材料科學(xué)基礎(chǔ)經(jīng)典教材-展示頁(yè)
2025-01-07 23:42本頁(yè)面
【正文】 特點(diǎn) 、 結(jié)構(gòu)形態(tài) 、 結(jié)晶特性 (二 )高分子晶體的形態(tài) 高分子晶體形貌 ：結(jié)晶高分子較多地具有球晶的形貌。13典型晶體結(jié)構(gòu)三、離子晶體? 形成晶體結(jié)構(gòu)的泡林五規(guī)則 關(guān)注用規(guī)則分析結(jié)構(gòu)167。13典型晶體結(jié)構(gòu)二、共價(jià)晶體? 其它重要結(jié)構(gòu)：閃鋅礦和纖鋅礦，有極性共價(jià)鍵，是共價(jià)晶體的兩種典型結(jié)構(gòu)方石英結(jié)構(gòu)：共價(jià)晶體 SiO2的一種變體，立方 ZnS結(jié)構(gòu)鱗石英結(jié)構(gòu)：共價(jià)晶體 SiO2的一種變體，六方 ZnS結(jié)構(gòu)167。13典型晶體結(jié)構(gòu)一、金屬晶體? （一）晶體中的原子排列及典型金屬晶體結(jié)構(gòu)：最典型結(jié)構(gòu)、堆積特征、密排面、密排面上原子排列方式、晶格常數(shù)與原子半徑的關(guān)系、間隙 ? （二）晶體中原子間的間隙：八面體、四面體間隙、配位數(shù)、致密度的概念 關(guān)注計(jì)算167。167。12晶體化學(xué)基本原理二、晶體中的鍵型? 化學(xué)鍵的概念、種類，分子鍵的概念? 關(guān)注 離子鍵、共價(jià)鍵、金屬鍵 、范式鍵、氫鍵的特點(diǎn)、成鍵方式、強(qiáng)度、形成條件167。 （純共價(jià)鍵合） Si?MgS?NaCl（離子鍵合） 兩頭是極端 （強(qiáng)極性特征） HF?HCl?HBr?HI（弱極性特征） 大多數(shù)實(shí)際材料鍵合特點(diǎn)：幾種鍵合形式同時(shí)存在。11晶體學(xué)基礎(chǔ)三、晶體的對(duì)稱性? 宏觀和微觀對(duì)稱要素、點(diǎn)群、空間群、單形、聚形的概念的概念? 關(guān)注 所有對(duì)稱要素歸納：167。如，在體心立方或面心立方晶胞中間有一層，故實(shí)際晶面間距應(yīng)為 d001/2。11晶體學(xué)基礎(chǔ)二、晶向指數(shù)和晶面指數(shù)? 晶帶與晶帶軸的概念? 關(guān)注 晶帶軸 [uvw]與該晶帶的晶面 (hkl)之間的關(guān)系： hu+kv+lw=0 任兩個(gè)不平行晶面的晶帶軸： (h1k1l1)和 (h2k2l2) 則有 u=k1l2k2l1， v=l1h2l2h1， w=h1k2h2k1167。11晶體學(xué)基礎(chǔ)一、空間點(diǎn)陣? 空間點(diǎn)陣和晶胞的概念? 晶胞的描述方法? 7種晶系、 14種布拉菲點(diǎn)陣、晶族的概念? 關(guān)注 晶體結(jié)構(gòu)與空間點(diǎn)陣區(qū)別與關(guān)聯(lián) 167。11晶體學(xué)基礎(chǔ)? 材料性能決定因素：內(nèi)部微觀構(gòu)造。12晶體化學(xué)基本原理? 167。材料科學(xué)基礎(chǔ)浙江大學(xué)版寫在前面? 本 PPT中列出的知識(shí)點(diǎn)都很重要? 紅色標(biāo)出的是特別重要的? 本 PPT作為教案的配合材料，較之教案更為精簡(jiǎn)第一章 晶體結(jié)構(gòu)? 167。11晶體學(xué)基礎(chǔ)? 167。13典型晶體結(jié)構(gòu)167。 ? 固態(tài)材料分類：晶體與非晶體 要關(guān)注二者的區(qū)別? 