【正文】 硅1利用光刻技術(shù)和離子刻蝕技術(shù)，保留下柵隔離層上面的氮化硅層1濕法氧化，生長未有氮化硅保護(hù)的 SiO2 層，形成 PN 之間的隔離區(qū)1熱磷酸去除氮化硅，然后用 HF 溶液去除柵隔離層位置的 SiO2，并重新生成品質(zhì)更好的 SiO2 薄膜 , 作為柵極氧化層。第一篇：電子科學(xué)與技術(shù)專業(yè)參觀心得工藝專題電科1101 3110209128 郭燦鴻晶圓制造工藝流程表面清洗初次氧化CVD(Chemical Vapor deposition)法沉積一層 Si3N4(Hot CVD 或 LPCVD)。（1）常壓 CVD(Normal Pressure CVD)（2）低壓 CVD(Low Pressure CVD)（3）熱 CVD(Hot CVD)/(thermal CVD)（4）電漿增強 CVD(Plasma Enhanced CVD)（5）MOCVD(Metal Organic CVD)amp。1LPCVD 沉積多晶硅層，然后涂敷光阻進(jìn)行光刻，以及等離子蝕刻技術(shù)，柵極結(jié)構(gòu)，并氧化生成 SiO2 保護(hù)層。用同樣的方法，在 N 阱區(qū)，注入 B 離子形成 PMOS 的源漏極。1沉積摻雜硼磷的氧化層1濺鍍第一層金屬（1）薄膜的沉積方法根據(jù)其用途的不同而不同，厚度通常小于 1um。然后，用 PECVD 法氧化層和氮化硅保護(hù)層。其中晶圓處理工序和晶圓針測工序為前段（Front End）工序，而構(gòu)裝工序、測試工序為后段（Back End）工序。晶圓針測工序：經(jīng)過上道工序后，晶圓上就形成了一個個的小格，即晶粒，一般情況下，為便于測試，提高效率，同一片晶圓上制作同一品種、規(guī)格的產(chǎn)品；但也可根據(jù)需要制作幾種不同品種、規(guī)格的產(chǎn)品。構(gòu)裝工序：就是將單個的晶粒固定在塑膠或陶瓷制的芯片基座上，并把晶粒上蝕刻出的一些引接線端與基座底部伸出的插腳連接，以作為與外界電路板連接之用，最后蓋上塑膠蓋板，用膠水封死。到此才算制成了一塊集成電路芯片（即我們在電腦里可以看到的那些黑色或褐色，兩邊或四邊帶有許多插腳或引線的矩形小塊）。經(jīng)測試后的芯片，依其電氣特性劃分為不同等級。經(jīng)一般測試合格的產(chǎn)品貼上規(guī)格、型號及出廠日期等標(biāo)識的標(biāo)簽并加以包裝后即可出廠。不同產(chǎn)品的制作工藝不同，但可將制作工藝分解為多個基本相同的小單元，再將不同的小單元按需要順序排列組合來實現(xiàn)。在摻雜的步驟中，包含了熱擴(kuò)散和離子注入兩種方法。離子注入和熱擴(kuò)散的不同之處是，離子注入還需進(jìn)行退火處理，因為進(jìn)行了離子注入時可能將排列合理的原子給替換或是排擠的不在其原來的位置了，所以必須進(jìn)行退火來進(jìn)行恢復(fù)。微電子芯片封裝在滿足器件的電、熱、光、機械性能的基礎(chǔ)上，主要應(yīng)實現(xiàn)芯片與外電路的互連，并應(yīng)對器件和系統(tǒng)的小型化、高可靠性、高性價比也起到關(guān)鍵作用。器件封裝在國際上已成為獨立的封裝產(chǎn)業(yè)，并與器件測試、器件設(shè)計和器件制造共同構(gòu)成微電子產(chǎn)業(yè)的四大支柱。綜上將晶圓制造和芯片制造的整個過程和學(xué)習(xí)到的知識進(jìn)行了一下梳理，很好的了解和掌握了更多的關(guān)于IC的綜合知識。專業(yè)實驗:物理電子技術(shù)實驗、光電子技術(shù)實驗、::::主要到該領(lǐng)域內(nèi)從事各種電子材料、元器件、集成電路乃至集成電子系統(tǒng)和光電子系統(tǒng)的設(shè)計、制造和相應(yīng)的新產(chǎn)品、新技術(shù)、新工藝的研究、:根據(jù)有關(guān)資料統(tǒng)計,近幾年該專業(yè)畢業(yè)生就業(yè)率在70%左右,重點名牌高校就業(yè)率在90%，美國、西歐、日本、韓國、臺灣地區(qū)的電子科學(xué)與技術(shù)產(chǎn)業(yè)已經(jīng)步入上升軌道。