【正文】 化物的化學(xué)式是__。cm3，以NA表示阿伏加德羅常數(shù)的值，則該晶胞的邊長a=__nm。圖中F和O2共同占據(jù)晶胞的上下底面位置，若兩者的比例依次用x和1?x代表，則該化合物的化學(xué)式表示為__，通過測定密度ρ和晶胞參數(shù)，可以計算該物質(zhì)的x值，完成它們關(guān)系表達(dá)式：ρ=__g以晶胞參數(shù)為單位長度建立的坐標(biāo)系可以表示晶胞中各原子的位置，稱作原子分?jǐn)?shù)坐標(biāo)，例如圖1中原子1的坐標(biāo)為(，)，則原子2和3的坐標(biāo)分別為__、__。（2）Na3[Co（NO2）6]常用作檢驗K＋的試劑， 配位體的中心原子的雜化形式為______， 空間構(gòu)型為______。（3）配合物[Cu（En）2]SO4的名稱是硫酸二乙二胺合銅（Ⅱ）, 是銅的一種重要化合物。①該配合物[Cu（En）2]SO4中N、 O、 Cu的第一電離能由小到大的順序是__________。9．某柔性屏手機的柔性電池以碳納米管做電極材料，以吸收ZnSO4溶液的有機高聚物做固態(tài)電解質(zhì)，其電池總反應(yīng)為MnO2+Zn+(1+)H2O+ZnSO4MnOOH+ZnSO4[Zn(OH)2]3其電池結(jié)構(gòu)如圖甲所示，圖乙是有機高聚物的結(jié)構(gòu)片段。（2）已知CN與N2互為等電子體，推算擬鹵（CN)2分子中σ鍵與π鍵數(shù)目之比為_____。（4）MnO是離子晶體，其晶格能可通過如圖的BornHaber循環(huán)計算得到。（5）R(晶胞結(jié)構(gòu)如圖）由Zn、S組成，其化學(xué)式為_____（用元素符號表示）。cm3(阿伏加德羅常數(shù)用NA表示）。（1）基態(tài)Zn2+的價電子排布式為_______________；一水合甘氨酸鋅中所涉及的非金屬元素電負(fù)性由大到小的順序是___________________。（3）一水合甘氨酸鋅中Zn2+的配位數(shù)為______________________。（5）常溫下IMI的某種衍生物與甘氨酸形成的離子化合物為液態(tài)而非固態(tài)，原因是________________________________________。①Zn2+填入S2組成的________________空隙中；②由①能否判斷出S2 、Zn2+相切？_________（填“能”或“否”）；已知晶體密度為d g/cm3，S2半徑為a pm，若要使SZn2+相切，則Zn2+半徑為____________________pm（寫計算表達(dá)式）。釩（）的用途很廣，在冶金行業(yè)有“第一金屬”的美譽。（2）依據(jù)價電子互斥理論推測的立體構(gòu)型是______________。（例如苯中大π鍵可表示為）②從電負(fù)性角度解釋作配體時，配位原子是C而不是O的原因是___________________。 ①2巰基煙酸氧釩配合物中鍵長_________（填“大于”“等于”或“小于”）V—O鍵長，該物質(zhì)中氮原子的雜化方式是_________________。（5）某釩的氧化物的晶胞如圖。②已知上述晶胞為立方晶胞，距離最近的釩原子和氧原子間的核間距為，晶體密度為 ，則晶胞中底面上的兩個氧原子的核間距為__________cm.12．硼、硅、硒等元素及其化合物用途廣泛。（2）在硼、硅、硒的氣態(tài)氫化物中，其立體構(gòu)型為正四面體的是_______（填化學(xué)式），在硅的氫化物中共用電子對偏向氫元素，氫氣與硒反應(yīng)時單質(zhì)硒是氧化劑，則硒與硅的電負(fù)性大小為Se_____Si（填“＞”或“＜”）。（4）硼元素具有缺電子性（價電子數(shù)少于價層軌道數(shù)），其化合物可與具有孤對電子的分子或離子生成配合物，如BF3能與NH3反應(yīng)生成BF3NH3中B與N之間形成______鍵；NH3中N原子的雜化軌道類型為______，寫出與NH3等電子體的一種離子符號________。