chǎn)太陽(yáng)能電池片等較復(fù)雜工序。其產(chǎn)量而受到單晶硅產(chǎn)量的限制，成本相對(duì)較高。與改良西門子法相比，日本開發(fā)的物理法只能提純至 7N 級(jí)純度，但 7N 的純度完全可以滿足太陽(yáng)能電池對(duì)多晶硅原料的技術(shù)經(jīng)濟(jì)指標(biāo)要求，生產(chǎn)實(shí)踐證明： 7N 純度的多晶硅與 11N純度的多晶硅對(duì)于太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)化率基本相同，并沒(méi)有明顯的差別。 工藝技術(shù)流程 日本開發(fā)的太陽(yáng)能級(jí)多晶硅 生產(chǎn)工藝具體操作程序如下： 工序一 將金屬硅原材料進(jìn)行破碎后酸洗（要求 20— 50mm粒度），投入到加溫的真空熔煉爐中，提高溫度至 1450℃ — 1470℃ 進(jìn)行溶煉，抽真空達(dá)到要求范圍后，升溫進(jìn)行真空溶煉。 工序二 ⑵ 將液體硅水注入加溫后的真空熔煉爐，同時(shí)加入水離子蒸汽，并使用 10%比例的重質(zhì)碳酸鈣進(jìn)行溶煉，每 2小時(shí)除渣一次，共計(jì)五次工序，取液體樣分析磷含量達(dá)到內(nèi)控技術(shù)指標(biāo)要求后，進(jìn)入第三工序。 工序四 ⑷ 進(jìn)行鑄錠。 鑄錠爐分析化驗(yàn)后，將四周不合格部分除去，進(jìn)入第五工序。用鉬絲鋸去鑄錠粗糙不合格部分后，進(jìn)行表面酸洗，再用切片機(jī)根據(jù)市場(chǎng)要求規(guī)格地切成硅片。對(duì)硅片進(jìn)行質(zhì)量檢驗(yàn)。按要求進(jìn)行產(chǎn)成品包裝，經(jīng)驗(yàn)收合格入庫(kù)。 2℃ 的環(huán)境條件中，相對(duì)濕度、空氣凈度也相應(yīng)嚴(yán)格要求。 ㈡主要設(shè)備選擇方案 針對(duì)建設(shè)太陽(yáng)能級(jí)多晶硅年產(chǎn) 5000噸生產(chǎn)線產(chǎn)業(yè)化示范建設(shè)工程的實(shí)際，本著節(jié)約建設(shè)的原則，確定主要設(shè)備在國(guó)內(nèi)工廠生產(chǎn)和采購(gòu)，部分必須進(jìn)口的設(shè)備，由日本三菱公司推薦國(guó)外進(jìn)口設(shè)備生產(chǎn)工廠和進(jìn)口設(shè)備目錄，并提供數(shù)名技術(shù)人員指導(dǎo)。 ㈡動(dòng)力供應(yīng) 大龍開發(fā)區(qū)內(nèi)現(xiàn)有 2 300MW火電廠一座（ 2 600MW作為華電貴州大龍公司擴(kuò)建工程也上報(bào)國(guó)家發(fā)改委，也列入我區(qū)“十二五”規(guī)劃 ），銅仁地區(qū)現(xiàn)有 1000MW和 1200MW水電站兩座 。 ㈢主要原料價(jià)格 金屬硅，按市場(chǎng)價(jià) /噸。其產(chǎn)品技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)如下： SOG— Si太陽(yáng)能級(jí)多晶硅純度： ； 金屬硅中不純物含有量精制目標(biāo)（ PPM） 產(chǎn)品含量 P B Fe AI Ti c 金屬硅 25 7 100 800 200 5000 soG — si（目標(biāo)） ＜
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