掌握材料性能，不根據(jù)外觀，必需從原子排列情況確定 167。11晶體學(xué)基礎(chǔ)二、晶向指數(shù)和晶面指數(shù)? 晶向、晶面、晶向指數(shù)、晶面指數(shù)、晶向族、晶面族的概念? 關(guān)注 六方晶系按兩種晶軸系所得指數(shù)的轉(zhuǎn)換： 從 (hkil)轉(zhuǎn)換成 (hkl)：去掉 i即可，反之：加上 i= (h+k) [UVW] 與 [uvtw]間互換關(guān)系 :U=ut， V=vt， W=w ； u=(2UV)， v=(2VU)， t= (u+v)， w=W 167。11晶體學(xué)基礎(chǔ)二、晶向指數(shù)和晶面指數(shù)? 晶面間距的概念、特點(diǎn)? 關(guān)注 晶面間距的計(jì)算正交晶系面間距計(jì)算式：立方晶系面間距計(jì)算式：注意：以上對(duì)簡(jiǎn)單晶胞而言；復(fù)雜晶胞應(yīng)考慮層面增加的影響。167。12晶體化學(xué)基本原理一、電負(fù)性? 電負(fù)性的概念、分界? 化合物形成與電負(fù)性關(guān)系：兩元素電負(fù)性差別很小，鍵合為非極性共價(jià)鍵或金屬鍵；電負(fù)性差別增加，鍵合極性增加，傾向于離子性鍵合。167。12晶體化學(xué)基本原理三、結(jié)合能和結(jié)合力? 原子結(jié)合為晶體的原因：原子結(jié)合起來(lái)后，體系能量降低? 結(jié)合能：分散原子結(jié)合成晶體過(guò)程中，釋放出的能量 V? 原子間的吸引與排斥：吸引是長(zhǎng)程力，源自異性電荷庫(kù)侖引力，遠(yuǎn)距離時(shí)起主要作用；排斥是短程力，源自同性電荷間的庫(kù)侖力和原子實(shí)周圍電子氣相互重疊引起的排斥，十分接近時(shí)起主要作用。12晶體化學(xué)基本原理四、原子半徑 ? 范德瓦耳斯半徑 、共價(jià)半徑、離子半徑、金屬半徑的概念167。13典型晶體結(jié)構(gòu)二、共價(jià)晶體? 典型結(jié)構(gòu)：?jiǎn)尉Ч瑁ń饎偸?、低于室溫時(shí)的 C、 Ge、 Sn）結(jié)構(gòu)稱金剛石立方結(jié)構(gòu) (骨架狀，四原子近鄰 )； As、 Sb、 Bi結(jié)晶成層狀結(jié)構(gòu) (片狀，三原子近鄰 )； S、 Se、 Te螺旋鏈結(jié)構(gòu)（兩原子近鄰鍵合）? 成鍵強(qiáng)度：金剛石結(jié)構(gòu)成鍵強(qiáng)；層狀結(jié)構(gòu)層內(nèi)強(qiáng)，層間弱；鏈結(jié)構(gòu)鏈內(nèi)共價(jià)鍵，鏈間分子鍵167。13典型晶體結(jié)構(gòu)三、離子晶體? 負(fù)離子配位多面體：以正離子為中心，將周圍最近鄰配置的各負(fù)離子的中心連起來(lái)形成的多面體 ,負(fù)離子配位多面體的形狀正離子配位數(shù)：配置于正離子周圍的負(fù)離子數(shù) 三者之間 關(guān)系：167。13典型晶體結(jié)構(gòu)四、硅酸鹽晶體? 硅酸鹽礦物結(jié)構(gòu)關(guān)注計(jì)算 ? 島狀硅酸鹽： ? 焦硅酸鹽： ? 環(huán)狀硅酸鹽： ? 鏈狀硅酸鹽： ? 層狀硅酸鹽：? 單鏈與環(huán)狀的區(qū)別：化學(xué)式中單鏈 Si的數(shù)量是 1或 2；環(huán)狀是 3以上167。一個(gè)球晶由沿半徑垂直方向的多層晶片組成。
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