中國“十一五”規(guī)劃的建議書將信息產(chǎn)業(yè)列入重點扶植產(chǎn)業(yè)之一，中國軍事和航天事業(yè)的蓬勃發(fā)展也必然帶動電子科學(xué)與技術(shù)行業(yè)的發(fā)展和內(nèi)需。隨著社會需求會逐步擴(kuò)大，電子科學(xué)與技術(shù)專業(yè)總體就業(yè)前景看好。清華大學(xué)微電子學(xué)研究所王志華教授在接受《中國電子報》記者采訪時表示，大學(xué)工科學(xué)科研究的重要目的是解決工業(yè)界期望解決而沒有解決（至少是沒有解決好）的科學(xué)和技術(shù)問題，這就是工科領(lǐng)域的創(chuàng)新。如果國家相關(guān)工業(yè)水平在世界上處于落后地位，相關(guān)工程學(xué)科的研究水平整體上不可能領(lǐng)先世界，即便能取得一些世界領(lǐng)先的成果，也一定是鳳毛麟角。我國微電子產(chǎn)業(yè)與教育的現(xiàn)狀和趨勢恰好印證了王教授的這個觀點。“這必須是國家行為?！痹谕踔救A教授看來，高等院校在工科技術(shù)人才培養(yǎng)方面至少應(yīng)該做好兩件事，第一是基礎(chǔ)學(xué)科的教育，包括基本的數(shù)學(xué)知識、物理知識和工程知識等；第二是盡可能地為學(xué)生提供全面的工程訓(xùn)練?！翱陀^地講，要完全達(dá)到上述目標(biāo)難度非常大。中國高校的招生規(guī)模已經(jīng)從1977年恢復(fù)高考時的27萬人擴(kuò)大到2008年的近600萬人，對于高校本科畢業(yè)生而言，中國的高等教育已經(jīng)不再是當(dāng)年的精英教育，高校所培養(yǎng)的是一般意義上的勞動者，他們在大學(xué)里掌握的是從事各種工作所需要的基本技能、繼續(xù)學(xué)習(xí)所需要基礎(chǔ)知識及思維方法。電子信息科學(xué)與技術(shù)專業(yè)本專業(yè)培養(yǎng)系統(tǒng)地掌握電子信息科學(xué)與技術(shù)的基本理論、基本知識和基本技能，：電子科學(xué)與技術(shù)、計算機科學(xué)與技術(shù)、電子技術(shù)基礎(chǔ)、數(shù)字系統(tǒng)與邏輯設(shè)計、微機原理與應(yīng)用、信號與系統(tǒng)、信息理論與編碼、電磁場與電磁波、通信原理、信息處理技術(shù)及其應(yīng)用。學(xué)習(xí)這個專業(yè)的基本要求：；、信息科學(xué)、計算機科學(xué)等的基本理論、基本方法和技能；、傳遞、處理及應(yīng)用等方面從事理論研究和解決實際問題的能力；、應(yīng)用前景和最新發(fā)展動態(tài)，以及電子信息產(chǎn)業(yè)的發(fā)展?fàn)顩r；、資料查詢以及應(yīng)用現(xiàn)代信息技術(shù)獲取相關(guān)信息的基本方法；，以及較強撰寫科學(xué)論文的能力，并能熟練運用一門外語進(jìn)行溝通和交流；、較好的心理素質(zhì)、較強的創(chuàng)新精神。主要課程：高等數(shù)學(xué)、工程數(shù)學(xué)、大學(xué)物理、C語言程序設(shè)計、電路理論、模擬電子技術(shù)、數(shù)字電路與邏輯設(shè)計、信號與系統(tǒng)、微機原理、單片機與嵌入式系統(tǒng)、通信電子線路、數(shù)字信號處理、信息論與編碼、通信原理、可編程器件原理、DSP技術(shù)與應(yīng)用、數(shù)字語音處理、數(shù)字圖象處理等。就業(yè)單位：國有企業(yè)、民營及私營企業(yè)，IT企業(yè)，信息與計算科學(xué)專業(yè)的畢業(yè)生進(jìn)入IT企業(yè)是一個重要的就業(yè)方向，它們可以在這些企業(yè)非