在SiC中，每個Si原子周圍距離最近的Si原子數(shù)目為________；若金剛砂的密度為ρg（用含ρ和NA的式子表示）【參考答案】***試卷處理標(biāo)記，請不要刪除一、晶胞的相關(guān)計算1．D解析：D【解析】【分析】大球表示鎂原子，小球表示硅原子，該晶胞中含大球表示的原子數(shù)為8，小球表示的原子數(shù)為：。2．C解析：ds 5 N＞O＞C sp3和sp2 變大 氧化石墨烯 氧化石墨烯中含有的羥基和羧基更多，與水分子間形成的氫鍵更多，溶解度更大 【解析】【分析】(3)由各原子坐標(biāo)，可知晶胞中B原子處于晶胞的頂點、面心位置，而As原子處于晶胞內(nèi)部，處于B原子形成的正四面體體心位置，晶胞三維結(jié)構(gòu)如圖所示：，據(jù)此進行解答。連接的O原子吸引電子能力較強，導(dǎo)致與1號C原子相鄰C原子對電子的吸引力減小，所以氧化石墨烯轉(zhuǎn)化為還原石墨烯時，1號C與其相鄰 C原子間鍵能變大；氧化石墨烯中含有的羥基和羧基更多，與水分子間形成的氫鍵更多，所以氧化石墨烯溶解度更大；(3)由各原子坐標(biāo)，可知晶胞中B原子處于晶胞的頂點、面心位置，而As原子處于晶胞內(nèi)部，處于B原子形成的正四面體體心位置，晶胞三維結(jié)構(gòu)如圖所示：(注：小球大小不代表原子半徑大小)，投影時頂點原子形成正方形的頂點，左、右側(cè)面及前、后面的面心原子投影處于正方形棱心，而上、下底面面心原子投影重合處于正方形的中心，As原子投影處于原子處于正方形內(nèi)部且處于正方形對角線上(As原子投影、上下底面面心B原子投影將對角線4等分)，故砷化硼晶胞的俯視圖為：；根據(jù)晶胞三維結(jié)構(gòu)示意圖可知，位于體對角線上的原子相切，即As原子和B原子的半徑之和的四倍即體對角線的長度；根據(jù)均攤法，一個晶胞中As原子個數(shù)為4，B原子個數(shù)為，所以晶胞的質(zhì)量為，晶胞密度為dg/cm3，則晶胞的體積為，則晶胞的邊長為，則晶胞的體積對角線的長度為，所以B原子的半徑為()pm。3．F解析：F＞O＞B 1s22s22p63s23p6或[Ar] 正四面體 sp3 ac 3 前三種為離子晶體，晶格能依次增大，后三種為分子晶體，分子間力依次增大 【解析】【分析】(1)氟代硼酸鉀中非金屬元素有F、O、B，元素的非金屬性越強，電負(fù)性越大；基態(tài)K+核外電子總數(shù)為18；(2)BH4的中心原子B原子孤電子對數(shù)==0，價層電子對數(shù)=0+4=0，微?？臻g構(gòu)型與VSEPR模型相同；Na+與BH4之間形成離子鍵，B原子有3個價電子，H有空軌道，而BH4中形成4個BH鍵，故BH4中含有1個配位鍵、3個σ鍵；(3)雙聚分子為Be2Cl4，Be原子價電子數(shù)為2，形成2個BeCl鍵，Be原子有空軌道、Cl原子有孤電子對，每個BeCl2分子中的1個Cl原子另外分子中Be原子之間形成1個配位鍵；(4)氟化物的熔點與晶體類型，離子晶體的熔點較高，分子晶體的熔點較低；離子半徑越小、電荷越大，晶格能越大，離子晶體的熔沸點越高。晶胞體積。【點睛】價層電子對互斥模型(簡稱VSEPR模型)，根據(jù)價電子對互斥理論，價層電子對個數(shù)=σ鍵個數(shù)+孤電子對個數(shù)．σ鍵個數(shù)=配原子個數(shù)，孤電子對個數(shù)=(axb)，a指中心原子價電子個數(shù)，x指配原子個數(shù)，b指配原子形成穩(wěn)定結(jié)構(gòu)需要的電子個數(shù)；分子的立體構(gòu)型是指分子中的原子在空間的排布，不包括中心原子未成鍵的孤對電子；實際空間構(gòu)型要去掉孤電子對，略去孤電子對就是該分子的空間構(gòu)型?！军c睛】面心立方堆積中，面對角線上3個原子相切，所以棱長a=2r；體心立方堆積中，體對角線上3個原子相切，所以棱長a=r；六方最密堆積中底面邊長a=b=2r。6．H解析：第四周期第Ⅷ族 1s22s22p63s23p63d104s1 H2O 小 2Na2O2＋2CO2=2Na2CO3＋O2 3 2 12 4 CuO 3～ 【解析】【分析】【詳解】(1)Fe是26號元素，核外電子排布為1s22s