戴蓓倩電子線路-15-展示頁(yè)
2025-01-08 11:26本頁(yè)面
【正文】 VGD＋ VGS VGD=VGS－ VDS ＝ VGS（ th)時(shí)發(fā)生預(yù)夾斷153 N溝道增強(qiáng)型 MOS管的特性曲線轉(zhuǎn)移特性曲線 ID=f(VGS)?VDS=const16輸出特性曲線 ID=f(VDS)?VGS=const17二 N溝道耗盡型 MOSFET (a) 結(jié)構(gòu)示意圖 (b) 轉(zhuǎn)移特性曲線 18輸出特性曲線IDU DS0UGS=0UGS0UGS019P溝道 MOSFET P溝道 MOSFET的工作原理與 N溝道 MOSFET完全相同，只不過(guò)導(dǎo)電的載流子不同，供電電壓極性不同而已。分為 增強(qiáng)型 ? N溝道、 P溝道 耗盡型 ? N溝道、 P溝道167。2. 在高溫下， PN結(jié)的反向電流增大，柵源極間的電阻會(huì)顯著下降。3. 柵源極間的 PN結(jié)加正向電壓時(shí)，將出現(xiàn)較大的柵極電流。此時(shí)，電流 ID由未被夾斷區(qū)域中的載流子形成，基本不隨UDS的增加而增加，呈恒流特性。ID62 UGS=0, UDS0VID越靠近漏極， PN結(jié)反壓越大 , 耗盡層越寬，導(dǎo)電溝道越窄溝道中仍是電阻特性，但是是非線性電阻。 DS間相當(dāng)于線性電阻。二、工作原理（以 N溝道為例）4ID|UGS|越大耗盡區(qū)越寬，溝道越窄，電阻越大。 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET)N溝道P溝道增強(qiáng)型耗盡型N溝道P溝道N溝道P溝道（耗盡型）FET場(chǎng)效應(yīng)管JFET結(jié)型MOSFET絕緣柵型(IGFET)2一、結(jié)構(gòu)167。 第四章 晶體管及其小信號(hào)放
教學(xué)課件相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號(hào)-1